Интегральная схема свч

Номер патента: 207706

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Бобровников

МПК: B23P 11/02

Метки: входящих, другую, машин, неподвижного, одна, соединения

...де должна оединео внед(охлаж- соответИзвестен способ неподвижного соединения деталей машин путем обработки деталей холодом при различных низких температурах. Однако при обработке деталей при низких температурах пластичность и вязкость металлов меняется по-разному. В одном случае пластические свойства металлов снижаются, в другом остаются практически неизменными или даже повышаются,В предложенном способе впзуются обратимые изменениясвойств стали при температухола а. дСущность способа заключается в сл щем. На контактную поверхность охват мой детали в видс втулки механической боткой или накаткой наносят микрор прямоугольной формы, после чего сборк динения осущсствляется с охлаждением ли в жидком азоте. Глубина микрорелье должна...

Номер патента: 673086

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Лаупмаа, Тийкмаа

МПК: H01L 27/04

Метки: генератора, интегральная, стабильного, схема

...металлизации 10;4 дорожки металлизации 11, 12, 13,14, 1 б, 17, 18, 19 полупроводниковыхэлементов;цорожка металлизации 15 начального источника к отрицательной шиненапряжения питания,На фиг.2 представлен полупроводниковый элемент генератора стабильного тока, где изображены:изолирующий окисел 20,и подконтактная область 21 к базе латерального транзистора (нижнийзатвор полевого тетрода);изолирующий окисел "карман" 22;пф скрытый слой 8;30 35 40 45 50 55 монокристалл полупроводника и-типа, база латерального транзистора 23;и+ верхний затвор полевого тетрода 3;р - канал полевого тетрода 24; р+(р) сток полевого тетрода 5; р+(р) исток полевого тетрода и коллектор латерального транзистора 2,р+(р) эмиттер 7 р-и-р латерального...

Номер патента: 1697118

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гусева, Сидоренко, Стиканов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, полевых, сигналов, считывания, транзисторах, формирователь, элементов

...информации пороговое напряжение опорного транзистора 4 становится отрицательным.Подбором геометрических размеров транзисторов 2 и 4 добиваются того, что в этом случае потенциал в узле А становится ниже потенциала запирания транзистора 8 и выход 11 начинает заряжаться от шины 9 пИтания через транзисторы 1,5, причем размером транзистора 5 регулируется ток (постоянная времени заряда выхода 11). С повышением напряжения на выходе 11, а следовательно и на истоке транзистора 4 пороговое напряжение. последнего возрастает и при достижении определенной величины становится равным нулю, Транзистор 4 (опорный элемент памяти) закрываетсяа потенциал в узле А становится равным напряжению питания, что достаточно для запирания транзистора 3,В...

Номер патента: 1407325

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Кожинова, Романова

МПК: H01L 21/34

Метки: полупроводникового, прибора, размерами, субмикронными, управляющего, электрода

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С СУБМИКРОННЫМИ РАЗМЕРАМИ УПРАВЛЯЮЩЕГО ЭЛЕКТРОДА, включающий создание омических контактов, формирование первого и второго маскирующих слоев, один из которых является металлом, с субмикронным зазором между ними, электрохимическое осаждение дорожки управляющего электрода, удаление маскирующих слоев, выделение на полуизолирующей подложке активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлических дорожек управляющего электрода, выделение на полуизолирующей подложке активной области проводят перед созданием омических контактов, электрохимическое осаждение металлической дорожки управляющего электрода проводят одновременно на активную область прибора и на...

Номер патента: 791272

Опубликовано: 23.12.1980

Автор: Бернвард

МПК: H01L 29/72

Метки: канальным, накопительным, полевым, транзистором

...около 351 Ч при первой очистке и в пределах одной минуты при двадцатой очистке. Измеренная продолжительность очистки увеличивается от очистки к очистке, Наконец продолжительность очистки превосходит максимально допустимое, произвольно установленное значение, с которого очистка рассматривается как нарушенная и более невозможная. Необходимые для электрической Очистки затраты незначительны. Применение и-канала вместо -канала для запоминающего полевого транзистора необходимо, так как иначе невозможно программирование посредством канальной инжекции и очистка посредством туннельного эффекта Фоулера-Нордхейма.В дальнейшем последующее развитие предлагаемого устройства основывается на новом понимании причин и вспомогательных возможностей...