Патенты с меткой «однородно»

Номер патента: 391452

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 23/207

Метки: изогнутых, кривизны, кристаллических, образцов, однородно, радиуса

...в параллельной установке (г - а) с использованием линейного фокуса. Для освещения двух точек поверхности образца из первичного мо нохроматизированного пучка выделяют двакак показано на чертеже. На ертежеприведены схемы гсометрии съемки и кривой отражения (Р - фокус рентгеновской -,рубки, М - монохроматор, О - образец, 5 - щелсвая 10 система, С - счетчик квантов, У - интенсивность отражсных рет сновскпх луче, 8 --г,овое положение образца).При съемке изопутого образца отдельныеучастки его освещенной поверхности последовательно входят в отражающее положение.В результате, точки 1 и 2 образца (см, чертеж) сформируют два дифракционных гика, разделенных по угловой оси на угол сх, равный центральному,гл, екд радисами-вектора ми, идущими от...

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Сеник, Ситников

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...