Патенты с меткой «гибридная»

Номер патента: 344564

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кожеуров, Кочетыгов, Курин, Холопов

МПК: H03H 7/30

Метки: гибридная, искусственная, линия, параметрами, сосредоточенными, формирующая

...длительности сигнала применяют различные типы фазовращающих и задерживающих устройств, Так, широкое применение получили задерживающие устройства с применением магнитной записи, на электроннолучевых трубках с накоплением зарядов, электромехацических линиях, электромагнитных линиях, электронных схемах, Известные искусственные линии с распределенными и сосредоточенными параметрами основаны на электромагнитных процессах, протекающих в элементах цндуктивности и емкости. Используемые в них элементы индуктивцости в виде катушек представляют собой сложные конструкции, имеющие сравнительно большие размеры и вес ц характеризующиеся невозможцостью использования иидуктивности больших величин в миниатюрном исполнении.Цель изобретения заключается в...

Номер патента: 750159

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Костогрыз, Цапенко

МПК: F16C 17/02

Метки: гибридная, опора, скольжения

...винта 16 с коническим хвостовиком 17, установленного в центре оси 2 со стороны торца. Конический хвостовик 17 регулировочного винта 16 взаимодействует с коническими роликами 6.Работает опора следующим образом. 159Смазываюшая среда (жидкая или газообразная) под избыточным давлением от источника питания через центральное отверстие 8 и радиальные отверстия 9 подается в канавки 10, образовывая в зазс- ре 7 гидростатические несущие зоны. При вращении наружной обоймы. находящаяся под избыточным давлением смазывающая среда из гидростатических несущих зон увлекается за счет сил гидро- или газо- динамического трения в окружном направлении, и в зоне конфузорных участков зазора создается давление смазывающей среды на порядок, выше, чем в...

Номер патента: 989764

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Егоров, Яковлев

МПК: H05K 3/30

Метки: гибридная, интегральная, свч-устройства, схема

...его с ТКЛР керамических или ферритовых подложек. Использование в качестве среднего слоя пластины ковара или молибдена объ 40 ясняется следующим образом. ТКЛР керамических (керамика А, поликор) и ферритовых (ферриты СВЧ-диапазона) подложек колеблется в иньтервале 6-9,5 х 10 6 С упри 20-100 С, ТКЛР молибдена меньше ТКЛР ковара.45 Поэтому, выбирая в качестве среднего слоя компенсирующей пластины молибден или ковар и регулируя толщину плакирующих слоев меди в интервале 50-200 мкм, можно создать компенсирующие триметаллические пластины с ТКЛР, изменяющимся в диапазоне 6-9,5 х 10 С ". Так, ТКЛР о триметаллической пластины, йзготовленной из молибдена толщиной 0,6 мм, плакированного слоями меди толщиной0,2, мм, равен 6,0 х 10 6 С ", а ТКЛР 0....

Номер патента: 1426858

Опубликовано: 30.09.1988

Автор: Тигунцев

МПК: B60K 9/04

Метки: гибридная, средства, тигунцева, трансмиссия, транспортного

...28. В зависимости от знака разнос ги напряженийусилитель 34 запускает двигатель 22в прямом или обратном напряжении,который через редуктор 24 вращает .винтовую ось 11 и перемещает с помощью связи 30 движок реостата 28.Вращение .оси 11 вызывает перемещение гайки 10 и связи 9, а значит ироликов 8 вдоль образующих коничес1426858матизация управления гибриДного маховичного силового агрегата при пере 3даче вращающего момента от двигателя к колесам, от колес к маховику,5от двигателя к маховику, от маховикак колесам. 45 ких барабанов 3 и 5, обеспечивая автоматическое изменение передаточного отношения в передаче двигатель колесо и разгон ТС. При отключенной муфте 18 конусный барабан 12 вращается свободно от цилиндрических роликов 13,...

Номер патента: 1040983

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Базжин, Фридман

МПК: H01L 23/02

Метки: гибридная, интегральная, микросхема

...а элементы межслойной коммутации выполнены в виДе слоевприпоя, расположенных на контактных площадках. рическое основание, слои пассивныхэлементов, разделяющие их слои диэлектрика, элементы межслойной коммутации и навесные активные элементы.Недостатком известной конструкцииявляется низкая надежность схемЫ,обусловленная высокими значениями-температурных коэффициентов сопротивления (ТКС) и плохой временнойстабильностью пассивных элементов,а также нарушением элементов межслойной коммутации в виде молибденовыхстолбиков из-за коробления и усадкикерамических подложек в процессетермических операций,Цель изобретения - повышение надежности гибридных интегральных микросхем,Цель достигается тем, что в гибвключающей диэлектрическ ое осн ов ание,...

Номер патента: 1571628

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Буравлев, Евченко, Семенченко

МПК: G06J 1/00

Метки: вычислительная, гибридная

...дополнительные ключи, использоваться кодоуправляемые резисторы).Блок 9 передает полученный из ЦВМ код на управляющий вход блока 8 . Кроме того, для запуска работы аналоговой части системы или приведения ее в исходное состояние должна быть предусмотрена возможность вывода кода на управляющие входы одновременно всех блоков 8 .Изобретение может быть использовано в измерительных системах с предварительной обработкой измерительной информации аналоговыми решающими блоками. При работе ЭВМ в режиме реального времени аналоговые блоки могут выполнять трудоемкие, но не требующие высокой точности вычисления. Например, в летных транежерах аналоговая часть системы может моделиро 1571628вать динамику летательного аппарата.Для этого перед началом...

Номер патента: 1732821

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Карой, Ласло, Тибор, Ференц, Шандор

МПК: F23C 11/02

Метки: гибридная, псевдоожиженном, пыли, сжигания, слое, угля, угольной

...в псевдоожиженном слое, осуществляемом с большим избытком воздуха, может потребляться угольной пылью, вдуваемой через пылеугольнце у горелки со скоростью 15-25 м/с, при этом ее вторичный воздух подается в меньшем количестве и с более низкой скоростью или совсем не подается, гомогенное распределение температуры в топке комбинируется с обеспе 10 чивающими внутреннюю циркуляцию газаили пыли известными элементами.Относительно добавления базовыхдобавок для снижения,вредных для окружающей среды выбросов 802 могут приме няться обычные решения.В отличие от угля, используемого для части, служащей для сжигания угольной пы., ли, подаваемый для сжигания в псевдоожи 20 женном слое уголь может быть различным На фиг,1 приведена. схема вертикальной...

Номер патента: 1808148

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридная, интегральная, схема

...кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся планарные контакты 9, сверху устройство закрыто крышкой 10,АЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА изобретения: кристаллы схеы в застывшем расплаве эвсостава, Многослойная анесена над кристаллами по нологии, Металлическая подя шиной питания. 1 ил,В предлагаемои конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2, образуя монолитную структуру с безрельефной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации. что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой...

Номер патента: 1812580

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Долич, Иовдальский, Липатова

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, диапазонов, интегральная, крайневысокочастотного, сверхвысокочастотного, схема

...клея ЭЧЭ-С (ЫУ 0.028,052,ТУ). Посадочная площадка расположена в углублении 6 в подложке 1 и через металлизацию боковой поверхности 7 углубления 6 соединена с проводником технологического рисунка металлизации. Металлизация может представлять собой слоистую структуру, аналогичную приведенной выше, или другую, например химическую металлизацию никелем (или медью) с предварительным активированием поверхности растворами ЯпС 2 и РОС 2 с последующим наращиванием на химически осажденный слой металла гальванических слоев меди, никеля, золота.Устройства работает следующим образом,При подаче сигнала на навесной элемент 4 в одном направлении, например, па проводнику, топалогического рисунка металлизации 2 сигнал проходит к посадочной площадке 3 на...

Номер патента: 2004036

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Иовдальский

МПК: H01L 21/00, H05K 5/00

Метки: гибридная, интегральная, квч-схема, свчи

...р и м е р. Гибридная интегральная СВЧ-схема содержит твердую диэлектрическую плату 1, выполненную, например, из поликара толщиной 0,5 или 1 мм, имеющую топологический рисунок металлизации 2 на лицевой стороне и экранную заземляющую металлизацию 3 на обратной стороне, Структура металлиэации может быть, например, Т 1 толщиной, обеспечивающей сопротивление пленки (100.0 мсм ), - Ро (0,2 мкм) - Ац (3 мкм) или Сг(100 Омlсм ) - Сц напыленная (1 мкм) - Сц гальваническая (3 мкм) - Ю гальванический (0,6 мкм) -Ац тальваническое (3 мкм), Конденсатор 4, например, ТС 7,088.005-20 (ТС 0.707.001 ТУ) толщиной 0,15 мм расположен и закреплен электропроводящим связующим веществом, например припоем эвтектического состава Ац - Я или Ац - Ое или клеем...

Номер патента: 1230311

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Борисов, Грищинский, Гурфинкель

МПК: H01L 23/40

Метки: гибридная, интегральная, схема

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая керамическую подложку, имеющую систему контактов на лицевой поверхности, по крайней мере один полупроводниковый тепловыделяющий кристалл, присоединенный к контактам столбиковыми выводами и имеющий тепловую связь обратной стороны с радиатором посредством металлического теплоотвода, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения теплового сопротивления между кристаллом и радиатором, теплоотвод кристалла имеет П-образную форму с глубиной выемки, равной сумме высот кристалла и контактов подложки, присоединен основанием к подложке и внутренней поверхностью к обратной поверхности кристалла теплопроводным материалом, а теплоотвод, присоединенный к обратной поверхности подложки теплопроводным материалом, имеет...

Номер патента: 1667571

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Иовдальский, Темнов

МПК: H01L 23/10

Метки: гибридная, интегральная, схема

Гибридная интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и выемками, в которых с помощью связывающего вещества закреплены полупроводниковые кристаллы, причем поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площади кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения плотности монтажа, выемки в диэлектрической плате выполнены в виде углублений, глубина которых выбрана превышающей на 10 30 мкм толщину кристаллов, закрепленных на дне углублений, а зазоры между стенками каждого углубления и кристаллом выбраны равными 20 - 100 мкм.

Номер патента: 1694021

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Ануфриев, Иовдальский, Молдованов

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, интегральная, свч, схема

1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с рисунком металлизации на лицевой поверхности и по крайней мере с одной монтажной площадкой, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях платы, теплоотводящее основание, скрепленное с металлизацией обратной стороны платы, и бескорпусные электронные приборы, закрепленные связующим веществом на монтажной площадке и соединенные с рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения условий теплоотвода, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических параметров, монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой...