Способ изготовления кмоп-интегральных схем
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ изготовления КМОП-интегральных схем, включающий формирование в подложке из кремния первого типа проводимости областей кармана второго типа проводимости, имплантацию ионов кислорода и проведение термообработок для формирования внутреннего нарушенного слоя, формирование комплементарных МОП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности КМОП-интегральных схем за счет увеличения устойчивости к эффекту "защелкивания", перед имплантацией ионов кислорода на подложке формируют маску между комплементарными МОП-транзисторами, причем ее толщину выбирают из условия получения после проведения имплантации ионов кислорода и термообработок внутреннего нарушенного слоя, расположенного между комплементарными МОП-транзисторами в приповерхностной области подложки.
Заявка
4746117/25, 03.10.1989
Чекунков С. В, Водопьянов О. А, Журавлева С. Л, Стахеев В. А, Нешов Ф. Г, Пузанов А. А, Пяткова Т. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/82
Метки: кмоп-интегральных, схем
Опубликовано: 20.12.2005
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1649971-sposob-izgotovleniya-kmop-integralnykh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления кмоп-интегральных схем</a>
Предыдущий патент: Ключевой стабилизатор постоянного напряжения
Следующий патент: Устройство для слежения за стыком сварного соединения
Случайный патент: Способ получения катализатора для полимеризации циклических эфиров