Козерчук

Номер патента: 1400386

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Козерчук, Першин

МПК: H01L 21/324

Метки: изготовлении, кремниевых, легированных, областей, полупроводниковых, приборов, формирования

Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов, включающий выращивание окисла на кремниевой подложке, формирование рисунка в окисле, загонку легирующей примеси, химическую очистку, диффузионную разгонку в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет улучшения очистки поверхности полупроводника, диффузионную разгонку проводят с добавлением в окислительную атмосферу паров йодосодержащих компонентов в количестве 0,5-1,5 об.%.

Номер патента: 829562

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Аникин, Ибрагимов, Козерчук, Петров, Харлампович

МПК: C01B 35/00

Метки: бора, извлечения, магния, рассоловхлористого

...алкиленолоспиртов, содержащих в алкильной цепи 7-12 атомов углерода, в 2-октаноле при концентрации алкилфенолоспиртов 10 г/л. Смешение осуществляют в течение 3 мин.После отстаивания в течение 1 мин органическую фазу отделяют и при отношении фаз 1:1 в одну стадию обрабатывают 1 н соляной кислотой. Смешение осушествляют в течение 5 мин. После упаривания реэкстракта получают 0,2372 г Н ВО . Общая степень извлечения бора из рассола 957%. 9562 П р и м е р 2. 50 мл раствора, содержащего 22,8 г МдС 1; 0,2663 г ИВ 1 (0,1505 г В и подкисленного до рН 4,5 в одну стадию при комнатной температуре обрабатывают 50 мл экстрагента, содержащего 2-октанол и петролейный эфир в объем- ном отношении 1:1 и алкилфенолоспирты, содержащие в алкильной цепи 7-12...