Патенты с меткой «слоях»

Номер патента: 15142

Опубликовано: 30.04.1930

Авторы: Вейсе, Луммерцгейсес, Шнитцлер

МПК: F21V 7/16

Метки: желатиновых, печатания, слоях, фотографических

...в рамке и передлдвига-емому гайкой. о,На. уертеэве- фиг. 1 изображает вид ре флеитора/сбоку, фиг. 27 то же, впд спереди.(роге, служащая для отражения света, имеет ъеркальную поверхность. Весь собранный. щепу через отверстие З, сделанное. в утоледщеиии-рагмни 2. Е конйам рамки прикревлево. кольцо 1, диаметр которого меньшеП э . гО выдаче патента опуоликовано 30 сентября 1930 года. Действиепатента распростра. няется на 15 лет ют 30 сентября 1930 года.рефлектора, благодаря чему пружинные части.сегмента рефлектора не могут разойтись; Прид увращении скается винт 4, вследствие чету; тсривизнауменьшается и меняется ширина страдавшего пучка лучей. Источник света. остается испод-аРефлектор с изменяющейся кривизной отразнающей...

Номер патента: 29447

Опубликовано: 31.03.1933

Автор: Маркович

МПК: E21B 47/026

Метки: горных, изучения, пород, слоях, фильтрации

...ис следуемого на фильтрацию слоя 12. По достижении дна скважины, устройство плотно упирается в дно, что достигается навинчиванием штанги с.соответствующим башмаком.Неизменность положения 1 (фиг. 5) может быть обеспечена соответственно ,устроенной защелкой, Однако при осторожном опускайии штанги верхняя часть не должна повернуться. Если же она и повернется, то пробными накачками по давлению., на манометре насоса всегда можно выяснить. то положение, в котором находится нижняя часть штанги, и после этого повернуть верхнюю часть штанги в исходное положение. В этом положении штангу наполняют до верху водою. Затем поворачивают от руки верхйюю часть штанги на 60 вправо в положение 11 (фиг. 5), при котором внутренность штанги через окна в...

Номер патента: 41224

Опубликовано: 31.01.1935

Автор: Касаткин

МПК: G01K 5/02, G01N 1/10

Метки: взятия, водоемов, воды, прибор, проб, различных, слоях, температуры

...изготовления, а следовательно дороги; для определения длины, которую занимал оторванный столбик ртути, требуется применять А ИЗОБРЕТЕНИЕ мпературы воды водоемови взятия ее проб. четы, которые дают в лучшем случае ность до 0,1.Предлагаемый прибор должен устранить указанные недостатки. Он относится к первой группе - с нужной глубины извлекается некоторый объем воды, которая не может изменить своей температуры в течение долгого времени, так как она заключена в сосуд Дьюара, в который помещен термометр, разделенный на требуемые доли градуса (например наво, 1/оо, ,1 оо).Прибор может состоять из одного сосуда Дьюара, или для более длительного сохранения постоянной температуры. из двух сосудов Дьюара.Как при одном сосуде, так и при двух...

Номер патента: 49393

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Молчанов

МПК: G01W 1/08

Метки: атмосферы, векториальной, двух, различных, разности, скоростей, слоях

...4, а также через изолированный насадок на стрелке 5 создаются перерывы в передаче, Определив время, проходящее между двойными последовательными перерывами, определяют скорость вращения пропеллера, а отсюда скорость обтекающего прибор потока. Определив по коротким штрихам положение между ними широкого перерыва, создаваемого изолированным концом магнитной стрелки, получают угол, составляемый с магнитным меридианом осью прибора, Описанным прибором возможно определить векториальную разность скоростей ветра в каких-либо двух слоях атмосферы. Для выполнения указанной операции прибор подвешивается на длинной нити (фиг.3) или тонкой проволоке, соответствующей толщине заданного слоя, к шару-зонду и вместе с ним выпускается в атмосферу. Для...

Номер патента: 62506

Опубликовано: 01.01.1943

Автор: Молчанов

МПК: G01P 5/04

Метки: атмосферы, верхних, ветра, слоях

...ОПРС: 3 СЧОГО НРННЕ)1ВЕПТИ ОЗИЕИИ с той н 5 ази Ос СЗОй КПР 3-ППЛО ГО ПОЛЗ(Ч БОГО П 1 Р( ЦЕЛно ПОВЫИ 1(ЧП(51 ОЛНОСЗ И. И Рс , 131 30( Ь ОСПОВ 1 ой Н: Р-ПИГОЗ, выполненный уравновененинм,:(одпп)ь;(, иссл; д; (Осо слои ;Ос(1)еРы с ПО;ОП(ь 0 БсГ 10)10 чт( По 0 п 11:п,( Г(1, п)1(.не т доыч :ую вертикальиук) скорость. В)спо ОГГГсльп 1 иар-ппл(:1 св).(Пп ОСНОБНЬ 1.1 НРо)1-ИИГО О) СПСП, СНИСТ. КО( )Рос ГПР;11, )С Г,:5 ЗЛЬИ- чгтром.(1 ки) 001 130., Основно и:3 Р - пи(1(:(. ПО.оп ь 0 вс 1)тГ;1(ГЬ 01,) иЯра пи От 1 быстро нодничЗС Гс 5 . и( с. 1(ч( )О О с 1051 1 1 Ос( пьь 3 ЗЕДЗННОИ ВСОТЕ, Ои,)С;СЕ 51ОПС Ч) НОВ,ой (1,ЬИС Р.1, 1 1 РЫ РГ - ПСГ)Г 51 ютс 5 и в пссед)ечО. спос 1 Ос(1)ер 1 сповпо П;п-П 1 Г Г 1,;, - полненныи, кк )казываГОсь вьп 1 с,...

Номер патента: 121202

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Лепехин

МПК: G01T 5/02

Метки: заряженных, камеры, прослеживания, следов, слоях, частиц, эмульсионной

...микроскопа, взаимно ориентируют их по имеющимся на слоях рентгеновским меткам и, наблюдая одновременно следы частицы на.обоих слоях, видимые в поле зрения микроскопа, судят об их тождестве.На чертеже изображена схема прослеживания следов заряженных частиц по предлагаемому способу.Два последовательных слоя эмульсии 1-й слой и 1.ф-й располагают каждый под одним из объективов 1 и 2 микроскопа так, чтобы были видны метки, нанесенные на обоих слоях пучками рентгеновских лучей. Объективы 1 и 2 укреплены на жестком основании и дают изображения следов в 1-ом и 1 й 1-ом слоях в одном окуляре, разделенном на две части. При этом в сопряженных точках полуполей микроскопа будут видны следы одной и той же частицы в разных слоях эмульсии....

Номер патента: 124302

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Гальвидис, Громов

МПК: G03G 13/02

Метки: потенциального, растрового, рельефа, слоях, электрофотографических

...предлагаемому способу к двух вариантах исполнения,Растровый экран 1 представляет собой пористую диэлектрическуо пластину-подложку (например,из бумаги, целлулоида и др.), на одной поверхности которой известными способами нанесена растровая сетка. Эта сетка выполнена краской с электрическими свойствами (проводимостью), резко отличающимися от электрических свойств подложки, Экран 1 накладывается растровой поверхностью на электрофотографиче ский слой пленки 2, расположенной на плоском электроде 3. Зарядка электрофотографического аллоя пленки 2 осуществляется коронным разрядником 4 (фиг, 1) или плоским электродом 5 (фиг. 2) одновременно с получением растрового потенциального рельефа.В процессе зарядки элементы растровой сетки, обладающие...

Номер патента: 198036

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Агрофизический, Лискер, Орехова

МПК: G01N 27/02, G01N 33/24

Метки: влаги, дисперсных, связи, слоях, состояния, тонких, форм

...константами почвы, При этом для построения термограммы сушки производят непрерывное взвешивание и определение температуры образца и окружающей среды. Это требует значительных затрат времени и сложной аппаратуры,Предлагаемый способ, с целью повышения точности измерений, осуществляет контроль за влажностью почвы в процессе сушки путем непрерывного измерения электрического сопротизления почвы, которое быстро реагирует на всякое изменение влагосодержания.Сущность описываемого способа заключается с следующем,Образец исследуемой почвы произвольной влажности в виде тонкого слоя помещают между двумя электродами. Один из электродов представляет собой тонкую металлическую чашку, другой - тонкое металлическое кольцо, О состоянии и формах...

Номер патента: 243254

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Буленков, Шем

МПК: G01N 30/94

Метки: подвижной, подготовки, слоях, сорбента, тонких, фазы, хроматографирования

...подвижной фазы при прохождении по сорбенту претерпевают непрерывные изменения, что приводит к изменению величины Й хроматографируемых ве- З Известны способы стабилизации по наиболее устойчивому уровню активности сорбента. Однако они не обеспечивают постоянства свойств подвижной фазы, а значит не создаюг необходимого постоянства величины ф хроматографируемых веществ.Цель данного изобретения - создание такого способа подготовки подвижной фазы для хроматографирования в тонких слоях сорбента, который обеспечил бы равновесие между подвижной фазой и сорбентом, т. е. постоянство элюционных свойств подвижной фазы в процессе разделения веществ.Эта цель достигается тем, что неподвижную фазу (растворитель или смесь растворителей) пропускают...

Номер патента: 289352

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бабушкин, Кулик, Поль, Хович

МПК: G01L 1/14, G01N 27/90

Метки: датчиков, использованием, металла, напряжений, остаточных, поверхностно, слоях, токовихревых, упрочненных

...поясняется чертежом Намагничивающими обмотками 1 токовихревых датчиков, подключенными к звуковому генератору 2, в поверхности контролируемого образца возбуждают вихревые токи. С обмоток 3 токо- вихревых датчиков снимают сигнал, поступающий в анализатор 4 гармоник, фиксирующий также аплитуды четных гармоник.Определение остаточных напряжений производится следующим образом,Предварительно снимают амплитуды четных гармоник, когда в оба датчика помещены эталонные образцы. Затем заменяют один эталонный образец контролируемым и определяют амплитуды каждой четной гармоники. Приведенную амплитуду сигнала находят нз отношения разности амплитуд каждого номера четных гармоник сигнала с эталонного и контролируемого образца к...

Номер патента: 289388

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Всесоюзный

МПК: G03C 7/22

Метки: веществ, закрепления, кислотного, слоях, фотографических, характера

...декантацией последнего и растворяют в 100 ял воды или этилового спирта. Раст вор профильтровывают и упаривают в вакуумепрп 40 - 50 С досуха. Выход около 10 г.При проведении реакции с образцом3предыдущего опыта полученный сополимер содеркал (в %): ВБТА 42, ВБЛ 50 и стирола 8 65образец6),289388 Таблица 2 Вымываемость красителя из отиска в соловом раствореОбразны желатино. вых слоев бланкфизьма с полимерным основанием (и. оо Разреп агоная способностьоттиска после переноса, ччз: Физико-механические,слояОбрабзтка своиства диффузня 4 иксзторз из слоя при лзительном контактеКо-ичсство полимерного основания на СО з желатины,г степеньнабухания,%в лубящем механич еетемперату- кая прочрзстворе ра план- ность поления, .С дерстуганову, г изображе 1...

Номер патента: 326526

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Амринов, Гуро, Ковтонюк

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, носителей, объемного, полупроводников, слоях

...поверхности полупроводникового материала, 10 Цель изобретения - устрсти результатов измерений оностных свойств (поверхнции) полупроводников и тение точности измерений.Для достижения цели тонкийлупроводника отделяют от оэлектродов слоями диэлектрикатродам прикладывают импульсго поля, под влиянием которогоных носителей заряда выводиполупроводника в приэлектроВ результате этого тепловая генеме преобладает над рекомбиннекоторое время концентрациястигает исходной величины.Параметром кривой восстанодимости объема является величии определяет время жизни. Врс генерацией только в объеме, а ности, потому что при наличии поля приповерхностные области обогащены свободными зарядами, экранирующими это поле. При этом ловушечные центры поверхности...

Номер патента: 394748

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G03G 17/00

Метки: деформируемых, изображений, оптических, преобразования, слоях

...распределецця цапряжеций в блоке управ.2 лецця.На фцг. 1 показана принципиальная схемапредлагаемого устроцства; ца фцг. 2 - то жс, разрез по Л - Л ца фцг. 1.Устройство для цреобразовяцця Оптическихцзооряжеццй ца деформируемых слоях содер)1 оцт прозраИ(к) подло)11( 1, ИО)рыт(ю прозрачцым электропроводящим слоем 2, деформцруемый слой ), например тсрмопластцчес И 11, толщиной 20 - 200 лкл. На расстояццц зо 20 - 30 лкл от поверхпостц слоя ) цомеще;139474 блок управления, выполненный в виде четалловолокопной пластины 4 с нанесенным на нее матричным электродом 5 и фотополупроводциковым слоем б. Металловолоконная пластина изготовлена из диэлектрического материала, например стекла, сквозь которое протянуты тонкие металлические воло)спа...

Номер патента: 372466

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G01B 7/16, G01L 1/22

Метки: напряжений, остаточных, поверхностных, слоях

...сверления отверстий 2 снимают показания тензодатчиков сопротивления и вычисляют остаточные напряжения в поверхностных слоях исследуемого изделия 3. Для восстановле ния первоначального напряженного состоя,ния (сжимающих остаточных напряжений) в поверхностных слоях изделия 8 в конические отверстия 2 устанавливают винты 4, б и б, путем затяжки которых создаются напряжения, 20 равные остаточным напряжениям, полученные до сверления отверстий 2.По истечении определенного числа цикловнагружений, испытуемых исследуемым штампованным изделием, снимаются отсчеты по 25 показаниям тензодатчиков сопротивления,,конические винты 4, б и б извлекаются пз от,верстий 2 и снова снимаются отсчеты. По ,разности отсчетов вычисляется величина остаточных...

Номер патента: 376241

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Пастух, Постернак, Толмачев

МПК: B29C 37/00

Метки: вырубки, многослойного, наружных, отверстий, пластичного, слоях

...- положение лезвий ножа при входе в материал и в материале; на фиг. 3 - положение лезвий ножа при удалении вырубленной пластинки; на фиг. 4 - положение лезвий ножа при вьталкивании пластинки.Контурный нож 1, взаимодействующий с приводом 2, имеет неподвижное лезвие 3 и разрезное лезвие 4, которое может перемещаться до контакта с лезвием 3 посредством конуса 5, действующего от привода 6, и пружины 7,Вырубка отверстий с образованием перемычки 8 производится в наружном слое 9 многослойного пластичного материала 10,Защемлепие пластинки 1и и3 и 4 происходит с образ а 12и стенки 13.Для выталкива пластинок 11 служит5 выталкиватель 14, имодействующий с приводом 15.Устройство работает следующим образом.Взаимодействующий с приводом 2 контурный нож...

Номер патента: 499511

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Голубев, Липин, Михневич

МПК: G01L 19/00

Метки: атмосферы, верхних, давления, слоях

...подобными насадками,размещенными вдоль продольной оси носителя, определяют поправочный коэффициент ивводят сго в измеряемый параметр, 15Сущность способа заключается в том, чтоопределяют поправочный коэффициент К в реальных условиях ракетного эксперимента путем сопоставления результатов одновременных независимых измерений давления двумя 20или большим числом геометрически подобныхнасадков различных диаметров, установленных на одной ракете. Как только для прибора 1 с меньшим характерным размером будет реализоваться переходный рсжим, величина К, начнет увеличиваться до тех пор, пока и насадок 2 с большим характерным размсром не окажется в переходной ооласти.Для участка траектории, когда оба насадка находятся в переходной зоне,...

Номер патента: 571728

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Антоненко, Исаков, Яковлев, Яковлева

МПК: G01N 1/04

Метки: гнезд, образования, почвы, слоях

...в другое поверхностно заборного цилиндра. 20Цель предлагаемого изобретения - сохранение геометрии гнезда,С этой целью заборный цилиндр снабженрасположенным на его наружной поверхности полым съемным цилиндром с прорезью. 2На чертеже показано предлагаемое устройство, продольный разрез.Устройство состоит из цилиндра 1 с 1 рукояткамн 2, штока 3 и выталкивающего диска 4,На наружной поверхности,.цинаходится шпилька 5, крепящая пный цилиндр 6 с прорезью 7.Устройство работает .следующим образом.В заранее выкопанной траншее в измеряемом слое устройство вводят в почву путем вращения ето эа рукоятки 2. После заполнения почвой внутреннего объема цилиндра 1, устройство извлекают из почвы. Причем полый съемный цилиндр 6 сходит сошпильки 5 и остается...

Номер патента: 572751

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Анфилов, Роженко

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрической, изображения, пленкой, слоях, фотополупроводниковых, электрофотографического

...О вследствие резкого уменьшения их сопротивления переходит ца границу раздела слоя и11 пленки, где создается плотность заряда О + + о, равная по абсолютной величине заряду ца поверхности пленки о + а . На темных участках слоя распределение зарядов остается прежним.В следующей 1 Ч стадии процесса поверхность пленки закорачивается с проводящей подложкой при отсутствии света, например, с помощью вала с покрытием из токопроводящей резины.Таким образом, что исходя из соотношениясл 1 сл + "пп - Огде е и еп - напряженность электрического поля соответственно в слое и пленке; дсп и П - толщины слоя и пленки,уравнивание потенциалов поверхности пленки и проводящей подложки приведет к таму, что на экспонированных участках слоя плотность заряда на...

Номер патента: 600504

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Браницкий, Малченко, Рахманов

МПК: G03C 5/00

Метки: изображений, негативных, палладийсодержащих, позитивных, слоях, фотографических

...в слое составляет15 3 10 -г/смг. Слой сушат ца воздухе прц нормальных условиях и экспонируют УФ-светомлампы ДРТна расстоянии 25 см в течение 10 - 30 сек. Далее проявляют в проявителе, содержащем 45 г/л ХС 1 г 6 НгО; 120 г/л20 ХаНгРОг НгО; 88 г/л Ха,СеН 50 ХаОН дорН=08,5 при 20 С в течение 8 мин. Полу 1 сцнос негативное изоораженцс хд 1)актеризусся высокой оптической плотностью (В,= -= - 1,2) и абсолютно безвуально.25 П ример 2. Опыт проводят по пример) 1,только проявление осуществляют при 30 С втечение 6 мин. После проявления получаютбсзвуальнос негативное черно-белое контрастцос изображение с йон;=1,3,Зс) Пр имер 3. Опыт проводят по примеру 1,но осушсствляют при 35 С. После проявления600504 ризображений с Йм,: 1,3 составляет менее...

Номер патента: 654849

Опубликовано: 30.03.1979

Автор: Михайлов

МПК: G01B 5/30

Метки: напряжений, остаточных, поверхностных, слоях, тела

...помощи производят начальное измерение ио, Вдоль оси Увыполняют прямолинейный надрез 3 так, чтобы его кромка совпала с площадкой 1. После доведения надреза до заданной глубины и выравнивания температуры при помощи.тензодатчика выполняют повторное измерение и,. Измеряют также глубину и ширину надреза, базу датчика и расстояние от него до кромки надреза. Остаточные напряжения на площадке 1, которая в общем случае не является главной, подсчитывают по формулеЕо,(и, - п),где Е - модуль продольной упругости;д - цена деления измерителя 2 деформации в относительных удлинениях е,У - коэффициент чувствительности, зависящий от характера распределения определяемых напряжений о о от формы и размеров надреза, размеров и положения относительно надреза...

Номер патента: 702264

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Герус, Лысенко, Наринский

МПК: G01N 3/42

Метки: приповерхностных, слоях, твердости

...деформирование материала, а о твердости материала судят по. изменению следа.На чертеже изображено устройство, позволявшее реализовать данный способ,Устройство включает обойму 1, план- шайбу 2 токарного станка, первый индел тор 3 качения, выполненный в виде шари ха 5 мм, шток 4 нндентора, гидропилиндр 5 индентора, спецкронштейн 6, суппорт 7,Контролю подвергают обоймы подшипнь ков. При реализации саособа обойме 1 уолУ ф3 : ;, 702 танавливается, например, в планшайбу 2 токарного станка. Индентор 3 с штоком 4 и гидропилиндром 5 крепятся спепкронштейном 6 к суппорту 7, Обойму 1 приводят во вращение. Величину усилия развиваемого индентс ром, регистрируют манометром, встроенным в гидропилиндр 5 Первый индентор заменяется вторым, Испытание...

Номер патента: 807137

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Горбунов, Моисеев, Степанов

МПК: G01N 3/58

Метки: изнашивания, инструментав, обработаннойдетали, поверхностных, распределенияпродуктов, слоях

...заключающийся в том, что обрабатывают деталь инструментом 20 частиц, образующихся в материале детали в результате бомбардировки нуклонами 121Недостатком известных технических решений является низкая эффективность и недостаточная радиационная безопасность, что обусловлено неВозможностью снятия без. изменения расположения продуктов изнашивания инструмента тонких слоев с поверхности об- ЗО С СтепановУ,807137 Составитель В. ДаниловРедактор В. Данко Техред М, Голинка Корректор Н. Григорук Заказ 272/65 Тираж 918 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 слоях у образцов размером 8 х 8 х 2 мм, вырезанных...

Номер патента: 845589

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Барит, Казанцев, Кузьмин, Макаров, Пронман

МПК: G01N 23/221

Метки: активационного, определенияпримесей, слоях, тонких

...примеси (поверхность и тонкий слОЙ) 1У - выходы реакции (с 1, и), по которой определяют суммарное содержание примеси, и реакции (а, р), по которой оп ределяют поверхностное содержание;А - коэффициент, учитываюший эффективность регистрации активности определяемого радиоизотопа, тормозную способность анализируемого вещества, сечение реакции (д, а), энергию дейтеронов и временной режим анализа;ос - индекс, соответствующий образцу сравнения,П р и м е р, Молибденовая фольга с содержанием углерода 15+ 1) 1 О - % анализировалась по реакции С (с, а) 1 ЗХ.Образец облучался потоком дейтсронов, при этом регистрировалось мгновенное излучение протонов отдачи, образующихся в результате реакции "С (д, р) "С дейтеронов с углеродом на поверхности...

Номер патента: 723919

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Вайтюк, Ганчо, Громов, Дикань, Моцкус

МПК: G03G 13/00

Метки: изображений, органическихэлектрофотополупроводниковых, просветления, слоях, электрофотогра-фических

...жидкостного проявления частицами размером менее 0,1 - 1 мкм. Кроме этого, подбор скорости растворения позволяет получить качественно новый эффект - полное растворение слоя и под элементами изображения. Этот эффект расширяет область применения способа просветления - с его помощью можно образовывать и затем просветлять многоцветные изображения, предназначенные для просмотра на просвет, на непрозрачных электрографических слоях. По способу 3 такие изображения выглядели бы на просвет черно-белыми из-за непрозрачности слоя, оставшсгося под изображением.Для органических фотополупроводниковых слоев в качестве растворяющих компонентов могут быть использованы ароматические углеводороды, кетоны, эфиры и т. п,Предлагаемый способ состоит из...

Номер патента: 953439

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Михайлов

МПК: G01B 5/30

Метки: варианты, двухосных, его, напряжений, остаточных, поверхностных, слоях, тела

...определения величины и направ ления главных растоцных напряжений в поверхностном слое тела 1, на по" верхности тела 1 закрепляют датчики 2-4 деформации, располагая их группами на разноудаленных от намеченного центра углубления окружностях. Для датчиков с активной базой равной 9 мм расстояния от центра до этих 9 4окружностей составляет; 3,5 мм длядатчиков 2-ой группы, 24 мм - для3-й группы и 36 мм - для 4-ой группы.В каждую группу вклюцают одинаковоечисло датчиков, например шесть. Приэтом углы между осями датчиков будутравны 0; 60; 120; 180; 240; 300 и3600(фиг. 1),Измеряют начальные показания датчиков, Затем в намеченном центре выполняют цилиндрическое углубление 5диаметром 10 мм на глубину 12 мм втри этапа, равных 2,5; 5,8 и 12...

Номер патента: 980149

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Гаврилов, Глушко, Гусев, Мягков

МПК: G03G 16/00, G03G 17/00, G03G 5/022 ...

Метки: деформируемых, записи, информации, носитель, слоях

...схема носителя записи информации на деформируемых слоях.Носитель содержит прозрачную диэлектрическую пластину 1 с нанесенным на нее прозрачным злектропроводящим слоем 2, покрытым деформируе- мым слоем 3. Над ней расположена диэлектрическая пластина 4 с последовательно нанесенными на нее первой системой электродов 5, на которую нанесен диэлектрический слой б, и второй системой электродов 7 с нанесенным диэлектрическим слоем 8,Устройство записи информации на деформируемых слоях работает следующим образом.Под действием электростатических сил на свободной поверхности деформируемого слоя 3 образуется геометрический рельеф, глубина которого зависит от величины подаваемых электрических сигналов, а форма определяется конструкцией...

Номер патента: 981923

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Гайдялис, Ганчо, Моцкус, Скаржинскас

МПК: G03G 13/00

Метки: изображений, органических, просветления, слоях, электрофотографических, электрофотополупроводниковых

...повторяют, каждыйраз проявляя слой проявителем соответствующего цвета,После этого ОЭС с видимым изображением опускают в смесь нейтральной жидкостии растворителя. При растворении смесь мож-,но перемешивать непрерывно или периодически, По окончании растворения слой вынимают и высушивают. При просветлении находящийся в слоеюнерастворимый полимер связывает частицы проявителя и потому не происходит дефор. мация знаков, что повышает качество просветленного изображения и позволяет увеличить количество растворителя в смеси до 80%, Рекомендуемое содержание растворителя в смеси при пониженных температурах 5 - 10 С 60 - 80%, а при повышенных температурах 30-40 С 40-50%Способ экспериментально проверен на ОЭС, состоящих из стеклянной подложки с...

Номер патента: 996985

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Монтримас, Моцкус

МПК: G03G 13/01

Метки: изображения, многоцветного, органических, слоях, фотополупроводниковых, электрофотографического

...и заряда противоположной полярности. частицами проявителя второго цвета Выдерживание слоя определенное вре- (фиг. 10, область 4), На те места, мя при повышенной температуре необхо. которые проявляются повторно, по- димо для ориентирования дипольных 4 верх частиц первого проявителя намолекул, сегментов и других полярнЫх кладываются частицы второго проявите- групп с большой постоянной времени. ля (фиг. 10, область 5). При низких температурах и малом вре- Таким образом, предлагаемый спо.мени дипольные молекулы не ориентиру- соб позволяет получить трехцветное ются, а при высоких температурах от изображение, состоящее из двух чистых рицательное влияние оказывает разряд- цветов и одного смешанного, При этом ка слоя в темноте, Так как эффект...

Номер патента: 1007062

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Игнатенко, Мусеев, Степанов, Шидловский

МПК: G01W 1/08

Метки: атмосферы, верхних, искусственных, облаков, слоях, создания

...по заданному закону.Устройство для создания искусственных облаков в верхних слоях атмосферы, содержащее герметичную емкость для реагента с выпускными механизмами, пиротехнический заряд и воспла" менитель, снабжено расположенной внутри герметичной емкости с реагентом вдоль ее образующей герметичнойЯ= СЬТ щ Ф ЬЯ, (2) 5где С - удельная теплоемкость реагента для Т С 11300 = 203кг градЬТ - разность между температу"рой кипения и начальнойтемпературой реагента (дляТ 1 С 14 Ь Т 4 117, 0 С);щ - масса реагента (щ = 20 кг): 5 Ь Я - теплота, необходимая на прогрев конструктивных элементов устройства, определимая для данной конструкции в интервале 0,1-0,159,При использовании реагента массой щ = 20 кг Т 1 С 14 с удельной теплоемеоотью Сп 203 в ,фее-...

Номер патента: 1073574

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Волков, Герасимов, Ларионов

МПК: G01B 11/30

Метки: глубины, микрорельефа, подложках, полупроводниковых, преимущественно, слоях, тонких

...к плоскости подложки, изменяют в этой плоскости угол падения пучка света наподложку, регистрируют те углы, прикоторых достигаются экстремальныезначения интенсивностей света вдифракционном спектре, и по этимуглам определяют глубину микрорельефа по формуламЪпЬф дпя минимальных значений интенсивностей света,Ь, для максимальныхзначенийЪ(Л+ Офсое Ч интенсивностей света,. где и - глубина микрорельефа;р -. Угол падения кучка света иа подложку,П - целое число;3 - длина волны падающегоизлучения.На фиг.1 и 2 изображены схемы реализации способаизмерения глубинымикрорельефа, преимущественно в тонких слоях на попупроводниковых подложках; иа фиг.З - диаграмма изменения интенсивности света в дифракционном спектре в зависимости от угла падения...