Способ изготовления полупроводниковых структур
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1264440
Авторы: Брюхно, Кобазева, Максименков
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий шлифование и полирование монокристаллической кремниевой пластины, наращивание на одну сторону пластины слоя поликристаллического кремния, удаление части слоя поликристаллического кремния, утонение монокристаллической пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет уменьшения вероятности образования в нем дендритов и пустот, слой поликристаллического кремния наращивают на пластину после шлифования, а утонение монокристаллической пластины производят до толщины, равной сумме глубины нарушенного слоя после шлифования одной стороны пластины и толщины монокристаллического кремния, необходимого для формирования структуры.
Описание
Целью изобретения является улучшение качества слоя поликристаллического кремния за счет уменьшения вероятности образования в нем дендритов и пустот.
П р и м е р. Для изготовления кремниевых обращенных структур используют кремниевые пластины ориентации (III) с удельным сопротивлением 40 Ом
см и толщиной 550 мкм, которые после резки шлифуют с двух сторон свободным абразивом с использованием абразивной смеси из микропорошка КЗМ 20 (800 г), деионизованной воды (1 л) и глицерина (75-80 г). После такой обработки глубина нарушенного слоя с каждой стороны пластины составляет около 50 мкм. Затем одну сторону пластины полируют. После полирования монокристаллическая пластина изгибается так, что с полированной стороны наблюдается вогнутость с величиной прогиба 40-50 мкм. Далее на шлифованную сторону пластины из парогазовой смеси водорода и тетрахлорида кремния (5% ) осаждают сильнолегированный фосфором слой поликристаллического кремния с удельным сопротивлением 0,003 Ом см и толщиной 300-400 мкм. Осаждение осуществляют в течение 2 ч при температуре 1200оС.При осаждении поликристаллического кремния на выпуклую (шлифованную) сторону пластины площадь каждого последующего по ходу осаждения монослоя поликристалла кремния увеличивается, что компенсирует усадку поликристалла при спекании. В результате этого граница между слоем поликристаллического кремния и монокристаллической подложкой выравнивается. Рост поликристаллического кремния на шлифовальной поверхности характеризуется улучшенными условиями зародышеобразования, при этом в поликристалле отсутствуют дендриты и пустоты. Далее производят сошлифовку слоя поликристаллического кремния до толщины 270
20 мкм, при этом шлифованная плоскость слоя должна быть параллельна полированной стороне монокристаллической пластины. При последующем удалении части монокристаллической пластины до необходимой толщины используют стандартные методы шлифования и полирования.Предлагаемый способ повышает качество структур за счет ограничения дендритного роста поликристаллического кремния, увеличивает выход годных структур за счет уменьшения их прогиба, а также упрощает процесс изготовления структур за счет исключения операций полирования одной стороны пластин и формирования затравочного слоя поликристаллического кремния. (56) Патент США N 3428499, кл. 148-175, 1969.
Патент Японии N 53-24272, кл. 99 (5) в 15, 1978.
Дученко Ю. В. , Кузнецов А. С. и др. Однослойные обращенные эпитаксиальные структуры для производства силовых транзисторов. - Технология полупроводниковых приборов. Таллин: Валгус, 1982, с. 49-53.
Заявка
3863273/25, 25.12.1984
Брюхно Н. А, Кобазева З. Н, Максименков И. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/205
Метки: полупроводниковых, структур
Опубликовано: 30.01.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1264440-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых структур</a>
Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев
Номер патента: 1226210
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Денисов, Зельцер, Ковальчук, Сеничкина, Шилин
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры
...О перемещения крчсталла в более узком интервале углов. Управление гониометром 29 осуществляется с помощью устройства 26 ввода перемещений за пределами вакуумного объема камеры 27 55 без нарушения вакуумных условий в последней. Средства откачки (не обозначены) рассчитаны на поддержание давления в камере 27 не хуже 10 мм рт.ст.Загрузочно-шлюзовое устройство 3 содержит шлюзовую камеру 40, загрузочно-передающий манипулятор 41, устройство 42 перемещения указанного манипулятора, высоковакуумный затвор 43.Устройство работает следующим образом.Сформированный устройством 1 рент. геновский пучок попадает в измерительное устройство 2 на кристалл- анализатор 28, который при очень точном контроле за углом поворачивается, проходя через положение,...
Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев
Номер патента: 1396023
Опубликовано: 15.05.1988
Авторы: Денисов, Зельцер, Коряков, Сеничкина
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры
...совместно с таймером 51 преобразует последовательность поступающих импульсов в двоичный код, пропорциональный скоростисчета и через интерфейс 48 выдаетэтот код на ЭВМ 47, которая через интерфейс 48 осуществляет управление иобмен информацией с устройствамиблока 46. Управляощие сигналы и информационные коды, поступающие от ЭВМ47 через интерфейс 48 в устройство49 управления, преобразуются в нем внапряжения, необходимые для управления гониометром 10, на котором установлен кристалл-монохроматор 8.ЭВМ 47 сравнивает текущее значение интенсивности рентгеновского от -ражения от кристалла-монохроматора 8(1 ) со значением интенсивности от 1ражения лри точном брэгговском положении кристалла-монохроматора 8 (18 ),(лри О значение интенсивности...
Приспособление к скоропечатных машинах для подъема талера с многокрасочным клише после каждого отпечатка на толщину слоя краски
Номер патента: 37713
Опубликовано: 31.07.1934
Автор: Громан-Варн
МПК: B41F 3/51
Метки: каждого, клише, краски, машинах, многокрасочным, отпечатка, подъема, после, скоропечатных, слоя, талера, толщину
...с большим зубчатым колесом Е, укрепленным на нижней платформе У талера Т, В центре зубчатого колеса Е концентрично укреплен микро- метрический винт 6, входящий верхним концом в гайку О платформы К, поддерживающей многокрасочное клише ХПеред началом печатания платформу К поднимают на микрометрическом винте 6 до такой высоты, чтобы верхняя поверхность многокрасочного клише М была на уровне барабана А. По мере печатания, при каждом обороте барабана снижается красочный слой М многокрасочного клише М, но вслед за отпечатком зуб С, прикрепленный к ободу Р бара. бана А, поворачивает на один зуб зубчатое колесо .О, и вместе с тем поворачивается на один зуб и зубчатое колесо Е. Вместе с последним поворачивает-, ся и микрометрицеский винт...
Приспособление в скоропечатных машинах для опускания печатного барабана и кремальеры после каждого отпечатка на толщину снятого слоя краски с клише
Номер патента: 37714
Опубликовано: 31.07.1934
Автор: Громан-Варн
МПК: B41F 3/56
Метки: барабана, каждого, клише, краски, кремальеры, машинах, опускания, отпечатка, печатного, после, скоропечатных, слоя, снятого, толщину
...и поддерживающих ее на одной высоте по отношению к оси В барабана А.К кремальере Я прикрепляются штифты Х, входящие своими нижними концами в пазы У в талере Т.Перед началом печатания приспособление прикрепляют с двух сторон к станине 5 и к оси В барабана А, при чем конусы Р микрометрических винтов 6 входят до конца в станину 5 под подшипники Р.На талере Т прочно укреплено многокрасочное клише М и на такой высоте, чтоб его верхняя поверхность Е была на уровне барабана А.По мере печатания, при каждом обороте барабана снижается красочный слой М на клише М, но вслед за оттиском зубья Х), укрепленные на муфтах С осей О, поворачивают на один зуб зубчатые колеса Е. Вместе с последними поворачиваются и микрометрические винты О, которые...
Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния
Номер патента: 1829776
Опубликовано: 10.10.1996
Авторы: Баянов, Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Турцевич
МПК: H01L 21/308
Метки: конденсатора, кремния, обкладки, поликристаллического
...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...
Предыдущий патент: Способ получения пористых изотропных графитовых изделий
Следующий патент: Горелочное устройство для розжига камеры сгорания
Случайный патент: Испытательный стенд для диагностики технического состояния автомобилей