Способ изготовления меза-структур

рц 10 Я 4 ЯЯ СОЮЗ СОЖТСВИХСОЦШЛНСТМЧЕСЗИХ РВСНУЗЛЗВГОСУДМСТВКННоа ЫПНТВО ойислщп К ИЗОБРЕТЕНИЯРСКОМУ СВЩВТЕЛЬСЗЗУ4Изобретение относится к области микроэлектроники и касается промышленногоизготовления полупроводниковых нриборов.Известен способ изготовления кристаллов полупроводниковых структур; включающий операции формирования элементовструктуры в полупроводниковой подложкеО, маскирующим их диэлектрическим покрйтибм, вскрытия контактных областей к 10эяемейтам атруктурц",получения металли: зифбванной разводки, формирования мезаструктур тра влением раздел ительн йхканавок. нанесение защитной диэлектриче-..ской пленки двуокиси кремния и вскрытия 15окон в ней.Недостатком известного способа является наличие дополнительной фотолитографии для вскрытия металлизированныхконтактов и неэффективность пассивации 20структур пленкой двуокиси кремния, вызванная неконтролируемыми условиями:на .границе раздела кремний - двуокись кремния,Наиболее близким техническим решени 25ем является способ изготовления меза-структур, включающий операции формированияэлементов,структуры в полупроводниковой. подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытия областей к 30элементам структуры, получения метал-.лизированной разводки и меза-областей,пассивации меза-структур диэлектрическим покрытием и вскрытия металлиэированных контактных площадок, 35К недостаткам способа следует отнестивысокий урбвень токов утечки (обратных токов) из-за загрязнений и несовершенстваоткрытой поверхности полупроводниковыхмеза-структур перед их пассивацией пленкой двуокиси кремния и наличие дополнительной фотолитографии для вскрытияметаллизированных контактов,Целью изобретения является улучшение электрических параметров меза-структур и упрощение способа их изготовления..Цель достигается тем, что при способеизготовления меза-структур, включающемоперации формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием,вскрытия контактных областей к элементамструктуры. получения металлизированнойразводки и меза-областей, пассивации меза-структур диэлектрическим покрытием и 55вскрытия металлизированных контактных ф.площадок, пассивирующее диэлектрическое покрытие формируют нанесениемсвинца с последующей термической обработкой для получения свинцово-силикатного стекла, а вскрытие металлизированныхконтактных площадок осуществляют селективным травлением окиси свинца с их поверхности, .На фиг,1 показано формирование элементов структуры и меза-областей; на фиг.2- нанесение слоя свинца и окиси свинца; нафиг.З - формироване свинцово-силикатногостекла; на фиг,4 - получение .закойченноймеза-структуры, с которой удален слой окиси свинца,При описании приняты следующиеобозначения; 1 - кремниевая полупроводниковая подложка; 2 - окисленный слойкремния; 3- маскйрующее диэлектрическоепокрытие; 4- контактные области;,5 - базовые области 6 - эмиттерные области; 7 -металлизированная разводка,П р и м е р. В полупроводниковой подложке кремния 1 и-типа проводимости, служащей коллектором, формируют. в началебазовую область 5, например, термическойзагонкой бора из борного ангидрида В 20 з споследующей его разгонкой при 1220 С вкомбинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода до глубины 10 мкм,В этом же процессе получают маскирующее диэлектрическое покрытие 3 двуокисикремния толщиной 0,7 мкм. Далее в пределах базы формируют эмиттер 6, нупрЪмер,термической диффузией фосфора из хлорокиси фосфора РОСз при 1200 С в среде сдобавлением кислорода.К сформированным элементам транзисторной структуры: базе, Фмиттеру и подразделительные канавки одновременно, т,е,общей фотогравировкой, Открывают контактные области 4. После, отмывки пластинкремния в перекислоаммиачной смеси осуществляют вакуумное напыление алюминия7 на установке 31 10/24 до толщины 1,5мкм,Металлизированную разводку 7,формируют фотолитографией с травлением алюминия в травителе составаНзРО 4:НИОз:СНЗСООН:Н 20 (140:6:30:5), используя маскирующие свойства фоторезиста ФП,Затем проводят формирование мезаструктур травлением разделительных канавок, используя маскирующие свойствафоторезиста ФП, ФПи диэлектрического покрытия,Сначала центрифугированием наносятфоторезист ФП, а затем слой ФП.Далее следует сушка при температуре100 С в течение 15 мин, совмещение, экспонирование и проявление для ФПв0,5 о-ном растворе щелочи КОН для ФП