Патенты с меткой «плазмохимического»

Номер патента: 2003201

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кулик, Павлов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, поверхности, твердого, тела, травления

...показывают, что время протекания гетерогенной реакции плазмо-химического травления при указанных условиях, существенно зависит от большого количества параметров и должна определяться при отработке конкретного процесса плаэмо-химического травления. Максимальное время воздействия мальная температура поверхности твердого тела при воздействии определяется условиями разрушения поверхности (например, началом ее плавления), либо условиями аморфизации приповерхностного слоя, либо недопустимым развитием рельефа поверхности при травлении и другими причинами. Эти условия определяются экспериментально, при разработке конкретного процесса травления. При известной максимально-допустимой температуре Тд поверхности твердого тела из конкретного...

Номер патента: 1573896

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Будянский, Плетнев, Покроев, Фареник

МПК: C23F 1/00

Метки: плазмохимического, травления

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, включающее диэлектрическую реакционную камеру, перфорированный металлический экранирующий элемент, подложкодержатель с пластиной, размещенный внутри реакционной камеры, отверстия для напуска и откачки газа и индуктор для возбуждения ВЧ-разряда, витки которого охватывают реакционную камеру, отличающееся тем, что, с целью увеличения скорости травления и повышения качества обработки путем уменьшения загрязнения поверхности образца продуктами распыления, экранирующий элемент расположен между витками индуктора и камерой и охватывает ее.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что металлические заземленные детали, составляющие экранирующий элемент, образуют проводящую поверхность,...

Номер патента: 1653484

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Будянский, Гомжин, Ефремов, Лебедев, Покроев

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, пленок, удаления, фоторезиста

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО УДАЛЕНИЯ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА с образцов, имеющих диэлектрические слои, включающий непрерывный напуск рабочего газа и откачку продуктов реакции, активацию потока рабочего газа плазмой ВЧ-разряда, отделение зоны активации газа от зоны обработки образца, размещение образца в зоне обработки в потоке активированного разрядом газа и удаление полимерной фоторезистивной пленки под действием химически активных частиц, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годной продукции путем сокращения числа электростатических пробоев тонких диэлектрических слоев обрабатываемых изделий, определяют напряжение пробоя диэлектрического слоя V* и в процессе удаления фоторезиста контролируют потенциал плазмы в зоне...

Номер патента: 1795829

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Корешков, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, плазмохимического, пленок, стекла, фосфоросиликатного

...более 2 ат. о, возрастает в 5 и более раз, что обуславливает улучшение пассивирующей способности пленки за счет повышения ее влагостойкости и повышение стойкости стекла к диффузии ионов металлов.Выбор отношения ингредиентов закись азота-аммиак при осаждении пленки ФСС сделан на основе экспериментальных результатов.При соотношении ингредиентов закись азота-аммиак менее 5 ухудшаются условия для введения фосфора в пленку, что обуславливает ухудшение качества ФСС из-за увеличения дефектности,При соотношении ингредиентов закись азота-аммиак более 25 ухудшается пассивирующая способность пленки из-за уменьшения количества азота в ней, что наряду с увеличением привносимой дефектности обуславливает ухудшение качества пленок ФСС.Возможность...

Номер патента: 1739802

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Красножон, Фролов, Хворов

МПК: H01L 21/306

Метки: алюминия, плазмохимического, пленок, травления

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ, включающий размещение подложек со сформированной фоторезистивной маской на заземленном электроде-подложкодержателе и обработку в хлорсодержащей ВЧ-плазме при температуре подложек ниже температуры деструкции фоторезиста, но выше температуры, вычисленной по формулегде Q - расход газа, см3/мин;P - рабочее давление, Па;F - площадь поверхности алюминия, м2;V - скорость травления алюминия, нм/с,отличающийся тем, что, с целью улучшения качества получаемых структур за счет снижения загрязнения этих структур и внутренних поверхностей реактора продуктами полимеризации, перед...

Номер патента: 1378767

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Мараховка, Парм, Ронжин, Соловьев

МПК: H05H 1/00

Метки: диэлектрических, плазмохимического, синтеза, слоев

Устройство для плазмохимического синтеза диэлектрических слоев, содержащее цилиндрическую камеру синтеза диэлектриков с дном, выполненным в виде подложкодержателя с нагревательным элементом, с отверстиями для откачки камеры и напуска газов, и камеру активации с ВЧ-электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества диэлектрических слоев на полупроводниковых подложках путем сжатия потока реакционной смеси к центру реактора и снижения радиационного влияния плазмы на образцы, камера активации выполнена в виде тора, охватывающего камеру синтеза газа, в боковых стенках которой выполнены отверстия для напуска газов, а ВЧ-электрод имеет форму кольца и расположен в центре камеры активации...

Номер патента: 1760946

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/00

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, травления

Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида,...

Номер патента: 1207339

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Селиванов, Федоров, Юдина

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее цилиндрический реактор, в вершине которого расположена цилиндрическая разрядная камера, снабженная катушкой индуктивности, соединенной с ВЧ-генератором, систему подачи газа и подложкодержатель, установленный в основании реактора вне зоны разряда, отличающееся тем, что, с целью снижения энергозатрат при сохранении скорости и качества удаления фоторезиста, в основании разрядной камеры выполнен конусный раструб, обращенный к подложкодержателю, с радиусом, составляющим 0,8-1R радиуса обрабатываемой пластины, на расстоянии h от подложкодержателя, определяемом неравенством 0,08R

Номер патента: 1820787

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, подложки, полупроводниковой, удаления, фоторезиста

Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности удаления фоторезиста относительно нижележащего слоя и снижения окисления нижележащих материалов при сохранении высокой скорости процесса, в газовую среду дополнительно вводят аргон, при этом содержание аргона в смеси составляет 20-95 об.%.

Номер патента: 1642901

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Будянский, Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/30

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового разряда, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости удаления фоторезиста и качества обработки пластин, активационная камера снабжена по крайней мере одной дополнительной трубой равного диаметра, система возбуждения выполнена в виде двух плоскопараллельных электродов с отверстиями, в которых...

Номер патента: 1362358

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Пуховицкий

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимического, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезистора, содержащее расположенный вертикально цилиндрический реактор из диэлектрика, в верхней части которого расположен патрубок напуска газа, индукционную катушку, охватывающую реактор и соединенную с ВЧ-генератором, подложкодержатель для размещения обрабатываемых пластин, установленный под открытым нижним торцом реактора перпендикулярно его оси, отличающееся тем, что, с целью обеспечения обработки подложек различного типоразмера без переналадки устройства при его использовании в гибком автоматизированном производстве, оно снабжено установленным на нижнем торце реактора параллельно подложкодержателю фланцем из диэлектрика, диаметр которого...