Патенты с меткой «механоэлектрических»

Номер патента: 1783595

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, кремниевых, механоэлектрических, преобразователей

...стороне глубокого профилирования поверхности кристалла чувствительного элемента, расширяется диапазон линейного преобразования,На фиг. 1-5 изображена последовательность операций для изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей.П р и м е р. Использованы полированные с двух сторон кремниевые пластины п-типа проводимости с ориентацией поверхности в плоскости (1 00) (КЭФ 4,5).1. Выращивают термический окисел 1 толщиной 0,7 мкм при 1200 С на двух сторонах пластины 2 в высокотемпературной печи марки СДП 125-4 А,2, Проводят фотолитографию, чтобы вскрыть окна 3 в двуокиси кремния в месте расположения внешних вь 1 водов,3, На установке УВПМ наносят слой плазмохимического нитрида кремния толщиной 0,15 мкм.4, Проводят...

Номер патента: 797454

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/265

Метки: механоэлектрических, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ на кремнии, включающий выращивание окисла на обеих сторонах исходной пластины термическим окислением, создание тензорезисторов и токопроводящих областей путем введения акцепторной примеси через предварительно сформованную маску, создание металлических контактов к токопроводящим областям и формирование упругого элемента анизотропным травлением, отличающийся тем, что, с целью улучшения рабочих характеристик преобразователя при одновременном повышении процента выхода годных приборов, после выращивания окисла удаляют его с одной стороны пластины, затем удаляют приповерхностный напряженный слой кремния и выращивают тонкий слой толщиной 0,10 - 0,15 мкм, а введение примеси выполняют ионным...

Номер патента: 695418

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральных, кремния, механоэлектрических, монокристаллического, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, включающий термическое окисление пластин, двустороннюю фотолитографию, изготовление тензочувствительных компонентов, формирование мембран локальным травлением кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и увеличения диапазона линейного преобразования, после термического окисления пластин проводят формирование мембран локальным травлением, удаляют весь окисел с пластин, снимают с обеих сторон пластин тонкий слой кремния в полирующем травителе, проводят термическое окисление и двустороннюю фотолитографию, после чего изготовляют тензокомпоненты.

Номер патента: 807917

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, кремниевых, механоэлектрических, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, включающий операции термического окисления кремниевой пластины, совмещение элементов преобразователей на ее противоположных сторонах, изготовление тензочувствительных компонентов и формирование упругих элементов методом локального анизотропного травления кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных преобразователей и расширения диапазона линейного преобразования, после термического окисления кремниевой пластины удаляют с одной ее стороны окисный слой и напряженный приповерхностный слой кремния, изготавливают тонкий окисный слой термическим окислением кремниевой пластины, а после операции совмещения элементов преобразователя изготавливают...