H05H 1/30 — с использованием внешних электромагнитных полей, например высокой и сверхвысокой частоты

Номер патента: 1642901

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Будянский, Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/30

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового разряда, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости удаления фоторезиста и качества обработки пластин, активационная камера снабжена по крайней мере одной дополнительной трубой равного диаметра, система возбуждения выполнена в виде двух плоскопараллельных электродов с отверстиями, в которых...