Преобразователь изображения

Номер патента: 1095811

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Беломестнов, Зотов

МПК: G06K 9/00

Метки: выделения, изображения, многослойном, основе, полупроводника, преобразователе, признаков

...11 енных Осов ты и НО" 1 ГЕЛНМИ Задд, ПрОСТрднстт.:. с т;г пределение неосновньхнос ,.л=.й заряда Я в ОбъедненнойОбдо, д позер.,Ос.и слоя полупрото,.ИКД в : . ТОМ СЛУЧДЕ ГООтВЕТСТВУЕТРотс" 1 гтСЯ ВЕНО -ДИСКРЕтИЗИРОВаННЫМ ьыб ркд : оптического изобрдже"НтЯ тт:ОТОРЫСОХРННЯЮТСЯ 11 Б СЛУ 1 де т ко Дд это и:.1 обРажение УтбТРдют,После этого проецируют нд тот же СЛОЙ .:10 ТО:тОВОДНИКа МНОГОСЛОЙНОГО преобрдзоьателя еще два вспомогат.Н,тьх о-,тиеских изображения 17. (Ом фиг,2) в одно.; иэ кото- ОЫХ:1.;МЕНЯЮТ НЕСУЩУС ЧДСТОТУ ИЗЛУ тения, а также поворачивают на плоскость поляризации излучения, которым сформировано в помогательное Оптическое изобрдяение 1,.Так как все три иэображения сфор- МИРОВДНт 1 ПРОСтРаНСтВЕННОй МОДУЛЯЦИЕЙ пучков когерентного...

Номер патента: 178400

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01M 4/08, H01M 6/00

Метки: гальванических, пастированных, электродов, элементов

...емных форм 2. В це жен питатель 3 для цилиндрической пов ны отверстия 4, со т из дисковой цент ых по ее периферии итре центрифуги ра пастированного цин ерхности питателя диняющие полость Р ф.разь- сполока. На сделапита ч До последнего времени изготовление пастированных электродов гальванических элементов осуществлялось вручную путем шприцования, например цинка, на токоотвод через калиброванную насадку. Такое изготовление электродов малопроизводительно и не обеспечивает необходимого качества из-за ненадежного контакта пастированного цинка с токоотводом, наличия воздушных пузырьков в пастированном цинке и других причин.Цель изобретения - повышение производительности и качества электродов. Это достигается тем, что в устройстве...

Номер патента: 486403

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Кочергинский, Лямин, Попова, Фатеева

МПК: H01M 13/04

Метки: воздушной, деполяризации, первичного, положительного, электрода, элемента

...- полиэтилсилоксаном, смешивания его с марганцевой рудой и ацетиленовой сажей и пропиткп полученной смеси в щелочном электролите с последующим прессованием.Однако известный способ характеризуется чамоканием положительного электрода в процессе длительного хранения и при эксплуатации элемента, в результате которого кислород воздуха не адсорбируется активированным углем, а проникает через положительный электрод к цинку, вызывая его саморазряд и тем самым ухудшение электрических характеристик элемента в целом.Намокание происходит вследствие нарушения гидрофоб ности полиэтилсилокса нов ой пленки,По,предлагаемому способу с целью предотвращения намокания обработку активированного угля ведут в 1,0 - 2,5 о/о-ном растворе...

Номер патента: 1059590

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Баратов, Бекичева, Жулай, Коломиец, Любин, Межов, Пойманов, Шило

МПК: G06K 19/02

Метки: изображений, нанесения, пленки, полупроводника, преобразоват, состава, стеклообразного, фототермопластический, фототермопластического, фоточувствительного

...путем дискретной подачи его в квазизамкнутый испаритель,а подогрев диэлектрической подложкиосуществляют в пределах 60 - 170 фС.На .чертеже изображена принципиальная конструкция фототермопластического преобразователя изображений.Преобразователь состоит из металлизированной подложки 1 с последовательно нанесенными на нее пленкамиточувствительного стеклообразногоп олупроводника 2 и термопластичес- проводника при испарении с цельюкого материала 3. получения фоточувствительных пленок,Фототермопластический преобразова- идентичных по химическому составу стель изображений работает следующим исходным испаряеьым материалом. Этообразом. способствует сохранению высоких свеПреобраэователь заряжается в по 5тотехнических и электрических...

Номер патента: 1672431

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Захаров, Спирин

МПК: G02F 1/03, G06F 3/00

Метки: изображения

...распределением интенсивности записывающего света, распространяющегося по отверстиям со светопроводя щим материалом. Возникновение информационных носителей заряда в полупроводнике под действием засветки приводит к перераспределению (модуляции) падений напряжения на полупроводнике и слоях диэлектриков, Из-за возникающего градиента концентраций информационные носители заряда диффундируют из-под торцов отверстий во все стороны вдоль границы раздела полупроводник - диэлектрик 6 (см. фиг,1) в пространство полупроводника, находящееся между отверстиями, Если диффузионная длина носителей заряда меньше, чем расстояние между отврстиями, то они не достигают участков поверхности полупроводника находящихся под соседними отверстиями, Кроме того,...