Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание

где P - давление газа в реакционной камере, Па;
K1=102 A

l - длина индуктора, м;
D - внешний диаметр индуктора, м;
n - число витков соленоида.
Заявка
4722991/25, 24.07.1989
Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения
Гомжин И. В, Лебедев Э. А, Черноусов М. С
МПК / Метки
МПК: H01L 21/302, H05H 1/00
Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, травления
Опубликовано: 10.04.2004
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1760946-sposob-plazmokhimicheskogo-travleniya-poluprovodnikovykh-plastin.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин</a>
Предыдущий патент: Способ разрушения горных пород и полезных ископаемых
Следующий патент: Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин
Случайный патент: Устройство для ввода информации в эцвм