Патенты с меткой «приповерхностных»

Номер патента: 702264

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Герус, Лысенко, Наринский

МПК: G01N 3/42

Метки: приповерхностных, слоях, твердости

...деформирование материала, а о твердости материала судят по. изменению следа.На чертеже изображено устройство, позволявшее реализовать данный способ,Устройство включает обойму 1, план- шайбу 2 токарного станка, первый индел тор 3 качения, выполненный в виде шари ха 5 мм, шток 4 нндентора, гидропилиндр 5 индентора, спецкронштейн 6, суппорт 7,Контролю подвергают обоймы подшипнь ков. При реализации саособа обойме 1 уолУ ф3 : ;, 702 танавливается, например, в планшайбу 2 токарного станка. Индентор 3 с штоком 4 и гидропилиндром 5 крепятся спепкронштейном 6 к суппорту 7, Обойму 1 приводят во вращение. Величину усилия развиваемого индентс ром, регистрируют манометром, встроенным в гидропилиндр 5 Первый индентор заменяется вторым, Испытание...

Номер патента: 1103126

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Александров, Афанасьев, Головин, Имамов, Миренский, Степанов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, приповерхностных, слоев, структурных, тонких, характеристик

...пучком рентгеновского излучения, выводят в положение, соответствующее дифракционному отражению в условиях полного внешнего отражения, путем поворота исследуемого кристалла и изме-, ряют интенсивность дифрагированного излучения, по которому судят о структурных характеристиках, пучок коллимируют только перпендикулярно плоскос. ти дифракции и интенсивность дифрагированного излучения в плоскости дифракции измеряют при неподвижном крис. талле в зависимости от угла выхода дифрагированного излучения с поверхностью кристалла.Кроме того, для различных углов выхода к поверхности кристалла измеряют зависимость интенсивности зеркальной компоненты от угла падения. На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа,Схема...

Номер патента: 1173278

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Афанасьев, Имамов, Ле, Мухамеджанов, Челенков, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, приповерхностных, слоев, совершенства, структурного, тонких

...вторичной эмиссии ввиде газопроточной камеры, в которойрасположены держатель образца иэлектрод, держатель образца выполненв виде установленной на валу рамки,на которой расположен электрод, приэтом часть вала выведена из газопроточной камеры и снабжена устройствомдля его вращения,На фиг.1 схематически изображенопредлагаемое устройство, на фиг,2 -детектор вторичных излучений. Устройство содержит источник излучения 1, коллиматорные щели 2, кристалл-монохроматор 3, детектор вторичной эмиссии 4, установленный на гониометрической головке главного гониометра 5, и детекторы прошедшего б и дифрагированного 7 излучений.Детектор вторичной эмиссии (фиг,2) представляет собой цилиндрическую камеру 8 с крышкой 9, внутри которой расположена рамка...

Номер патента: 1257482

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Афанасьев, Завьялова, Имамов, Ломов, Пашаев, Федюкин, Хашимов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, кристаллов, нарушений, приповерхностных, рентгенодифракционный, слоях, структурных, тонких

...де тектора 6 со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения. В рассмат риваемой геометрии дифракции возникает связь между углом отворота 6 ис следуемого кристалла от точного угла Брэгга и углом выхода ф дифрагированного пучка с поверхностью кристал 2: ф=ф, -В, д =ф(В = О). Отсюда следует, что изменение угла 6 55 на несколько десятков секунд приводит к изменению угла Ф на несколько градусов. Такие изменения ф могут быть зафиксированы при помощи щели, установленной перед детектором в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения, и видимой с поверхносо ти кристалла под углом 0,1-0,2 . На стандартных дифрактометрах это может быть осуществлено без значительных потерь в интенсивности при размерах...

Номер патента: 1402922

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Гостев, Дунин, Новак, Павленко, Рау, Шестаков

МПК: G01N 25/72, G01N 29/04

Метки: дефектоскопии, приповерхностных, слоев, твердых, тел, термоакустической

...пирометром по сопутствующему увеличению теплового излучения от объекта и зависит только от теплоемкости и теплопроводности (т.е, от тепловых свойств) облучаемого участка. Одновременно в зоне облучения локального участка объекта возника ют тепловые возмущения, которые генерируют термоупругие деформации, несущие информацию как о тепловых свойствах, так и, об упругих неоднородностях микроструктуры объекта.Эти механические деформации распространяются через объект и регистрируются пьезоэлектрическим датчиком 4, который смонтирован на держателе 5 объекта.Сигналы с двух датчиков 4 и 7 усиливаются двумя зарядово-чувствительными усилителями 8 и 9, а затем обрабатываются (например, суммируются или вычитаются) и усиливаются в сумматоре 10, после...

Номер патента: 1404944

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Зацепин, Казявина, Кортов, Соболев, Тюков, Щеглова

МПК: G01N 33/38

Метки: ионообменной, механической, напряжений, после, приповерхностных, прочности, слоях, стекла

...ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 3097/48 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к областитехнологии стекла, а именно к способам контроля технических параметровстекол и стеклоизделий, и может применяться в промышленности строительных материалов, оптике и приборостроении.Цель изобретения - неразрушающийколичественный контроль.Способ осуществляют следующим образом.Поверхность стеклоизделия, подвергнутого ионообменной обработке,возбуждают пучком электронов с энергией 0,5-1,2 кэВ. Нагревают контролируемое стеклоизделие с постояннойскоростью до 100-130 С и в интервалеэтих температур,...

Номер патента: 1583809

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Ломов, Новиков

МПК: G01N 23/207

Метки: искажений, монокристаллов, приповерхностных, слоев, структурных

...0 припо 45 верхностных слоях кристалла толщиной0,2-50 нм.На заданном кристалле выбираетсясемейство кристаллографических плоскостей, составляющих угол ( с поверхностью кристалла. Это условие необходимо для того, чтобы дифракционное рассеяние пространственно разделилось с лучами, испытывающими простое полное отражение. Поскольку интенсивность ДЗП определяется интенсивностью "хвоста" кривой дифракционного отражения, то из практических соображений имеет смысл выбирать 94угол клина на 1-3 меньше угла Брэгга для выбранного порядка отражения,чтобы интенсивность ДЗП была ещедостаточно высокой.Параметры поверхностных слоев(фактор Дебая-Валлера, толщина аморфного слоя) определяют, сравниваяФорму и интенсивность дифракционногозеркальчого пика, а...

Номер патента: 1599732

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Гоганов, Гуткевич, Имамов, Ломов, Новиков

МПК: G01N 23/20

Метки: искажений, монокристалла, приповерхностных, слоев, совершенного, структурных

...0,5-50 нм.Способ осуществляется следующимобразом.Для исследуемого кристалла выбирается семейство дифракционных плоскостей, составляющих с поверхностьюкристалла угол ) ( 9 ь, Поскольку интенсивность ПБП тем выше, чем меньшеугол отклонения от точного угла Брэгга, то следует выбирать (8 -(О) ".о Бг-. 1 - 3, а для повышения локальности необходимо, чтобы значение (6 ьр+ Ц)обыло близко к 90 . Для стандартныхполупроводниковых кристаллов, используемых в промьппленности, удобно выбирать следующие отражения: при ориентации поверхности 1111 - отражение (311) и излучение М, Со, Ре,а при ориентации 100) - отражение(311), (400) и излучение Сц. При использовании стандартныхисточников излучения монохроматизация падающего пучка не...

Номер патента: 1636823

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Афанасов, Кветкус, Султанходжаев, Шакалис

МПК: G01V 9/00

Метки: выявления, источников, приповерхностных, ртути

...555 ци 5 рудного тела зто отноше,и 8 бал ь 55 эе, значи Г, ОГ 50 служит пОказате лем наличия рудного тела, показателем, искгючаюшлм суточный ход, т,е, влияние турбулентного обмена, При появлении ветОа, проходяшеГО над источникам ртути (руд нь м телом, с подветренной стороны отношение коиценграций больше, Таким образом, оппеделяя, отношения концеитраиЙ в двух и более точках и прослеживая -Зпо-злеиие ветра, можно определять месОпалажения павРрхнастных источников паров ртути,Анализ только па концентрациям паров ртути неэффективен, гак как турбулентный Обмен яв 5 эяется не только функцией времени суток, но также и функцией конкретного мес 5 а лзмереиия (равнина, кустарники и т.д,) Татько анализ отношения коицеитра 5 ий ОТ 15 тл и Озданз...

Номер патента: 1774237

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Лящук, Матвеев

МПК: G01N 22/02

Метки: градуировки, дефектоскопа, диэлектриков, изделиях, приповерхностных, расслоений

...которого установлены пластины различной толщины на подпорках, которые изготовлены из того же материала, что и бездефектный образец, а зависимость коэффициента отражения от глубины залегания и толщины расслоения определяют путем облучения пластин различной толщины и изменения высоты подпорок соответственно,На фиг. 1 и 2 показаны схема одного из вариантов устройства, реализующего предложенный способ и пример годографов для типичного обьекта контроля.Устройство состоит из генератора СВЧ- колебаний 1, узла 2 разделения излучаемого и принимаемого сигналов, приемно-излучающей антенны 3, диэлектрической линзы 4, пластин 5 различной толщины, подпорок б, бездефектного образца 7, диэлектрической подложки 8, блока 9 регистрации....

Номер патента: 704338

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/21

Метки: вырожденных, параметров, полупроводников, приповерхностных, слоях, электронов

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца л и эьалона o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Сеник, Ситников

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...