G01R 33/035 — с помощью приборов со сверхпроводимостью

Номер патента: 257601

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Клюкин, Фабриков, Хромов

МПК: G01R 33/035

Метки: интерферометр, сверхпроводящих, токов

...которая совмещена со сверхпроводящим элементом.Благодаря совмещению сверхпроводящего элемента и магнитной пленки, нарушающей сверхпроводимость по заданному закону, число сверхпроводящих полос можно довести до 10, что повышает чувствительность устройства.На чертеже дана схема предлаГасмоГО ннтерферометра сверхпроводящих токов.На подложке 1 расположена магнитная пленка 2 с полосовой дохтенной структурой толщиной 1 - 0,5 лтклт, на которой находится пленка 3 из сверхпроводящего материала толщиной 0,5 лтклт, часть которой при окислении образует диэлектрический слой 4 толошиной 10 - 20 А. Сверху расположена вторая пленка 5 сверхпроводящего материала толщиной 0,5 лилг. К пленкам 3 и Ю подсоединены ВЫВОДЫ 6, 7.Интерферометр работает...

Номер патента: 386352

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G01R 33/02, G01R 33/035

Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля

...Датчик представляет собой образец, вырезанный из монокристалла бериллия в базисной плоскости и находящийся в ванне из жидкого гелия или водорода. Он помещен в измеряемое (или стабилизируемое) магнитное поле Н так, что его гексагональная ось Се параллельна направлению поля, а измерительный ток У через образец перпендикулярен полю. Напряжение Е, снимаемое с датчика, про порционально его сопротивлению и измеряется обычным потенциометром, например типа Р 308.Магнитное поле при помощи такого датчика измеряют следующим образом. В некото ром, сравнительно небольшом поле Но, осуществляется привязка градуировки, далее прои увеличении магнитного поля измеряется изменение фазы Р осциллирующей части сопротивления. Значение измеряемого магнит ного...

Номер патента: 392430

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Рабухин

МПК: G01R 33/035

Метки: криотрон

...При этом происходит измерениемгновенного значения напряженности магнит 15 ного поля, и устройство возвращается в исходное состояние. П мет изобретения 20 Криотрон, управляющие что, с целью рения мгнове магнитного п25 его управляю проводящими Известен криотрон, содержащий управляемый и управляющие электроды. Однако он имеет ограниченные функциональные возможности.Цель изобретения - расширить функциональные возможности криотрона, а именно обеспечить возможность измерения мгновенных значений напряженности магнитного поля и слабых электрических сигналов,Это достигается тем, что в предложенном криотроне управляющие электроды разделены сверхпроводящими экранами.На чертеже показан криотрон, например проволочный.На управляющий электрод,...

Номер патента: 361452

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Московский

МПК: G01N 27/72, G01R 33/035

Метки: магнитометр

...катушке которого крепится кварцевый подвес 3. Нижняя часть подвеса 4 является держателем образца - это монокристалл кварца с компенсирующей катушкой 5. В эбонитовый каркас последней ввинчивается пестик 6 с приклеенным образ. цом до упора в торец кварца.Сигнал, пропорциональный разности магнитных моментов образца и компенсирующей катушки, улавливается двумя включессньви навстречу приемпьми катушками 7, которые жестко закреплены в канале сверхпроводящего соленоида 8. Возникающая в приемньх катушках э. д. с. частотой 68 ги усиливается узкополосным усилителем и поступает на синронный детектор. Затем постоянная составляющая подается на вход следящей системы. Следящая система управляет выходным напряжением стабилизатора напряжения...

Номер патента: 980030

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Войтович, Королев, Сосницкий

МПК: G01R 33/035

Метки: базой, градиентометр, переменной

...индуктивности второго сверхпроводящего квантового40интерференционного детектора.На чертеже представлена схема градиентометра с переменной базой.Градиентометр с переменной базой содержит сверхпроводяший квантовый интерференционный детектор (СКВИД) 1, сверх 45проводящий квантовый интерференционныйдетектор (СКВИД) 2, усилители 3 -5,фазовый детектор 6, элемент 7 фиксации,компаратор 8, приемные катушки 9 и 10,первый резистор 11, переменный резистор 12, резисторы 13 - 16, внешние катушки 17 - 21 индуктивности СКВИДов,интегратор 22, генератор 23 тока,склоне характеристики,При достижении током питания критического значения на интерферометре скачком появляется напряжение, которое поступает на усилитель 4, Выходной импульс усилителя 4 первого...

Номер патента: 1216737

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Ардашев, Белокуров, Кострикова, Маляев, Монич, Селиванов

МПК: G01R 33/035

Метки: детектор, магнито-заряженных, магнитометрический, позиционно-чувствительный, поиска, частиц

...с нимисверхпровадящими приемными контура ми 7,7-1,7-2, Для подавления фоновых сигналов или улучшения пространственного разрешения магнитометриче( кого датчика каждыи из прием ных конг,ров 7-1,7-. мет быть разбит на несколько связанных с одним СКВИДам контуров меньших разме. - ров оСверхправодящие приемные контуры 7-1,7- 2,7-3,7-Р имеют прямоугольную форму и размещены рядами так, что каждый ряд лежит в одной плоскости и продольные оси контуров ряда взаимно параллельны; матрица 5 содержит два или более таких рядов, расположенных один под другим, причем проекции продольных осей контурав 7 - 1,7-2,7-3,7-Р, лежащих в одном из рядов матрицы 5 на плоскость второго ряда, перпендикулярны продольным осям контуров, лежащих вовтором...

Номер патента: 1281010

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Бахтин, Дорошенко, Масалов, Тункин

МПК: G01R 33/035

Метки: сверхпроводниковый, флюксметр

...9.Устройство работает следующим об 55разом.Измеряемйй магнитный поток и, какследствие, выходной сигнал двухконтактного сверхпроводящего квантового ингерфероетр 9 и 1 су 1 иру тся;инитным потоком ив 1 Одимык кГуко обратной связи при протекаиии через нее синусоидального тока через разделительный конденсатор 6 от генератора 8. Сигнал с двухконтактнаго сверхпроводящего квантового интерферометра 9 поступает на усилитель 2 переменного тока, а затем - на первый вход синхронного детектора 3, опорной частотой которого служит сигнал генератора, 8. Выходные сигналы Ч, и Ч (фиг. 2), получаемые при Ф=Ф, и Ф=Ф, изменяются с частотой модуляции и находятся по отношению друг к другу в противафаэах. Напротив, при Ф=Ф, выходной сигнал...

Номер патента: 1404993

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Алексеев, Силантьев

МПК: G01R 33/035

Метки: индукции, магнитного, поля

...даст только одна компонента магнитного поля Н = Н +3(р К)Е(1)еа о К КИз уравнения (1) видно, что величина Не зависит от всех компонентвектора р, следовательно, и магнитныйпоток, пронизывающий приемный контур,также зависит от всех компонент момента р,Индукция поля, таким образом, описывается следующий выражением: й КВ =м (Н+гог -"д) К=г -г (2)Кз х ф где г, - радиус-вектор точки наблюдения, проведенный из началасистемы координат;- г - радиус-вектор центра шара,проведенный из начала системы координат.Проинтегрировав выражение (2) по контуру приемного контура, можно получить выражение для магнитного потока через контур еДля измерения поля предлагаемым способом необходимо зафиксировать положение тела относительно приемного контура не...

Номер патента: 1597808

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Журавлев, Матлашов

МПК: G01R 33/035

Метки: градиометрический, датчик

...провода, закрепленных в нижней части держателя. Катушка 2 состоит из 2 Х витков закрепленных на держателе в средней части. Катушка 3 закреплена на держателе в верхней части и содержит такое же количество витков, как и катушка 1. Направление намотки катушки 2 противоположно направлению намотки катушек 1 и 3. Расстояние между центрами катушек 1 и 2 является базовым и равно расстоянию между центрами катушек 2 и 3. Закрепление провода может осуществляться с помощью Ч-образной резьбовой канавки, нанесенной по всей поверхности графитового держателя. Дополнительное закрепление может производиться в местах переходов подводящих проводов в витки с помощью муфты, образованной застывшей каплей нитроцеллюлозного клея. Подводящие провода...

Номер патента: 1624376

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Горбач, Козлов, Куликов

МПК: G01R 33/035

Метки: биомагнитных, измерений, магнитоградиентометр, сверхпроводниковый

...блока регистрации и управляемого резистивногоделителя 13 напряжений, а также сброс интегратора 21 блока 8 для установки нулевогосигнала на выходе магнитоградиентометраи (в простейшем случае) может быть выполнен в виде набора коммутирующих элементов (переключателей), подключенных кисточнику напряжения для формированияна своих вьходах сигналов определенногоуровня,Магнитоградиентометр работает следующим образом,Приемный градиентометрический контур располагают вблизи биомагнитного объекта. Изменяющееся магнитное полебиомагнитного обьекта воспринимаетсякрайним витком 2 градиентометрическогоконтура и преобразуется квантовым интерферометром 6 в напряжение, которое поступает с блока 8 съема сигнала на блок 11регистрации. Требуемый...

Номер патента: 1387676

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Гитарц, Форганг

МПК: G01R 33/035

Метки: магнитного, потока

...медленно нарастающий сигнал Онр . Под воздействием сигнала Ор и выходного напряжения Ом второ-.го блока 10 опорного сигнала на соответствующие входы модулятора 2 начинается увеличение модулированного по амплитуде тока . (см. Фиг. 3,н), При этом форма сигнала модуляции Ом может быть гармонической либо логической (меандр), а глубина модуляции выбирается такой, чтобы размах огибающей токасоставлял 15207 абсолютной длины первого пологого учаетка ВАХ (см. Фиг. З,а и н).Иодуляция тока х приводит к появлению н эффективном напряжения шумов Оо на выходе детектора 13 шума переменной состанляющей Ош с.формой и частотой сигнала О. Если несущая тока 4- соответствует восходящим участкам шумовой характеристики (см.фиг.3,б), то сигналы Ош и Ом синфаэны,...

Номер патента: 1371234

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Гитарц, Форганг

МПК: G01R 33/035

Метки: квантового, магнитометра, настройки, сверхпроводящего

...магццтометра, Выходной сигнал делителя 14 частоты, сформированный из напряжения прямоугольной формы генератора 13 сигнала модуляции, меняет состояние логического блока 15 инверсии, В результате 10 этого осуществляется манипуляция фазы выходного напряжения блока 15 инверсии, и за период управляющего сигнала оно в первый полупериод сии фазно с напряжением генератора 13 15 сигнала модуляции, а но второй сдвинуто отосительно него по фазеОна угол 180 . Принцип действия устройства не изменяется, если иннерсия сигнала модуляции будет осуществляться н первый полупериод управляющего сигнала, а во второй выходные напряжения блока 15 инверсии и генерато ра 13 сигнала модуляции будут синфазцы а25Инверсия фазы сигнала модуляции в первый момент...

Номер патента: 1663587

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Гораздовский, Гостев, Гречинский, Гусев, Ломоносов, Рыгалин

МПК: G01R 33/035

Метки: градиентометр, качества, приповерхностного, слоя

...критическую температуру Тс85 К, Обмотка связи 18 и пленка 13 из ВТСП помещаются в сосуд 16 Дьюара с жидким азотом для поддеркания рабочей температуры около 77-80 К, Пленка из ВТСП запитывается постоянным током от генератора 2 высокостабильного тока, а переменный сигнал с пленки 13 через согласующий трансформатор 3 подается на резонансный усилитель 4 и после фазового детектирования в детекторе 5 поступает на интегратор,8, с выхода которого сигнал через усилитель 10 тока поступает на модулирующую обмотку 17, выполненную в виде витка провода, размещенного по периметру диэлектрической подложки 15, на которую нанесена пленкд 13.На модулирующую обмотку 17 также поступает сигнал от генератора 6 опорной частоты через делитель 9 частоты...

Номер патента: 1675789

Опубликовано: 07.09.1991

Автор: Фенстер

МПК: G01R 19/00, G01R 33/035

Метки: образцов, сверхпроводящих, характеристик

...счетного триггера 50 через элемент И 55 и элемент ИЛИ 58 поступают на счетный вход реверсивного счетчика 61 с частотой, вдвое меньшей, чем частота тактовых импульсов. Момент, когда счетчик 61 переходит в нуль, считают моментом определения критического тока, 3 этот момент из сигнала переноса счетчика 61 формирователем 64 формируется импульс, который пройдя элемент И 62 (необходимый для блокировки возможного переноса в режиме сложения), подается в качестве строба занесения кода счетчика формирователя 1 постоянного тока в регистр 17 (фиг. 4 о), Код из регистра 17 через мультиплексор 12 подается для записи в ОЗУ 15. Этим же сигналом триггер 52 устанавливается в "1" (фиг. 4 к) и разрешает прохождение заданного количества тактовых импульсов на...

Номер патента: 1675808

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Гораздовский, Гостев, Гречинский, Рыгалин

МПК: G01R 33/035

Метки: датчик, дефектом, магнитных, объекта, полей, рассеяния

...фильтра первого порядкаизвестного в теории обработки изображений как фильтр Собеля) приведена на фиг.2 в. При синфазном включении измерительных ОЬ;ток измерение магнитного поляосуществляется с фильтрацией, соответствуюгцей фильтру второго порядка (фильтр 15Лапласа), матрица коэффициентов которогоприведена на фиг. 2 г,Датчик работает следуюьцим образом.Над границами прижоговых пятен намагниченной детали возникает градиент напряженности магнитного поля Нх (фиг, За).При сканировании датчика 1 (фиг, 1),осуществляемом по координатам Х и У по поверхности детали с помощью блока 7сканирования, в измерительных катушках 2 25и 3 датчика 1 наводятся сигналы при пересечении аномальных областей магнитногополя, обусловленных прижоговыми...

Номер патента: 1675809

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Венгалис, Лауринавичюс, Янкаускас

МПК: G01R 33/035

Метки: бесконтактного, магнитных, образцов, параметров, переходе, сверхпроводящих, фазовом, электрических

...диэлектрической пластины 13,Для описанной последовательно цепи 1 Сй полное ее сопротивлениеЖ Я сь Х(. - Хс),где Хь:-э а(;О 20 зывает изменение магнитной восприимчивости сверхпроводника при фазовом переходе. 30 35 40 50 5 Хс = 1/ ГХС - реактивные сопротивления контура,при резонансе максимально, а ток в цепи и (-(ап(ряжение на реактивных элементах - максимальны. Максимальный ток цепи, напряжение на конденсаторе Ос в последовательном контуре, если вносимое развязывающим трансформатором 6 сопротивление мало, ограничивать сопротивление потерь контура, Изменение напряжения на конденсаторе 7 в условиях фазового перехода определяется потерями измеряемого обьекта(катушки 3 индуктивности с исследуемым сверхпроводящим образцом 14), а изменение...

Номер патента: 1684759

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Алексеев, Силантьев

МПК: G01R 33/035

Метки: магнитного, потока

...2 и катушками 4 и 5 установлены сверхпроводящая трубка 6и намагничивающий соленоид 7. Криостат залитжидким гелием 8. Приемная катушка 4 соединена посредством,СКВИДа 9 с электронным блоком 10,а намагничивающая . катушка 5 соединена с генератором переменного тока 2511.Устройство работает следующим образом.Криостат 1 заполняют жидким гелием 8. 30Перел измерениями определяют амплитуду создаваемого намагничивающей ка", тушкой магнитного потока. Для этогос генератора переменного тока 11на намагничивакщую катушку 5 подаютпеременнь.й ток. Намагничивающаякатушка 5 создает однородное переменное магнитное поле, которое наводитток в переменной катушке и тем самым создает сигнал в СКВИДе. По амплитуде создаваемого сигнала и поизвестной...

Номер патента: 1711102

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Демин, Иванов, Морозовский, Немошкаленко, Никитин, Павлюк, Погорелов

МПК: G01R 19/08, G01R 33/035

Метки: критической, плотности, сверхпроводниках

...сверхпроводящего тела М, которая описывается линией ОАВ на фиг 1 при возрастании напряженности внешнего поля и линией ВСЭ при спадании. На участке ВС зависимость линейная, протяженность участка ВС характеризует критическую плотность тока, 1 к Н 6-НВ предлагаемом способе изменение напряженности магнитного поля обеспечивают изменяя расстояние между магнитом и сверхпроводящим телом. В таком случае критическую плотность тока определяют из соотношения3 = А - (Х - Хс), (2)В20 ВеличинУ (Х б - Хс) = Ь Х находЯт измеряя силу взаимодействия магнита и сверхпроводящего тела., Она зависит от намагниченности и при разведении ца участке ВС, где изменение 1 пропорциоцальцо изменению Н, также изменяется линейно с изменением расстояния:Р - Р...

Номер патента: 1714544

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Демин, Иванов, Немошкаленко, Никитин, Павлюк, Погорелов

МПК: G01R 33/035

Метки: градиента, компонент, магнитного, поля, тензора

...в направлении колебаний определяются из выражения для свободной энергии сверхпроводника при его смещении в неоднородном магнитном полеЕ (Х) = Н -(уу) + 4 7 г Мо 2 )х-хбХ" (Х Хо) +сопзс,где (Х - Хо) - смещение из положения равновесия;Мо - намагниченность в точке Хо, и при сферической форме сверхпроводящего зонда имеют вид для диагональных ком- понент б Нх бХб Ну бУ б 2 ля недиагональных компонен 1 )Нг РНУ210 15 20 25 30 35 40 45 50 55 их, А(, юе, Фу и ю частоты колебаний в направлениях Х, У, Е и по биссектрисам между осями Х, У и,2.При измерениях закономерностей изменения градиента напряженности магнитного поля во времени должно соблюдаться условие о НбсТаким образом, именно возможность сообщения свободных колебаний сверхпроводящему...

Номер патента: 1772773

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Виленчиц, Ждановский, Умрейко

МПК: G01R 33/035

Метки: высокотемпературного, датчика, магнитометра, охлаждения, сквид

...180), Для удобства монтажа и замены кольцевого датчика б желательно изготовить вихревые трубы 1 (вместе с вводами 2 и диффузорами 3) и диски 4 разбор- ными, состоящими из двух симметричных половинок, сопрякение которых происходит в плоскости замкнутой кривой. На фиг,2 показана плоскость сопрякения, которая совпадает с радиальным каналом 8. Температура кольцевого датчика 6 определяется оптическими методами, для этого измерительная аппаратура содержит излучатель 12 и детектор 13 оптического излучения, которые установлены с противоположных сторон вихревой трубы 1 в зоне зазора 7 между диффузором 3 и диском 4.Для надежного функционирования устройства необходимо изготавливать вихревые трубы 1, сопловые вводы 2 и диффузоры 3 из немагнитного...

Номер патента: 1780066

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Иванов, Кордюк, Морозовский, Немошкаленко, Никитин, Погорелов, Рафаловский

МПК: G01R 33/035

Метки: градиента, изменения, магнитного, поля

...сущность изобретения заключается в там, что высокотемпературныесверхпроводники (ВТСП) являются сверхпроводниками И рода и ниже температурысвсрхпроводящего перехода в магнитномполе Н Нк 1(Нк 1 - первое критическоеполе) магнитное поле проникает в ВТСП,образуя магцитную вихревую решетку, которая закрепляется на центрах пининга (дефектах и нарушениях кристаллическойрешетки). Когда сила Г, необходимая длясрыва вихрей, Ргпц (п 1 - масса ВТСП), таВТСП и данной точке зависает над источником магнитного поля. С другой стороны принебольших смещениях ВТСП происходитупругое деформирование вихревой решетки с сохранением магнитной индукции В = сопз 1. Это адекватно появлению вВТСП упругого элемента, который и задаетсобственные частоты свободных...

Номер патента: 1443598

Опубликовано: 07.06.1993

Автор: Самарский

МПК: G01R 33/035

Метки: балансировки, градиентометра, сверхпроводящего

...антенны по известной методике, Производится предварительное определение диаметра балапсировочного элемента 5, выпол ненного, например, в виде сверхпроводящего диска, размеры которого выбираются с учетом его критического поля, Изготавливается соответствующий диск, например, иэ свинцовой Фольги и крепится, например, с помощью клея на держатель 3, который затем посредством тяги б устанавливается в посадочное место, например гнездо, выполненное в корпусе градиентометра, и вблизи приемного витка 2, где уцерживается пружиной 4 инаправляющими и опорной плоскостями 5корпуса 1. Затеи определяется астатизм, измененный балансировочным элементом 5, исходя из которого принимается рещение об изменении размерабалансировочного элемента с целью 1...

Номер патента: 900699

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Бондаренко, Самарский

МПК: G01R 33/035

Метки: градиентометра, магнитного, сверхпроводникового, симметризации

...1 показана конструкция симмет ризатора; на фиг. 2 - электрическая схема его включения в цепь симметрируемого дат чика,Симметризатор содержит(фиг. 1) крыш ки 1 и 2, корпус 3, тяги 4 и 5, концевик 6 втулки 7 и 8, подложки с нанесенными на них миниградиентометрами 9, 10, 11, сим метрирующие элементы 12 и 13, держатели 14 и 15, трубку 16. Магнитоградиентометри ческий датчик 17 показан на фиг. 2,Симметризатор работает следующим образом.При вращении тяг 4 и 5, выполненных в виде винтов и фиксированных от продольных перемещений крышками 1 и 2, жестко связанных с корпусом 3, происходит перемещение по направляющим корпуса втулок 7 и 8, фиксированных от поворотов вокруг своей оси выходящим из них держателями 14 и 15, на которых закреплены плоские...

Номер патента: 1701034

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Кривецкий

МПК: G01R 33/035

Метки: квантовый, магнитометр

...нагружен предварительныйусилитель 2, имеет полосу пропуска-.ния, равную полосе исследуемого сиг-нала П и центральную частотуЭГ = Р + -Р-Пс/2 .(1)Р о 1Наличие полосового Фильтра позволяет не менее, чем в 6 раз уменьшить 25полосу пропускания ВЧ-тракта и востолько же раз увеличить отношениесигнал/шум по мощности в сравнении спрототипом, Для исключения из трактапрохождения сигнала АИ детектора, ко- ЗОторый приводит к появлению искаженийсигнала и дополнительных шумов, иобеспечения возможности осуществления однократного детектирования однополосного сигнала, выделенного полосовым Фильтром 3, в схему магнйтометра введен синтезатор частот Р и Раэсинхронизованный с генератором высокой частоты Р , Тогда на синхронныйдетектор 5 в качестве...

Номер патента: 1827026

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Белянин, Буев, Григорьев, Кожинов, Максимов

МПК: G01N 27/72, G01R 33/035

Метки: высокотемпературного, качества, сверхпроводника

...свободно пройдет в зазор между полюсами, а балансир займет вертикальное положение. Если образец содержит СП-вещество, то он в силу диамагнитнага выталкивания не войдет в зазор между полюсами магнитной системы, а зависнет перед ним, как показано на фиг,2, При этом верхний конец балансира 9 окажется полностью смещенным от вертикального положения в направлении против часовой стрелки, Затем с помощью маховика 7 рычаг с магнитной системой медленно поворачивают рукой в направлении против часовой стрелки, При этом из-за отталкивания образца балансир 9 будет также поворачиваться, оставаясь впереди рычага 5. Момент силы вращения будет возрастать до тех пор, пока не сравняется с моментом силы диамагнитного отталкивания, При этом образец...

Номер патента: 1827653

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Васютин, Головашкин, Кузьмичев, Левченко, Мотулевич, Славкин

МПК: G01R 33/035

Метки: датчик, магнитного, поля

...встречного включения двух равных катушек 2 и 3 сигнала на выходе не будет.Когда внешнего постоянного магнитного поля Н, нет, на измерительных катушках 2 и 3 наводится сигнал 8 (т), который будет иметь в своем составе только нечетные гармоники8 2 п+1(т), (п=0, 1, 2,).При помещении датчика магнитного поля 6 (в состав датчика входят элементы позиций 1-4 фиг.1) во внешнее постоянное магнитное поле Н в сигнале я (т) появятся четные гармоники 82 П, амплитуды которых растут с ростом поля, а затем уменьшаются.На фиг.З для примера показана зависимость амплитуды 2-й гармоники я 2 от внешнего постоянного магнитного поля Н. Амплитуды ЭДС нечетных гармоник 82+1, наоборот, с ростом поля падают, Чем выше номер гармоники, тем рост (падение) для...

Номер патента: 2003129

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Епанчинцев, Колесников

МПК: G01R 33/035, G01R 33/12

Метки: высокотемпературной, керамики, сверхпроводящей, электросопротивления

...реализации предлагаемого способа поясняют фиг, 2, 3 где 1 - образец из ВТСП керамики, 2 - переходный контактный слой, например, покрытие из золота, 3 - припой, например, из сплава свинец-олово. 4 - проволочный токоподвод, На фиг. 3 показана воэможность реализации предлагаемого способа на образце ВТСП керамики большой к до 10 мм/ толщины.Образец изготовляют следующим образом. В нем выполняют, например, сверлят сквозные отверстия конического или иного профиля, на боковые поверхности который наносят, например, напыляют переходныйконтактный слой из золота или другого металла, в каждое отверстие в образце вводят проволочный токоподвод, который припаивают к переходному контактному слою, так, что припой заполняет отверстие с...

Номер патента: 2003130

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Ланге, Липовка

МПК: G01R 33/035

Метки: вч-сквид, высокотемпературной, керамики, объемный, сверхпроводящей

...сверхпроводящей керамики.Целью настоящего изобретения является повышение надежности и чувствительности к внешнему магнитному полю ВЧ ВТСП сквидов.Указанная цель достигается тем, что объемный ВЧ сквид из.ВТСП, имеющий контур квантования со слабым звеном, выполнен в виде открытого с одной стороны полого тела вращениянапример, параболоида, конуса, стакана, разрезанного с одной стороны узкой щелью до вершины, а контур квантования образован иэ отверстия, находящегося на вершине полого тела вращения, части щели и слабого звена, сформированного в виде перемычки, расположенной в узкой щели.Предлагаемое решение соответствует критерию "существенные отличия", так как благодаря новой совокупности признаков ВЧ сквид из ВТСП...

Номер патента: 1725642

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Блинов, Власенко

МПК: G01R 33/035

Метки: датчик, магнитного, поля

...тем, что, с целью Составитель О, РаевскаяТехред М, Моргентал Корректор С, Лисина Редактор Е. Харина Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул Гглр.1:; 1 р 1Заказ 3472 Изобретение относится к магнитным измерениям,и может быть использовано для локальных измерений слабых магнитных полей, в частности в криогенных системах, а также в качестве нуль-индикатора,Цель изобретения - повышение чувствительности.На чертеже представлена схема устройства, где 1 - немагнитная матрица, 2 - частицы высокотемпературного сверхпроводящего материала (ВТСП), 3 - катушка ВЧ-генератора.Датчик Магнитного поля содержит рабочий элемент на основе ВТСП материала...

Номер патента: 2005309

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Берг, Голиков

МПК: G01R 33/035, H01L 39/22

Метки: датчик, магнитного, поля, пороговый

...достижение положительного эффекта, а именно упрощение конструкции, не были выявлены, и потому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию "существенные отличия",Пример реализации предложенного порогового датчика магнитного поля схематично изображен на чертеже.Пороговый датчик магнитного поля состоит из подложки 1, на которую последовательно нанесены, например, напылением, первый слой 2 сверхпроводника, разделительный слой 3 изолятора и второй слой 4 сверхпроводника, Толщина разделительного слоя 3 периодически изменяется вдоль координаты Х в плоскости этого слоя 3, что достигается, например, применением соответствующей штриховой маски при напылении изолятора. Слои 2, 3, 4 образуют контакт Джозефсона,...