Способ изготовления магнитодиодов

Номер патента: 1429855

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Кляус, Крымский, Ли, Ольшанецкая, Пленидкин, Халиуллин, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

МНОГОКАНАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, выполненное на полупроводниковой подложке и содержащее многовыходной коммутатор, общую шину считывания и в каждом канале цепочку зарядно связанных элементов из входной и выходной диффузионных областей противоположного подложке типа проводимости, первого, второго входных затворов и затвора переноса, расположенных на слое диэлектрика, причем затвор переноса электрически соединен с соответствующим выходом коммутатора, а выходная диффузионная область с общей шиной считывания, отличающееся тем, что, с целью увеличения точности подавления неинформационных компонент сигнала, в него введены общая шина записи и блок предпроцессорной обработки с сигнальным входом и компенсирующим...

Номер патента: 1712906

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алябина, Корнаухов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа

...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...

Номер патента: 725220

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Орловский, Чуев

МПК: H03K 5/20

Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...

Номер патента: 237227

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вители, Моског, Проектно, Тепловой

МПК: G05B 11/16

Метки: изодромной, обратной, регулятор, релейного, связью, типа, электронный

...1 ас 1 хада -1, нагруженного пусковым устройством б исполнительного механизма и первичной обмоткой 7 трансформатора 8.Прп опрокидывании триггера 3 ток в оомотке 7 резко обрывается, в результате чего на обмотке 9 возникает резко несимметричное напряжение. В тот полуперпод, когда протекает ток в обмотке 7, амплитуда напряихвния на обмотке 9 зависит в основном от коэффициента трансформации и величины тока в обмотке 7. В следующий полуперпод, когда ток в оомотке 7 резко Оорываетс 11, амплитуда напряжения на обмотке 9 зависит, главным образом, от ампервптков и пнлуктпвност 11 первичной ОомОтки, и та 1 хже От нагрузки, включенной на дополнительную обмотку 10.Амплптулное значение напряжения на оомотке 9 в полуперпол, когда оорывается ток...

Номер патента: 748812

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Гордун, Фролов

МПК: H03K 3/2893

Метки: проводимости, разного, связью, типа, транзисторах, триггер, эмиттерной

...в пряго транзистора, ре- мом направлении, то цепь положительной обгрузки, включенный ратной связи замкнута, и при выходе транпитания и коллекто зистора 1 из насыщения в схеме развиваетсястора, резистор свя 25 лавинообразный процесс обратного опрокиго подюцоченк ами дывания. Этот процесс продолжается доистора, введеньс до- момента запирания диода 4, после чегор и разделительный цепь положительной обратной связи окадополннгельного зывается разорванной, и схема возврак шине источника 50 щается в исходное состояние.ектору выходного Поскольку эмиттер транзистора 3 соетор - к точке сое- динен с шиной источника питания непосреда резистора связи с ственно, а рабочая точка атого транзисторазделительного диода перемещается в процессе работы...