Шер

Номер патента: 665590

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Вилянская, Захарова, Знаменская, Иванов, Мутовкина, Санин, Серегина, Шер

МПК: C10M 133/06

Метки: маслам, присадка, смазочным

Присадка к смазочным маслам, содержащая диизоалкилдитиофосфат цинка и первичный алифатический амин, отличающаяся тем, что, с целью улучшения противоокислительных и противокоррозионных свойств масла, в качестве первичного алифатического амина присадка содержит амин, алкильная часть которого представляет прямоцепочечный алкил C17 - C21, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диизоалкилдитиофосфат цинка - 48 - 52Первичный алифатический амин - 48 - 52

Номер патента: 672798

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Вилянская, Захарова, Знаменская, Иванов, Мутовкина, Санин, Серегина, Шер

МПК: C10M 141/06

Метки: маслам, присадка, смазочным

Присадка к смазочным маслам, содержащая диизоалкилдитиофосфат цинка и первичный алифатический амин, отличающаяся тем, что, с целью улучшения противоокислительных и противокоррозионных свойств масла, в качестве первичного алифатического амина присадка содержит амин, алкильная часть которого представляет прямоцепочечный алкил C17 - C21 и дополнительно содержит 2,2'-метилен-бис-(6-трет-бутил-4-метилфенол) при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диизоалкилдитиофосфат цинка - 22,2 - 29,2Первичный алифатический амин - 22,2 - 29,22,2'-Метилен-бис-(6-трет-бутил-4-метилфенол) - До 100

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1739805

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: высоковольтных, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий нанесение на кремниевую монокристаллическую пластину n-типа проводимости защитного покрытия, фотолитографию по защитному покрытию, вытравливание разделительных канавок, удаление защитного покрытия, формирование на полученном рельефе высоколегированного слоя n-типа проводимости, формирование диэлектрической пленки на основе оксида кремния, формирование на поверхности пластины областей монокристаллического кремния, соответствующих расположению мощных высоковольтных транзисторов, эпитаксиальное наращивание кремниевой подложки с монокристаллическими и поликристаллическими участками, удаление монокристаллической кремниевой пластины до вскрытия дна...

Номер патента: 1108966

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Данцев, Комаров, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование на монокристаллической кремниевой подложке первой пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание первой группы разделительных канавок, удаление первой пленки двуокиси кремния, формирование скрытого слоя в разделительных канавках первой группы, формирование второй пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание второй группы разделительных канавок, формирование пленки двуокиси кремния в разделительных канавках второй группы, наращивание на рельефную поверхность структуры слоя поликристаллического кремния, удаление части кремниевой подложки с образованием изолированных...

Номер патента: 1702826

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Лазина, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, структур, транзисторных

...пленку окисла и проводят осаждение поликристаллического кремния для формирования подложки. снижает напряжения пробоя сформированныхтранзисторных структур, а следователь- Одновременно с выполнением этих но, и выход годных структур. операций, которые осуществляются при температуре 1180-11200 С в течение 4 ч,Целью изобретения является повышение выхода годных структур по напряжению на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической 15кремнйевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование вмонокристаллических кремнйевых карманах транзисторных структур, Одновременно с высоколегированными слоями на 20исходной монокристаллической пластине(или до образования высоколегированныхскрытых слоев)...

Номер патента: 1591750

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Коновалов, Лебедев, Шер

МПК: H01L 21/18

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание в кремниевой подложке n-типа первых диффузионных областей p-типа, формирование канавок, разделяющих p- и n-области в подложке, формирование диэлектрической пленки на поверхности канавок, осаждение поликремния, удаления материала подложки до вскрытия дна канавок и создание во вскрытых изолированных канавками участках кремниевой подложки диффузионных базовых и эмиттерных областей n-p-n- и p-n-p- транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных микросхем за счет повышения воспроизводимости параметров распределения примеси в p-n-p- транзисторных структурах, первые диффузионные области p-типа в кремниевой подложке создают глубиной, не превышающей разность между...

Номер патента: 1471901

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Добровичан, Коновалов, Опалев, Шер

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...

Номер патента: 1686982

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, микросхем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки основной защитной пленки, вскрытие в ней окон под области боковой изоляции, вытравливание в окнах изолирующих канавок, удаление основной защитной пленки, формирование на вскрытой поверхности подложки высоколегированного n+-слоя, выращивание пленки оксида кремния путем окисления подложки, вскрытие окон к кремниевой подложке над участками под высоковольтные транзисторы, осаждение поликристаллического кремния, удаление материала кремниевой подложки до вскрытия дна изолирующих канавок и формирование во вскрытых областях кремния низковольтных и высоковольтных транзисторов, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1070804

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Петрушин, Руденко, Тимченко, Токарев, Тришечкин, Шер

МПК: B21J 5/00, B23Q 41/00

Метки: автоматическая, линия, объемной, штамповки

...цилиндра 5 выступы 10 и 11 планки 9 то поднимаются, то опускаются.При этом изделие то получает возможность поступать на обрубку, то удерживается на транспортере,Яа транспортером 4 размещен лоток12, установленный с ним соосно, покоторому изделие скатывается с помощью специально на нем установленных направляющих 13 на обрезной штамп14 строго по оси лотка 12, Для удержания изделия на плите штампа при еедвижении с лотка над ним установленоустройство, содержащее ось 15, планку 16 с балансиром 17, удерживающееизделие на плите штампа в определенном месте,,Посылка изделия в ручей обрезногоштампа 14 производится с помощью устройства, установленного под лотком,соосно с ним содержащего силовой цилиндр 18, на штоке 19 которого смонтирована вилка...

Номер патента: 1797514

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Алентьев, Басюк, Бирюлев, Бондарев, Борисенко, Волков, Токарев, Чернышев, Шер, Шерстнев

МПК: B21K 1/28

Метки: колес, типа

...если таковая предусматривается (фиг.2 б), Указанные соотношения диаметральных размеров полуфабриката обеспечивают. беспрепятственную его укладку в последующий штамп и позволяют предварительно перераспределять металл с "завязкой" волокна получаемой затем реборды, После формовки полуфабрикат удаляется из полости штампа выталкивателем 16,В дальнейшем полуфабрикат размещают донной частьюна толкателе 17 окончательного штампа и с помощью буферного устройства 18 с усилием обжимают разъсмной матрицей 19 отформованную раньше реборду и часть обода (фиг,За), а затем, не снимая радиального усилия обжатия, опускают пуансон 20 и раздают на конус и доформовывают из стенки полуфабриката часть обода 21 и вторую реборду 22 (фиг.Зб).Предварительно...

Номер патента: 1785037

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Шер

МПК: G10C 9/00

Метки: гитары, настройки

...для свободного размещения в них отжитогоо элемента (аналогично движку логарифмической линейки), Расстояние от верхней точки штыря отжимного элемента, устанбвленного в крайнее нижнее положение, до нижней плоскости основания (грифа) должно быть равно 3 мм.Настраиваемая струна перед настройкой должна быть отжата и отстоять от грифа на расстоянии Ьггде Ь очки отжатой з - расстояние от нижней точки неотжатой струны до вершины 1-й ладовой пластйны; Ьлп - высота ладовой пластйнй, (Л На фиг. 1-3 - показано предложенное ( " устройство, три проекции; на фиг. 4 - рабочее положение основания на грифе инстру- ф мента. Отжимной элемент 2 выступом 3 перемещен в пазах 4, выполненных-по краям основания 1, а на штыре 5, положение которого определяется...

Номер патента: 1784074

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Зайцев, Пономарев, Тищенко, Ушаков, Шер

МПК: F04D 25/08

Метки: вентилятор, осевой

...со смещением относительно пластины предыдущего ряда,На фиг.1 схемдтичвид вентилятора в профиг,2 - рамки; на фиг.3 - векторная диаграмма напряженности, скоростей (электрического ветра),Осевой вентилятор содержит корпус 1, установленное в нем рабочее колесо 2 с электроприводом 3, электроды в виде параллельно расположенных пластин 4, с зубьями 5, образующих рамки 6, размещенные параллельно потоку воздуха. Зубья 5, пластины 4 ориентированы по ходу движения воздуха. Пластины 4 в каждой последующей рамке 6 расположены со смещением относительно пластин предыдущего ряда и образуют коронно-разрядные пары (зубья 5 пластины 4 ряда "а" - тыльная часть пластин 4 ряда "Ь" и т.д.), дающие суммарный вектор скорости электрического ветра...

Номер патента: 1744708

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Шер

МПК: G10C 9/00

Метки: гитары, настройки

...является повышение удобства в пользовании,Обаединение медиатора 1 с четырьмя разновысокими отжимными элементами, два из которых 2 расположены в плоском теле медиатора, а два других 3 - в боковых выступах устройства, основание 4 которого снабжено двумя взаимно перпендикулярными пазами разной шиоины 5 (фиг. 1 - 3). На фиг, 4 показано рабочие положение устройства, при котором тело медиатора 1 находится в плоскости, нормальной к продольной оси ладовой пластины 6, струна 7 лежит на седле 8, а ладовая пластина 6 входит в паз 5, На фиг, 5 показано рабочее положение устройства, при котором тело медиатора развернуто на 90 относительно положения, показанного на фиг, 4,Настройку шестиструнной гитары с помощью предлагаемого устройства осуществляют...

Номер патента: 1744707

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Шер

МПК: G10C 9/00

Метки: гитары, настройки

...Расположение устройства на грифе гитары показано на фиг. 5, где видно как ладовыепластины 10 входят в пазы 11 отжимныхэлементов, струны 1, 3, 4 и 6 введены взацепные пазы 9, а 2 струна лежит на штыревом выступе 12 отжимного элемента 6.Настройку гитары осуществляют в следующей последовательности. 744707 А 2 ДЛЯ НАСТРОИКИ ГИ относится к устроиству ры и позволяет повысить внии посредством нали ания продольных пазов Вращением колка первои струны она. настраивается с помощью камертона по звуку ЛЯ первой октавы, при этом высота звучания сравнивается с камертоном до полного их совпадения, затем вращением соответствующего колка настраиваются остальные струны: вторая по первой, третья по второй, четвертая по третьей, пятая по четвертой, шестая...

Номер патента: 1737072

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Вергановский, Корышев, Надбаевский, Прасолов, Ткач, Трубицын, Шер

МПК: E02F 5/18, G01P 3/66

Метки: пневмопробойника, предударной, скорости, стенд, ударника

...В случае разомкнутой цепи регистратор 7 фиксирует ЭДС, а в случае замкнутой цепи - электрический ток. Измерй ельные катушки 5, 6 могут устанавливаться в передней 35 (фиг.1, 2), либо в задней части корпуса испытуемой машины в месте нанесения удара ударником 9 по корпусу(фиг,З). Измерительные катушки 5, 6 прикреплены к станине 1 нэ расстоянии 1 друг от друга, Они могут быть 40 прижаты друг к другу (фиг.З), либо установлены с зазором между собой (фиг.2). В первом случае мерное расстояние минимально, во втором - наведенная индукция в одной измерительной катушке меньше влияет на .45 другую Для уменьшения влияния наведенной индукции одной катушки на другую целесообразно ме.кду ними закреплять металлический экран, который может быть...

Номер патента: 1725179

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Пономарев, Шер

МПК: G04F 10/04

Метки: измеритель, несимметричности, сигналов, цифровой

...единицы (фиг.8),который поступает на входы блоков 22-24, разрешая формирование импульсов. На выходе ГТИ 23 формируются прямоугольные импульсы 011, причем фаза первого импульса ГТИ 23 привязана к переднему фронту положительного импульса 010 (фиг,8). ГТИ 23 вырабатывает последовательность положительных импульсов с периодом повторения гг, которые поступают на вход элемента И 24 и далее на вход распределителя 25 импульсов, Последний вырабатывает на выходах 1 - 10 импульсы положительной полярности длительностью гг, сдвинутые друг относительно друга. Эти импульсы поступают на входы соответствующих элементов и формируют управляющие сигналы измерителя,Кроме того, формирователь 22 по переднему фронту положительного импульса с 0-выхода...

Номер патента: 1723559

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Пономарев, Шер

МПК: G04F 10/00

Метки: видеосигналов, измеритель, тяжести, центра, цифровой

...и четвертым выходом блока, выход двоичного счетчика соединен с входом А элемента сравнения и первйм выходом блока, выход АВ злемен та сравнения соединен с входом.формирователя коротких импульсов, выход формирователя коротких импульсов соединен с вторыми входами элементов ИЛИ и ИЛИ-НЕ, выход элемента ИЛИ-НЕ соеди нен с В-входом двоичного счетчика, выходэлемента ИЛИ соединен с вторым выходом блока.соединен с вторым входом генератора уп-равляющих сигналов, с третьим входом бло выход аналогового ключа соединен свходом Овх аналого-цифрового преобразователя, выход аналого-цифрового пре 45 50 порогового элемента с шиной "Вход" измерителя, второй вход компаратора через второй вход порогового элемента соединен с шиной Ооп, выход компаратора...

Номер патента: 1721003

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Канцель, Лазарев, Пономарев, Шер

МПК: B66F 11/02

Метки: конструкции, монтажа

...Москва, Ж, Раущская наб 4/5 ГКНТ СС изводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 Изобретение относится к способам подъема конструкций, преимущественно для монтажа коротких аппаратов.Цель изобретения - упрощение монтажа.На фиг, 1 показана схема подъема аппарата; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Подъем короткого аппарата 1 осуществляют с помощью кранов 2-4, расположенных со стороны его нижней части, Аппарат 1, лежащий на опорах 5 монтажной площадки, стропят краном 3; за цапфу 6, закрепленную на краю торца основания аппарата 1, Затем кранами 2 и 4 производят застроповку аппарата 1 за цапфы 7 и 8, расположенные в верхней его части, затем производят предварительный подъем аппарата 1 кранами 2-4. Вывод аппарата 1...

Номер патента: 1711181

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Пономарев, Шер

МПК: G06F 15/336

Метки: коррелятор, цифровой

...этих отсчетов с выходов АЦП 15 и 16 на выходы регистров 17 и 18 памяти осуществляется импульсами с элемента 13 задержки, на вход которого поступают тактовые импульсы с генератора 12, С элемента 13 импульсы, задержанные на время, необходимое для выполнения операции сложения в накапливающем сумматоре 39, поступают на регистры 18 и 17 памяти, Запись с выходов АЦП 15 и 16 осуществляется по входам регистров 18 и 17 при переходе сигнала из состояния логического нуля в логическую единицу. Информация с выходов АЦП 15 и 16 переписывается на выходе регистров 17 и 18 памяти. Информация й отсчетов в АЦП 15 и 16 находится в промежутке времени между задним фронтом -го тактового импульса и передним фронтом+1-го тактового импульса. Информация с...

Номер патента: 1693648

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Курцер, Мамедов, Остасевич, Поташенков, Шер

МПК: H01H 23/12

Метки: переключатель

...11 выполнены из материала с низким электрическим сопротивлением,Неподвижные контакты 2-4 гайками 13 прикреплены к корпусу 1, а гайками 14 к ним прикреплены кабельные наконечники15 проводов.Контакты 2-4 в плане прямоугольные, что фиксирует их от вращения в корпусе 1.Вилка 7 с двумя зубцами 16 и 17 обхватывает контакт 5 с зазором Г. На зубце 17 выполнен выступ 18 для взаимодействия с рифлением на оси 12,Переключатель работает следующим образом.При повороте рычага б против часовой стрелки из положения, показанного на фиг,1, в вертикальное положение выступ 18 (фиг,3) заходит во впадину рифления подвижного контакта 5. Поэтому перекос контакта 5 от контакта 3 через контакт 2 к контакту 4 происходит без вращения 5 вокруг собственной оси.При...

Номер патента: 1640302

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Костылев, Прасолов, Терин, Ткач, Трубицын, Червов, Шабат, Шер

МПК: E02F 5/18, G01M 19/00

Метки: действия, стенд, удара, ударного, энергии

...1, являющимся регистратором величины тока. Стержень-волновод 2 прижимается к корпусу испытуемой машины 1 механизмом дляприжима корпуса машины в виде пневмоцилиндра 11, ход штока 12 которого можетбыть большим хода штока 9 силового цилиндра 10, В систему управления работой стенда входит реле 13 давления, установленное в воздушной магистрали 14, два трехходовых 45 50 55 10 15 вентиля 15 и 16, электропневматические клапаны 17 и 18 с реле 19 и 20 времени.Стержень-волновод 2 выполнен составным по меньшей мере.из двух частей 21 и 22. Одна иэ частей, например 22, выполнена с гнездом 23, другая - с выступом 24, причем выступ 24 установлен в гнезде 23 с натягом по боковым поверхностям. Для повышения точности измерений между стержнем-волноводом 2...

Номер патента: 1620502

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Бурочкин, Гордиенко, Дымовский, Козина, Михайлов, Шер

МПК: C22F 1/18

Метки: однофазных, полуфабрикатов, сплавов, термической, титановых

...среде.Обрабатывают полуфабрикаты из титанового сплава, содержащего алюминийи цирконий до 67, ванадий до 27 Нагрев электроконтактный, осуществляется током промышленной частоты. Охлаждение проводят в воде. После обработки испытывают цилиндрические образцыс надрезом. Проводят повторно статическое растяжение в синтетической(54) СПОСОБ ТЕРМИчЕСКОР ОБРАБОТКИПОЛУФАБРИКАТОВ ИЗ О/НОФАЗНЫХ -ТИТАНОВЫХ СПЛАВОВ(57) Изобретение относится к металлургии, в частности к способам термической обработки полуфабрикатов изоднофазных 04-титановых сплавов, и может найти применение в авиационнойпромьппленности, а также судостроениии химической промьшшенности, Пельизобретения - повышение малоцикловойдолговечности в коррозионной среде.Полуфабрикаты нагревают до...

Номер патента: 1603432

Опубликовано: 30.10.1990

Автор: Шер

МПК: G10C 9/00

Метки: гитары, настройки

...9 и опорные площадки 10 для размещения струн, соприкасаясь с которыми на отрезке, равном ширине ладовой пластины 9, обеспечивают точность фиксации эффективной длины струны, зацепные пазы 11 и прижимные гайки 12,Устройство для настройки гитары функционирует следующим образом.Устройство для настройки гитары устанавливают на гриф гитары, при этом последовательно шестая, четвертая, третья и первая струны вводятся в зацепные пазы 11 отжимных элементов 2, 3, 4 и 5, после чего основание 1 перемещается вдоль грифа до фиксации ладовых пластин 9 в пазах 8. При этом в паз отжимного элемента 2 входит ладовая пластина пятого лада, в паз отжимного элемента 3 - пластина седьмого лада, в паз отжимного элемента 4 - пластина второго лада, а в паз...

Номер патента: 1590611

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Горина, Кузин, Плицына, Старобинский, Терехов, Шер

МПК: F01N 1/00, F02M 35/12

Метки: глушитель, шума

...каналу 5 участков 7 расширения. Участки сужения 6 и расширения 7 смежных щелевых каналов 5 могут чередоваться по дпине корпуса 1.Глушитель шума работает следующим образом.Газовый поток через впускной патрубок2 поступает в полость корпуса 1, где распредсляется по щелевым каналам 5, проходит по ним и через выпускной патрубок 3 выбрасывается в окружающую среду или в смежный объем. При движении газов звуковые волны частично отражаются за счет разницы поперечных сечений щелевых каналов 5, снабженных участками сужения 6 и расширения 7, что обеспечивает их частичное затухание. Работа глушителя шума характеризуется широкополосным заглушением. Выполнение длины участка сужения 6 в пределах (0,8 - 1,2)-/7 р Ьг, где длина участка 7...

Номер патента: 1585819

Опубликовано: 15.08.1990

Автор: Шер

МПК: G09B 15/06

Метки: гитаре, игре, обучения

...пальцами левой руки и прижимают к струнам на соответствующих ладах. После этого55 медленно большим пальцем правой руки провести по струнам, указанным в аккордной сетке, начиная с басовых струн. Палец перемещают перпендикулярно струнам, при этом гитару держат как при обычной игре. Для прс слушивания аккордов с задействованиемЧ 1, Ч 11, Ч 111 ладов крайние шпильки пере 1мещают в положение, обеспечивающее нормальное прижатие струн к этим ладам.Контактные элементы 3, насаженные наверхнюю шпильку 2, прижимают всеструны на Ч ладу, выполняя функциюкаподастра. Остальные контактныеэлементы 3 устанавливают по аккорднойсетке,Для использования устройства в качестве каподастра нижнюю шпильку 2Эустанавливают в крайнее нижнее положение, ее контактные...

Номер патента: 1502859

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Плицына, Старобинский, Шер

МПК: F01N 1/02, F02M 35/12

Метки: глушитель, шума

...например двигателей внутреннего сгорания.Цель изобретения - уменьшение габаритов глушителя.На чертеже представлена схема глу шителя шума с тремя резонаторами.Глушитель шума содержит по меньшей мере три резонатора п,и+1,п+2 с резонансными частотами, образующими геометрическую прогрессию ГЙ,4 )+ 5 и соединенные между собой при помощи труб, длины которых, например, между резонаторами п и и+1 с соседними резонансными частотами равны где С - скорость звука, м/с; ЙЕ- соседние резонансные частоты,Гц;25К - коэффициент изменения длинысоединительных труб, равный0,8-1,2., Любой резонатор, имеющий резонансную частоту, начиная, .например, с 30 третьей Г, по порядку возрастания, расположен между резонаторами и и и+1, т.е. между резонаторами с двумя...

Номер патента: 1499000

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Прасолов, Степаненко, Ткач, Шер

МПК: F16F 7/08

Метки: демпфирования, колебаний, ударе

...мере на две части 1 и 2, затем соединяют на некотором участке с натягом по боковым поверхностям 3 и 4 разрезанных частей 1 и 2 волновода и с зазором по торцовым поверхностям 5 и 6, затем продольно сдвигают одну часть волновода относительно другой. Кроме того, целесообразно обе части разрезанного волновода соединить посредством промежуточного элмента 7.При ударе ударный импульсраспространяется вдоль первой части 1 волново, да в виде продольной волны деформации, При подходе к соединительному участку продольная волна деформации переходит в сдвиговую волну деформации, через контактирующие поверхности 3 и 4 ударный импульс передается на вторую часть 2 волновода, где сдвиговый импульс переходит в продольный.При переходе волны деформации...

Номер патента: 1493236

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Гаврилов, Романцева, Славянский, Суханова, Федорова, Шер

МПК: A23L 3/34, C13F 3/00

Метки: жидкого, сахара, хранения

...Чаыки с посевами на плесневые грибы выдерживали в термостате в течение 7 сут.Результаты представлены в таблице.По сравнению с известным предлагаемый способ позволяет уменьшить количество микроорганизмов в хранимом жидком сахаре.П р и м е р 2. Способ осуцествлялся, как в примере 1.Жидкий сахар разливали в конические стерильные колбы. На поверхностьжидкого сахара пипеткой наносили тонкий слой насыщенного раствора Иа э НТФиз расчета 75 см/м . Жидкий сахархранился ири комнатной температуре втечение 7 мес. Пробы отобраны через1;3;5;7 мес хранения, Количественныйучет микроорганизмов проводился методом посева на питательные среды,Из разведения 1:10,пипеткой засевали по 1 мл сахара по 5 чашек Петрина каждый вид среды. Чашки Петри оставляли в...

Номер патента: 1442917

Опубликовано: 07.12.1988

Авторы: Калинин, Соколов, Шер

МПК: G01N 33/48

Метки: коллагенов, пептиды, разделения, электрофоретического

...18 ч при18-22 С, либо 3 ч при 37 С, Раствор бромциана удаляют высушиваниемв вакуумном шкафу в течение 3 ч прикомнатной температуре. Добавляют по30 мкм 10 -ного метанола и высушива.ют повторно в том же режиме. Добавляют по 50 мкл буфера для образцов, выдерживают 10 мин, Помещаюткусочки в лунки геля второго направления, подвергают электрофорезу.После электрофореза гели второгонаправления окрашивают либо кумасси,55либо серебром.П р и м е р 2. Способ разделенияпептидов немеченных коллагенов,Начало осуществления способа какв примере 1. Гели окрашивают 15 минв 27-ной уксусной кислоте либо всмеси этанол:НО;уксусная кислота5:5:1 и промывают в воде 10 мин.Вырезание кусочков гелей и их размеры как в примере 1. Кусочки гелейвысушивают в...