C30B 19/00 — Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев

Номер патента: 163158

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 19/00

Метки: 163158

...рычаг 5, который своим свободным концом опирается на головку штока б, сообщая ему возвратно-поступательное движение. Во время соприкосновения эксцентрика с рычагом участками а, д, с, К которые являются частями окружности, шток неподвижен и кристалл соответственно находится в расплаве или в зоне кристаллизации.При прохождении участков а, К с и с шток находится в движении и закрепленный на нем кристалл-затравка входит в расплав и выходит из него.Время полного цикла определяется скоростью вращения оси редуктора, а соотношение времени нахождения кристалла в той или иной зоне соотношением углов а и р,Перед началом кристаллизации тигель с163158 Предмет изобретения 7 Составитель Н. Н. ГрехнсваРедактор Л. К. Ушакова Тсхрсд А. А....

Номер патента: 1581786

Опубликовано: 30.07.1990

Автор: Малкин

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208

Метки: жидкофазной, испаряющегося, методом, растворителя, эпитаксии

...параллельные сквозные канавки так, чтобы вершины канавок образовывали систему параллельных щелей с шириной 10 мкм. Затем пластину термически окисляют до образования на ней прочного окисла 80 2, который защищает ее от раэрущения расплавами и галогенидами.На подложке СаЛя марки АГЧТ обычным методом (со снижением температуры) в тигле предварительно выращивают последовательно буферный слой СаЛз, ограничивающий слой А 1 О СаАз толщиной2 мкм и ограничивающии слой А 1,Са Аз (2 10 см )толщиной 1,3 мкм. После этого температуру стабилизируют на уровне 600 С, полупроницаемую перегородку из кремния прижимают к расплаву галлия, насыщенного мышьяком. Подложку СаАз размещают в углублении ползуна, причем толщина подложки 160 мкм при глубине углубления...

Номер патента: 1604870

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Балюк, Ковалев, Крыжановский, Лозовский, Овчаренко, Юрьев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...1. Пластины имеют диамето 30 мм. Как и в примере 1, из пластин формируют композицию, которую п,мещают в муфельную печь, Рядом с композицией располагают навеску алюминия массой 600 мг. Печь нагревают до 850 С и вводят при этой температуре в зазор между пластинами расплав алюминия. Снижают темпе ратуру до 650 С и фокусируют при этой температуре на поверхности пластины- источника лазерные лучи от пространственно разнесенных нескольких стеклонеодимовых источников излучения. Дли на волны облучения 1,06 мкм. Через 3 мин облучение композиции прекращают, охлаждают печь до комнатной тем-пературы. В полученном эпитаксиальном слое кремния, легированном алюминием, полностью отсутствуют микрозоны, а плотность дислокаций составляет 2,9 х х 10...

Номер патента: 1633031

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Грошенко, Недвига, Пронина

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...слоем расплава и происходит растворение остатков основного раствора-расплава.Вследствие этого при дальнейшем перемещении подложки в холодную зону печипредотвращается кристаллизация паразитного переходного слоя.Отсутствие остатков раствора-расплава на поверхности пленки определяют визуально. Отсутствие переходного слоя определяют по характеру кривой намагничивания материала пленки. При наличии переходных слоев на кривой намагничивания пленки наблюдают характерные "ступеньки". При отсутствии переходных слоев, то есть при равномерном химическом составе пленки, кривая гистерезиса имеет гладкий вид.На полученных пленках(УЪВ 1)(ГеСа) О 2 наблюдают отсутствие остатков раствора-расплава как на поверхности, так и в местах крепления к...

Номер патента: 1659536

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Бестаев, Жуков, Томаев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/46

Метки: основе, полупроводниковых, соединений, структур

...нарващивание слоев на основе соединений А В в защитной атмосфере. Получают стрктуры с плотностью дефектов менее 10 см гомогенизации раствора-расплава. Использование чистого водорода способствует удалению окисной пленки с поверхности раствора-расплава и подложки, Затем прекращают подачу водорода и в системе создают вакуум. При достижении вакуума 10 -10 мм рт.ст. раствор-расплав приво.4дят в контакт с подложкой. После этого в системе вновь восстанавливают поток водорода и снижают температуру со скоростью 0,05 С/мин.В результате получены структуры РЬТеРЬо,ваяло,2 Те, у которых высота микронеровностей границы раздела не превышала 0,3 мкм, на границе раздела не было включений в виде пузырей и пустот, а плотность дефектов составляла...

Номер патента: 1675409

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Грошенко, Еськов, Островский, Пронина

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: магнитнооптической, структуры

...свойств полученных магнитооптических структур в сравне нии с известными приведены в таблице.Пример 2. Монокристаллическую булю КНГГ состава, указанного в примере 1, выращивают на ориентированную в направлении 112 монокристаллическую затравку1675409 формула изоб ретекия 15 Образец Известный способ 1 ) 2 5 6 7 Ориентация монокристаллическойбулиОриентация подложкиТемпературароста, СВремя роста,минУдельное Фарадеевское вращение,град мкмКоличество све 1 11 1 12 112 112 112 1 1 г 1 1 г 111 111 111 1 1 О 1 1 О 1 1 О 683 681 684 1 12 112 1 12 112 1 12 11 О 675 673 670 669 669 670 670 681 З 4 3 з з 3 з 3 4 5 17 18 175 2,0 19 2,0 2,0 2,3 1,7 1,5 2,1 тящихся точек на1 см 5 7 8 3 2 2 2 Не измерялось Составитель Е. ЛебедеваРедактор Н. Рогулич Техред...

Номер патента: 1678921

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Рандошкин, Слинкин

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: платинового, тигля

...исходного тигля.П р и м е р 2. После выращивания моно- кристаллических пленок (В 1, т- и)з (Ре, Оа)502 из переохлажденного раствора - расплава на основе В 20 з - РЬО - В 20 з. Последовательность операций и аппарату1678921 Составитель А,ЛихолетовРедактор М,Кузнецова Техред М.Моргентал Корректор М, Максимишинец Заказ 3187 Тираж 245 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 ра аналогичны описанным в примере 1. Травление тигля проводят 60.ной азотной кислотой при 80" С в течение 1 ч. Травление концентриоованной фосфорной кислотой осуществляют при 130 С в течение 0,5 ч, Температура...

Номер патента: 1726571

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дмитриев, Рендакова, Челноков

МПК: C30B 19/00, C30B 29/36, H01L 21/208 ...

Метки: выращивания, карбидкремниевых, политипа, р-п-структур

...они, по-видимому, иг- давления 3 10 мм рт.ст. последовательнорают роль фактора, увеличивающего 25 ротационным и цеолитовым насосами, авероятность образования ЗС-ЮС, Другой затем втечение 15 мин продували очищенс ественный недостаток метода - невоз- ным водородом. Величину расхода водоможность получать эпитаксиальные слои, рода устанавливали 2 д /ущз,содержащие акцепторную примесь с необ- Осуществляли нагрев тигля с навесками доходимой концентрацией. Это связано стем, .30 500 С, затем в течение 1 ч осуществлялиочто используемый в качестве растворителя отжиг при 500 С,для жижидкостной эпитаксии Оа входит в расо -зПосле отжига увеличивали нагревотущий материал на уровне 10 см и его тигля до 1200 С и в течение 0,5 ч выдерсодержание не...

Номер патента: 1396644

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Волков, Липатов, Рязанов

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, полупроводников, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания полупроводников, включающий введение раствора-расплава в зазор между вертикально расположенными нагретыми подложками, рост слоев на подложках при их вращении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скоростей роста слоев, раствор-расплав вводят в зазор до уровня центра подложек с отклонением не более 0,05Д, где Д - диаметр подложки, а вращение подложек проводят вокруг оси, проходящей через центр подложек перпендикулярно их поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных слоев кремния, процесс ведут при величине зазора между подложками 1,5-15,0 мм и скорости вращения подложек 0,1 - 20,0 об/мин.

Номер патента: 1461319

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Кирменский, Матвеев

МПК: C30B 19/00, H01L 21/68

Метки: держатель, жидкофазной, подложки, полупроводниковых, преимущественно, проведения, эпитаксии

Держатель подложки, преимущественно для проведения жидкофазной эпитаксии полупроводниковых материалов, содержащий втулку, опорный диск и стержни с установленными на них фиксаторами подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей, он снабжен проволочной обвязкой, втулка закреплен на опорном диске, стержни выполнены в виде консольно закрепленных на опорном диске упругих пластин, а фиксаторы подложки размещены в геометрической плоскости, наклонной к геометрической оси втулки и опорного диска, причем на концах упругих пластин выполнены загибы в форме крючка с возможностью размещения на них проволочной обвязки.