Патенты с меткой «микросхемах»

Номер патента: 1108373

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Мамонов, Прокопов

МПК: G01R 31/3177

Метки: логики, логических, микросхемах, пробник, проверки, устройств, эмиттерно-связанной

...- ды второго 6 и третьего 7 компараторов соединены с выходом б гока 2 за - щиты через соотве 1 ствующие пиковькПосле подачи на шины 22 и 21 напряжения питания, источник 20 опорных напряжений Формирует напряжения Б , Б , Б , Б, . Величины опорных напряжении выбраны такими, чтобы компараторы 5 и 6 определяли зону допустимых значений логического "0", а компараторы 7 и 8 - зону допустимых значений логической "1".Пусть в исходном состоянии вход 1 соединен с контролируемой точкой, напряжение в которой больше уровня логи еского "0", но меньше уровня логической "1", т.е. на входе проб- ника промежуточный логический уровень. При этом на выходах компараторов 5-8 уровни логического "0",55 детекторы 3 и 4, выходы первого 5 и второго 6 компараторов...

Номер патента: 1173448

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Ашман, Почекуева, Сальников

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, микросхемах, оперативное, памяти

...источник 4 питания исправен, то диод б открыт и все устройство питается от указанного истач-З 5 ника, Сигнал ПН "Питание неисправно" на выходе Формирователя имеет.низкий уровень ."0" ). До прихода активного синхроимпульса СИА на соот. - . ветствующем входе устройства также существует низкий уровень О" и триггер 3 установлен в состояние "1" при этом с его выхода сигнал Е ("Запретя ) высокого уровня ("1" ) открывает элемент И 2, через который сигнал СЯ (" Выбор кристалла" ) проходит на соответствующие входы микросхем(Фиг.1 и 3 ).При отключении источника 4 напряжение на его выходе ) ьд падает и диод б запирается, в этом случае питание микросхем 1 памяти, необходимое для обеспечения хранения занесенной в эти микросхемы информации, а...

Номер патента: 1347096

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Ищенко, Селигей, Синисоо, Тверитин, Федоренко

МПК: G11C 5/00

Метки: данных, запоминающих, излучением, микросхемах, перепрограммируемых, постоянных, стирания, ультрафиолетовым, устройств

...тока напряжением 220 В +102 с частотой 50 Гц.Элементы электрической схемы обеспе" чивают свечение лампы 3, создающей 40 поток ультрафиолетового излучения длиной волны 1 4 400 нм, направленный Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано дйя стирания данных в микросхемах перепрограммируемых постоянньг. запоминающих устройств (ППЗУ).Цель изобретения - повышение плотности размещения элементов в устройстве.На фиг; 1 и 2 представлено устройство стирания ППЗУ.Устройство содержит плату 1, кронштейны 2 с патронами, в которые установлена лампа-источник 3 ультрафиолетового излучения, выдвижную кассету 4 для установки микросхем 5 входными окнами 6 к лампе 3, кожух 7, блок 8 кассет с выступами 9 для фиксации...

Номер патента: 1508198

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Куванов, Кузнецов

МПК: G06C 5/02

Метки: данных, запоминающих, излучением, микросхемах, перепрограммируемых, постоянных, стирания, ультрафиолетовым, устройств

...100, Отражающая поверхностьФормула Устройство стирания ультрафиолетовым излучением данных в микросхемах перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, содержащее корпус с крьппкой, источник УФ-излучениями рефлектор и промежуточную пластину, отличающееся тем, что, с целью повьппения надежности и упрощения устройства, в нижней части корпуса размещены направляющие параллельно одна друтсой на расстоянии, заданном геометрическими размерами расположенной на них платы, с подлежащими стиранию микросхемами, в боковой стене корпуса выполнено щелевое отверстие для ввода платы в направляю щие, источник УФ-излучения и рефлектор закреплены параллельно плоскости платы, над которой размещена сменная промежуточная пластина с окнами,...

Номер патента: 1463059

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Белов, Бритвин, Ваганов

МПК: H01L 21/28

Метки: выполнения, интегральных, межсоединений, микросхемах, элементов

СПОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ, включающий выполнение на кристаллах в первом слое металлизации дорожек, соединяющих элементы с контактными площадками для контроля, контроль элементов и выполнение второго слоя металлизации с помощью фотошаблонов с контактными площадками для межсоединений, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, контактные площадки для контроля элементов одинакового функционального назначения выполняют в отдельных минимально возможных по площади участках поверхности кристалла, после контроля элементов разрушают металлизированные дорожки, связывающие контактные площадки для контроля с бракованными элементами, а контактные площадки второго слоя металлизации формируют нанесением...