Способ изготовления кмоп-интегральных схем

ZIP архив

Описание

Способ изготовления КМОП-интегральных схем, включающий формирование в подложке из кремния первого типа проводимости областей кармана второго типа проводимости, имплантацию ионов кислорода и проведение термообработок для формирования внутреннего нарушенного слоя, формирование комплементарных МОП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности КМОП-интегральных схем за счет увеличения устойчивости к эффекту "защелкивания", перед имплантацией ионов кислорода на подложке формируют маску между комплементарными МОП-транзисторами, причем ее толщину выбирают из условия получения после проведения имплантации ионов кислорода и термообработок внутреннего нарушенного слоя, расположенного между комплементарными МОП-транзисторами в приповерхностной области подложки.

Заявка

4746117/25, 03.10.1989

Чекунков С. В, Водопьянов О. А, Журавлева С. Л, Стахеев В. А, Нешов Ф. Г, Пузанов А. А, Пяткова Т. М

МПК / Метки

МПК: H01L 21/82

Метки: кмоп-интегральных, схем

Опубликовано: 20.12.2005

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1649971-sposob-izgotovleniya-kmop-integralnykh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления кмоп-интегральных схем</a>

Похожие патенты