Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин

Номер патента: 1760946

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

Описание

Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида, охватывающего индуктор, по которому пропускают ток I, при этом число ампер-витков соленоида выбирают в соответствии с соотношением

где P - давление газа в реакционной камере, Па;
K1=102 A кг-1с2;
l - длина индуктора, м;
D - внешний диаметр индуктора, м;
n - число витков соленоида.

Заявка

4722991/25, 24.07.1989

Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения

Гомжин И. В, Лебедев Э. А, Черноусов М. С

МПК / Метки

МПК: H01L 21/302, H05H 1/00

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, травления

Опубликовано: 10.04.2004

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1760946-sposob-plazmokhimicheskogo-travleniya-poluprovodnikovykh-plastin.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин</a>

Похожие патенты