Подлепецкий

Номер патента: 1748505

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Герасимов, Козин, Подлепецкий, Сафронкин, Фоменко, Чувашов

МПК: G01N 27/12, H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий формирование на планарной стороне кремниевой пластины слоя окисла, создание диффузионных областей, металлизации и контактных площадок активного элемента прибора, нанесение двухслойного металлического покрытия на поверхность пластины, формирование фоторезистивной маски с окнами, соответствующими выводам прибора от контактных площадок, гальваническое наращивание металла в окнах фоторезистивной маски, удаление фоторезистивной маски и двухслойного металлического покрытия вне областей выводов, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины, травление пластины с непланарной стороны до требуемой толщины активного элемента,...

Номер патента: 1700391

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Аразов, Подлепецкий, Фоменко

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...напряжение МДП-тран, С ЧЧзистора; Ь = удельная крутизна; р - подвижность электронов в канале; Со - удельная емкость диэлектрика;и Ю - длина и ширина канала транзистора.10 Так как в. предлагаемой схеме ток стокаи напряжение на стоке задаются, выражение (1) перепишем в виде 21 с"+2 р+ 20 Со Ь(рк - разность работ выхода электрона;Ов - заряд на границе раздела полупроводник-диэлектрик;КТ йдЮ = и Ч - заряд электрона К -9 ппостоянная Больцмана; Т - абсолютная температура; Кд - концентрация примеси в подложке; п - концентрация носителей в собственном кремнии; яо - электрическая постоянная; я - диэлектрическая проницаемость кремния.При изменениях температуры меняют ся параметры Ь и Оть щ:- т, ут 2 ргде Т, - комнатная температура; Ио -...

Номер патента: 1631393

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Подлепецкий, Фоменко

МПК: G01N 27/26

Метки: ионов, концентрации

...наэлектроде сравнения итока стока,В этом выражении от температурызависит только Ь. Поэтому, подставивзначение Ъ из формулы (3), получают1 О Первоеыражения Тс,= К сложениянапряжениПри этомтора 18 д где нап яжение на е дора 18;коэффициент передтор 12 предназнаигнала, пропорциотемпературы раст выход е чи,енальо г 18 Трет для выд ного пр+ ЭЕ 2 с 1ЭТ1 с03 --- (рн -рн ,1 +1 о 2) геН д,Б - напряжения на выходахсумматора 12 и источника напряжения б;К- коэффициент усилениясумматора 12.Калибровка всего устройства проводится в два этапа. На первом этапе ИЧПТ 1 и электрод 2 сравненияпомещают в первый буферный раствор сопределенным значением рН, например,35рН = 1,68 при температуре Т . После окончайия переходных процессовпутем регулировки...

Номер патента: 1569442

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Ворона, Гуменюк, Орлов, Подлепецкий

МПК: F15B 3/00, F15B 9/03

Метки: усилитель, электрогидравлический

...7 соответствует процессу изменения магнигного поля (график на50фиг.Зи), тем самым ускоряет процесспереключения гидроусилителя,Изобретение относится к гидроавтоматике и может быть использовано в Усилитель 13 выполнен с коэффициентом усиления, определяемым из соотношенияК,=20 ЛИ,где ф, - номинальная чувствительностьдатчиков 10 и 11В - номинальное значение магнитной индукции, соответствующее номинальному входному току 1 и номинальному входномуонапряжению 0,а второй дифференциальный усилитель15 выполнен с коэффициентом усиления.определяемым иэ соотношения Цо /1 озгде К - сопротивление датчика 16. Датчики 10 и 1 размещены так, что направление их максимальной чувствительности совпадает с направлением магнитного поля в зазоре, т,е....

Номер патента: 1509719

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Ивин, Николаев, Подлепецкий, Селиванов, Фоменко

МПК: G01N 27/30

Метки: ионов, концентрации, растворах, электролитов

...второй вход которого соединен с выходом второго источника 7 напряжения и входом отражателя 9 тока, первый выход которого соединен со стоком 18 индикаторного транзистораи инвертирующимвходом операционного усилителя 10,неинвертирующий вход которого подклю -чен к второму выходу отражателя 9 тока и стоку 19 вспомогательного тран 5зистора 2. Выход операционного усилителя 10 подключен к вспомогательномуэлектроду 3 и третьему входу блока 11температурной компенсации, выход которого подключен к входу вольтмет- Ора 12.Устройство работает следующим образом.Индикаторный 1 и вспомогательный2 транзисторы включены таким образом, 15что они работают в биполярном режиме.Такой режим возможен, если диффузионная длина неосновных носителей в подложке...

Номер патента: 1471077

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Подлепецкий, Фоменко

МПК: G01F 23/24

Метки: датчик, жидкости, уровня, электропроводящей

...входом через второй переключатель 1 9 к выходу перемножителя-делителя 14 и к 1второму контакту первого переключателя 18, переключаемый контакт кото-рого соединен с входом вольтметра 17постоянного напряжения. Второй источник 9 питания подключен к соответствующим входам сумматора 12, лога" рифмического усилителя 13 и перемножителя-делителя 14, включенным последовательно. Третий источник 1 0 питания соединен с первым .контактом третьего переключателя 20, второй контакт которого соединен,с выходам операционного усилителя 1 5,а переключаемый контакт - с блоком 1 6 регистрации и соответствующими входами сумматора 12 и перемножителя-делителя 14. Датчик уровня электропроводящей жидкости работает следующим образом.При погружении...

Номер патента: 1363097

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Гуменюк, Запорожченко, Подлепецкий

МПК: G01R 33/06

Метки: индукции, магнитного, поля

...неосновные носители заряда действует сила Лоренца Р = Ч, В, которая отклоняет их на угол р В Холла и тем самым увеличивает эффективную длину Ь пролетной области:Ь(В) = 1./соз(рфВ), (1)где р - холловская подвижность ННЗ; 40- эффективная длина пролетнойобласти беэ магнитного поля,а значиткоэффициент усиления транзистора и,. следовательно, ток коллектора. 45В предложенном способе инжекцию носителей осуществляют в короткие промежутки времени с, меньшие временипролета носителей из области инжекциидо области экстракции (отсутствиеМП) сс с = Ь/Ч (2)и измеряют время задержки с электриЭческого импульса, образованного захваченными коллектором ННЗ относительно импульса, вызывающего инжекциюННЗ, Данное время задержки равняетсявремени...

Номер патента: 1095424

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Ахутин, Григорьев, Квитка, Линник, Лукьяновский, Подлепецкий, Степаненко

МПК: H04B 7/00

Метки: передатчик, сигналов, телеметрических

...и является выходом усилителя, управляемый генератор импульсов содержит первый р-п-р-транзистор, эмиттер которого соединен через первый резистор с положительной шиной источника питания, а коллектор - с базой п-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с отрицательной клеммой источника питания, а коллектор через второй резйстор - с положительной шиной источника питания и через третий резистор - с базой второго р-п-р-транзистора, эмиттер которого соединен с положительной шиной источника питания, а коллектор через четвертьп 3 резистор - с отрицательной клеммой источника питания, причем база и-р-о-транзистора соединена че рез первый конденсатор с коллектором второго р-п-р-транзистора, кото; о рый является выходом управляемого генератора...