Иовдальский

Номер патента: 1694021

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Ануфриев, Иовдальский, Молдованов

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, интегральная, свч, схема

1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с рисунком металлизации на лицевой поверхности и по крайней мере с одной монтажной площадкой, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях платы, теплоотводящее основание, скрепленное с металлизацией обратной стороны платы, и бескорпусные электронные приборы, закрепленные связующим веществом на монтажной площадке и соединенные с рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения условий теплоотвода, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических параметров, монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой...

Номер патента: 1667571

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Иовдальский, Темнов

МПК: H01L 23/10

Метки: гибридная, интегральная, схема

Гибридная интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и выемками, в которых с помощью связывающего вещества закреплены полупроводниковые кристаллы, причем поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площади кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения плотности монтажа, выемки в диэлектрической плате выполнены в виде углублений, глубина которых выбрана превышающей на 10 30 мкм толщину кристаллов, закрепленных на дне углублений, а зазоры между стенками каждого углубления и кристаллом выбраны равными 20 - 100 мкм.

Номер патента: 2004036

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Иовдальский

МПК: H01L 21/00, H05K 5/00

Метки: гибридная, интегральная, квч-схема, свчи

...р и м е р. Гибридная интегральная СВЧ-схема содержит твердую диэлектрическую плату 1, выполненную, например, из поликара толщиной 0,5 или 1 мм, имеющую топологический рисунок металлизации 2 на лицевой стороне и экранную заземляющую металлизацию 3 на обратной стороне, Структура металлиэации может быть, например, Т 1 толщиной, обеспечивающей сопротивление пленки (100.0 мсм ), - Ро (0,2 мкм) - Ац (3 мкм) или Сг(100 Омlсм ) - Сц напыленная (1 мкм) - Сц гальваническая (3 мкм) - Ю гальванический (0,6 мкм) -Ац тальваническое (3 мкм), Конденсатор 4, например, ТС 7,088.005-20 (ТС 0.707.001 ТУ) толщиной 0,15 мм расположен и закреплен электропроводящим связующим веществом, например припоем эвтектического состава Ац - Я или Ац - Ое или клеем...

Номер патента: 2003735

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Иовдальский, Рыбкин

МПК: C23C 14/04

Метки: маска, напыления, пленочных, подложку, элементов

...подложки, отверстия имеютразмер, превцшающий заданный размеротверстий на 50-2000 мкм, а стенки отверстий заданного размера могут быть выполпод угло 15-85 к плос остипластин ц,Изготовление масок с уменьшеннымразмером элементообразующих кромокснижает экранирование стенками отверстий в маске и дает возможность увеличить воспроизводимость геометрии пленочныхэлементов путем повышения равномерности толщины напцляемцх пленочных элементов.5 Ограничение высоты расположениярасширения отверстий от плоскости маскименее 5 мкм определяется соображениямипрочности, а более 100 мкм - увеличениемэкранирования. Ограничение расширения10 отверстий маски менее 50 мкм объясняетсяувеличением явления экранирования края.ми отверстий, а более 2000 мкм -...

Номер патента: 1812580

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Долич, Иовдальский, Липатова

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, диапазонов, интегральная, крайневысокочастотного, сверхвысокочастотного, схема

...клея ЭЧЭ-С (ЫУ 0.028,052,ТУ). Посадочная площадка расположена в углублении 6 в подложке 1 и через металлизацию боковой поверхности 7 углубления 6 соединена с проводником технологического рисунка металлизации. Металлизация может представлять собой слоистую структуру, аналогичную приведенной выше, или другую, например химическую металлизацию никелем (или медью) с предварительным активированием поверхности растворами ЯпС 2 и РОС 2 с последующим наращиванием на химически осажденный слой металла гальванических слоев меди, никеля, золота.Устройства работает следующим образом,При подаче сигнала на навесной элемент 4 в одном направлении, например, па проводнику, топалогического рисунка металлизации 2 сигнал проходит к посадочной площадке 3 на...

Номер патента: 1811450

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Иовдальский, Макаров, Молдованов

МПК: B23K 1/00

Метки: пайки, прибора, электронного

...до наложения вибрации менее 0,5 с нежелательно, так как не обеспечивает восстановления окисла на спаиваемых поверхностях, более 5 с недопустимо, так как не обеспечивается количество глицерина, необходимое для восстановления окислов на спаиваемых поверхностях.Время наложения вибрации менее 5 с не обеспечивает достаточного растекания и смачиваемостиприпоем спаиваемых повер1811450 Анализ припоя после затвердевания и охлаждения показывает отсутствие в нем глицерина, что делает возможным исключение операции отмывки платы от глицерина в воде и сушки горячим азотом, Контроль Таблица 1 Таблица 2 Редактор Г.Бельская Техред М,Моргентал Корректор М,Куль Заказ 1459 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при...