Нешов

Номер патента: 1649971

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Водопьянов, Журавлева, Нешов, Пузанов, Пяткова, Стахеев, Чекунков

МПК: H01L 21/82

Метки: кмоп-интегральных, схем

Способ изготовления КМОП-интегральных схем, включающий формирование в подложке из кремния первого типа проводимости областей кармана второго типа проводимости, имплантацию ионов кислорода и проведение термообработок для формирования внутреннего нарушенного слоя, формирование комплементарных МОП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности КМОП-интегральных схем за счет увеличения устойчивости к эффекту "защелкивания", перед имплантацией ионов кислорода на подложке формируют маску между комплементарными МОП-транзисторами, причем ее толщину выбирают из условия получения после проведения имплантации ионов кислорода и термообработок внутреннего нарушенного...