Способ неразрушающего контроля процесса диффузионного отжига полупроводников

(э 1) 5 01 т.21 66 СО 303 СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИКГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТПОЕВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕПТ СССР): ВТОРСКОМУ СВОДЕ(54) СПОСОБ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯПРОЦЕССА ДИФФУЗИОННОГО ОТЖИГА ПОЛУПРОВОДНИКОВ(57) Изобретение можно использовать в сверхпроводящих устройствах дпя порвеса подвижных элементов. Целью изобетения является повышениерадиальной жесткости подвеса 5 Аежду двумя согласно включенными сверхпроводящими катушкамиразмещен кольцевой сверхпроводниковый подвижный элемент. После запитки катушек током с по 2мощью нагревателя разрушают сверхпроводимость в арретированном подвижном элементе, а затем нагреватель выключают и разарретируют подвижный элемент. Сн,зависает между катушками Дпя придания ему значительной радиальной жесткости подвижный элемент дополнительно снабжен двумя короткозамкнутыми сверхпроводящими контурами, расположенными так что их плоскости перпендикулярны плоскости кольца подвижного элемента, а ось пересечения совпадает с осью системь, При смещении в радиальном направлении в этих конту- рах наводится ток что приводит к возникновению механической силы, возвращающей подвижные элементы в исходное состояние, 1 иа728593 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля диффузии примесей в полупроводники в процессе изготовления полупроводниковых приборов, 5Известен способ контроля диффузионного отжига, основанный на определении глубины диффузии примесей с помощью радиоактивных изотопов, В этом способе одновременно с диффузией примеси 10 диффундируют и радиоактивные изотопы. Глубину проникновения диффузионного фронта определяют путем последовательного снятия тонких слоев и измерения остаточной радиоактивности образца. 15Недостатком этого способа является 6 го непригодность для контроля непосредственно. в процессе диффузии примесей,Известен также способ неразрушающего контроля процесса диффузионного втжи га полупроводников, основанный на измерении изменения тока во времени в процессе диффузионного отжига при приложении постоянного напряжения между электродами, нанесенными на поверхность 25 исследуемого. образца. В этом способе ток проходит по образцу перпендикулярно диффузионному потоку, По скорости изменения во времени тока определяют коэффициент диффузии, по которому судят о процессе 30 диффузии во время диффузионного отжига.Недостатком эого способа является его недостоверность из-за отсутствия возможности контролировать глубину диффу+ зионного фронта и его непригодность для 35 контроля процесса диффузии в образцах, имеющих большую толщину в направлении диффузии.Целью изобретения является повышение достоверности контроля диффузии ак цепторной примеси в полупроводники п-типа проводимости путем определения положения диффузионного фронта. 45параллельном диффузионному потоку примеси,в качестве одного из электродов используют диффузант и определяютизменение глубины диффузионного фронта во времени по формулеХХ -2 рЗ(1)где Х - глубина диффузионного фронта;У - напряжение, приложенное к элект 55 радам;я - площадь электрода:р - удельное сопротивление скомпенсированнаго слоя при температуре атжига; Формула изобретения СПОСОБ Н ЕРАЗ РУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ДИФФУЗИОННОГО ОТЖИГА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, основанньй на измерении изменения тока во времени в процессе диффузионного отжига при приложении постоянного напряжения между электродами, нанесенными на поверхность исследуемого образца, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля диффузии акцепторной примеси в полупроводники и-типа проводимости путем определения положения диффузионного фронта, ток через обПоставленная цель достигается тем, что ток через образец пропускают в направлении, параллельном диффузионному потоку примеси, в качестве одного из электродов используют диффузант и определяют изменение глубины диффузионного фронта во времени по формулеХ2 ргде Х - глубина диффузионного фронта;0 - напряжение, приложенное к электродам;5 - площадь электрода;р - удельное сопротивление скомпенсированного слоя при температуре отжига;цт) - зависимости силы тока от времени.На чертеже приведена схема для осуществления способа.П р и м е р. На образец 1 сульфида кадмия СбЯ размером 3 х 4 х 8.мм напылением в вакууме наносят слой меди 2, а на противоположную сторону образца наносят слой аквадала 3, который является вторым электродом.Образец помещают в трубчатую муфельную электропечь 4 типа СУОЛ 0,25 1/12-М 1, Диффузию меди проводят при температуре 573 К. К электродам 2 и 3 периодически прикладывают напряжение 0,1 В и измеряот силу тока с помощью микроамперметра М 82;Измерение силы тока и последующее вычисление глубины показывают, что через 10 с после начала диффузии Х - 1 мкм, через 20 с Х 1,4 мкм,Способ позволяет контролировать динамику диффузионного процесса,728593 едактор А.Кузнецов аказ 334 Тираж Подписно НПО "Поиск" Роспатента 3035, Москва, Ж, Раушская наб., 4(5