Способ создания диэлектрической изоляции
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ, включающий формирование пористого кремния электролитическим анодированием в плавиковой кислоте, окисление пористого кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества диэлектрической изоляции за счет снижения величины встроенного заряда, пористый кремний формируют толщиной, не менее чем на 100 нм большей необходимой толщины изоляции, а окисление пористого кремния проводят в парах воды при давлении (5 - 15) 105 Па и температуре 750 - 950oС.
Описание
Целью изобретения является повышение качества диэлектрической изоляции за счет снижения плотности встроенного заряда.
П р и м е р 1. На подложках КДБ-10(111) электролитическим анодированием в плавиковой кислоте создают слой пористого кремния толщиной 1,3 мкм. Образцы окисляют при температуре 200оС в течение 10 мин. Затем образцы выдерживают 1 мин в 5% -ном растворе плавиковой кислоты и промывают в деионизированной воде. Далее образцы окисляют в течение 20 мин при температуре 900оС и давлении паров воды 5


П р и м е р 2. Слой пористого кремния толщиной 1,3 мкм, создают на подложках КДБ-10 (100). Термоокисление проводят в течение 20 мин при температуре 900оС и давлении паров воды 10





П р и м е р 3. Создают пленку пористого кремния толщиной 2,0 мкм на подложках КДБ-10 (100). Окисление проводят при температуре 950оС и давлении паров воды 1,5




П р и м е р 4. Создают слой пористого кремния толщиной 0,8 мкм на подложках КДБ-10 (100). Окисление проводят при температуре 750оС и давлении паров воды 1,5


П р и м е р 5. Окисление пленок пористого кремния (ПК) проводят в интервале температур 850-950оС при давлении паров воды (5-15)

Из приведенных результатов следует, что уменьшение заряда в окисле наблюдается только в том случае, если условия окисления ПК не приводят к окислению пленки на всю глубину.
Выбранный температурный диапазон окисления определяется экспериментально. Снижение температуры ниже 750оС вызывает рост заряда в формируемом окисном слое. С другой стороны, при температурах выше 950оС окисление пористого кремния сопровождается процессами рекристаллизации и спекания, которые, как уже отмечалось, приводят к резкому снижению активирующего влияния слоя пористого кремния на формирование окисла. К тому же при высоких температурах скорость роста окисла над изолируемыми областями является недопустимо большой. Поэтому за верхний температурный предел была взята температура 950оС.
Выбранный диапазон давлений паров воды при окислении определяется тем, что при давлении, меньшем 5


Кроме того, создание окисной изоляции данным способом обеспечивает:
существенное снижение величины встроенного заряда в окисных слоях даже при их большой толщине;
практическое отсутствие выступа по периметру окисных заглубленных областей и неизменность геометрических размеров элементов;
снижение температуры обработки при сокращенном времени термообработки, что определяется существенным активирующим влиянием пористого кремния на кинетику термоокисления в этих условиях. (56) Боричев В. П. и др. Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем. М. : 1984, 4.1, с. 111-112.
Лабунов В. А. , Бондаренко В. П. , Борисенко В. Е. Пористый кремний в полупроводниковой электронике. - Зарубежная электронная техника, 1978, N 15, с. 31.
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к способам формирования диэлектрической изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества диэлектрической изоляции за счет снижения плотности встроенного заряда. В данном способе в областях будущей изоляции формируется пористый кремний электролитическим анодированием в плавиковой кислоте. Анодирование проводится на толщину, не менее чем 100 нм большую необходимой толщины изоляции. Последующее окисление пористого кремния проводят в парах воды при давлении (5-15)

Рисунки
Заявка
4235593/25, 24.04.1987
Мороз Г. К, Урицкий В. Я
МПК / Метки
МПК: H01L 21/76
Метки: диэлектрической, изоляции, создания
Опубликовано: 15.02.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1568817-sposob-sozdaniya-diehlektricheskojj-izolyacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания диэлектрической изоляции</a>
Предыдущий патент: Способ измерения распределения освещенности и устройство для его осуществления
Следующий патент: Устройство для отжига кристаллов
Случайный патент: Летковая кормушка для пчел