Гомжин

Номер патента: 1362358

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Пуховицкий

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимического, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезистора, содержащее расположенный вертикально цилиндрический реактор из диэлектрика, в верхней части которого расположен патрубок напуска газа, индукционную катушку, охватывающую реактор и соединенную с ВЧ-генератором, подложкодержатель для размещения обрабатываемых пластин, установленный под открытым нижним торцом реактора перпендикулярно его оси, отличающееся тем, что, с целью обеспечения обработки подложек различного типоразмера без переналадки устройства при его использовании в гибком автоматизированном производстве, оно снабжено установленным на нижнем торце реактора параллельно подложкодержателю фланцем из диэлектрика, диаметр которого...

Номер патента: 1642901

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Будянский, Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/30

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового разряда, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости удаления фоторезиста и качества обработки пластин, активационная камера снабжена по крайней мере одной дополнительной трубой равного диаметра, система возбуждения выполнена в виде двух плоскопараллельных электродов с отверстиями, в которых...

Номер патента: 1222175

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Юдина

МПК: H01L 21/306, H05H 1/00

Метки: индивидуальной, плазмохимической, пластин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин, содержащее реакционно-разрядную камеру с плоскопараллельными электродами, один из которых соединен с ВЧ-генератором, а другой с держателем пластины заземлен, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения равномерности обработки, электрод, соединенный с ВЧ-генератором, выполнен в виде плоской спиральной пружины, внешний конец которой жестко закреплен, а внутренний установлен с возможностью вращения вокруг оси, при этом ширина спиральной пружины выбрана из условиягде a - ширина спиральной пружины;D - диаметр пластины;n...

Номер патента: 1820787

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, подложки, полупроводниковой, удаления, фоторезиста

Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности удаления фоторезиста относительно нижележащего слоя и снижения окисления нижележащих материалов при сохранении высокой скорости процесса, в газовую среду дополнительно вводят аргон, при этом содержание аргона в смеси составляет 20-95 об.%.

Номер патента: 1207339

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Селиванов, Федоров, Юдина

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее цилиндрический реактор, в вершине которого расположена цилиндрическая разрядная камера, снабженная катушкой индуктивности, соединенной с ВЧ-генератором, систему подачи газа и подложкодержатель, установленный в основании реактора вне зоны разряда, отличающееся тем, что, с целью снижения энергозатрат при сохранении скорости и качества удаления фоторезиста, в основании разрядной камеры выполнен конусный раструб, обращенный к подложкодержателю, с радиусом, составляющим 0,8-1R радиуса обрабатываемой пластины, на расстоянии h от подложкодержателя, определяемом неравенством 0,08R

Номер патента: 1760946

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/00

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, травления

Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида,...

Номер патента: 1653484

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Будянский, Гомжин, Ефремов, Лебедев, Покроев

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, пленок, удаления, фоторезиста

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО УДАЛЕНИЯ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА с образцов, имеющих диэлектрические слои, включающий непрерывный напуск рабочего газа и откачку продуктов реакции, активацию потока рабочего газа плазмой ВЧ-разряда, отделение зоны активации газа от зоны обработки образца, размещение образца в зоне обработки в потоке активированного разрядом газа и удаление полимерной фоторезистивной пленки под действием химически активных частиц, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годной продукции путем сокращения числа электростатических пробоев тонких диэлектрических слоев обрабатываемых изделий, определяют напряжение пробоя диэлектрического слоя V* и в процессе удаления фоторезиста контролируют потенциал плазмы в зоне...

Номер патента: 954722

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Бочарников, Голубченко, Гомжин, Гончаров, Зинченко, Исиров, Прихоженко, Чеченев, Шапранов

МПК: F23L 15/04

Метки: вертикальных, керамического, рекуператора, соединения, трубок, узел

...лены перегородки, а выступы выполнены в торцах трубок, и ступы одной трубки заведены смежной. акому выполнению упрокция узла соединения,.такнты его составляющие им тя, разрез.ения трубок керамическоа содержит трубки 1, имех выступы 2 и впадины 3,торцами одна к другой изоне примыкания промежуродками 4, установленических опорах 5, а высубки 1 заведен во впадис ней трубки 1. Внутри узел соединещ Узел соедин го рекуператор ющие на конца примыкающие охваченные в точными перего ными на керамоставитель Г. Пвт вхрвд Т.Маточка С. Крупенин тор М. Шарсции вд Тираж 598 Подписарствеиного комитета СССРзобрвтений и открытийва, Ж, Раушская набд. 396/37 ВНИИПИ Госу о делам 35, Мос филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,3 ОВ 4722 4трубок 1...

Номер патента: 836656

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Богино, Гомжин, Каневец, Князев, Тарасов

МПК: G10L 19/02

Метки: обнаружения, пауз, речевомсигнале

...статике, при отсутствии речевого сигнала на выходе, выходное напряжение операционного усилителя 13, а значит, и нуль-органа 4 равно ну" лю, и коэффициент передачи регули 6руемого предварительного усилителя1 равен минимальному Фиксированномузначению (р=5-10).Работа схемы в динамике,Речевой сигнал поступает с выхода регулируемого предварительногоусилителя 1 на обработку одновременно по двум каналам, В одном каналеречевой сигнал выравнивается,по амплитуде с помощью частотно-зависимого усилителя 15, так как шумныевысокочастотные звуки (4-8 кГц) посравнению с полутональнь 1 ми (2-4 кГц)и особенно низкочастотными (1002000 Гц) звуками имеют низкую интенсивность, После этого он поступаетна нелинейный преобразователь 16,у которого разность...