Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов

Номер патента: 1562892

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Гранковский, Зинченко, Минаков, Падалко, Сергеев

МПК: G05D 23/19

Метки: диффузионном, многослойных, нагрева, полупроводниковых, процессом, структур, формировании

...диффузант. Блок 18 интегрирования, работающий в реальном масытабе времени, выдает на блок 19 сравнения текущеезначение глубины диффузии. При достижении заданной глубины, устанавливаемой задатчиком 20, с блока 19 сравнения подается сигнал на ключ 21, который переключает программный задатчик23 температуры на снижение температуры печи. Таким образом, возможные самопроизвольные изменения температурыв печи учитываются путем изменениявремени нагрева, корректированияпрограммы нагрева,Система позволяет обеспечить требуемую глубину диффузии примесей приполучении многослойных полупроводниковых структур и в связи с этим повысить процент выхода годных приборов,Формула из обретенияСистема управления процессом нагрева при диффузионном...

Номер патента: 1686983

Опубликовано: 27.06.1998

Авторы: Заддэ, Кузнецов, Курсакова, Сурьянинова, Токарев

МПК: H01L 31/18

Метки: n+-p-p+, изготовлении, кремниевых, структур, формирования, фотопреобразователей

Способ формирования n+-p-p+-структур при изготовлении кремниевых фотопреобразователей, включающий создание на противоположных сторонах кремниевой пластины источника фосфора и источника бора в виде боросиликатной пленки из пленкообразующего раствора с содержанием оксида бора в нем 20 - 60 мас.%, последующую термодеструкцию, термическую диффузию фосфора и бора в кремниевую пластину, удаление окисной пленки с двух сторон пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия фотопреобразователей за счет управления профилем распределения примесей n-типа и исключения взаимного влияния примесей, диффузию фосфора проводят в две стадии, при этом на первой стадии в качестве источника фосфора...

Номер патента: 1738039

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брицис, Казачонок, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий формирование на посадочной поверхности кристалла слоистой структуры, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, слоистую структуру выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30 - 150 нм, а пайку осуществляют при 400 - 480oС в течение 1,5 - 5 с.

Номер патента: 1284415

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: n-p-n, вч-транзисторных, кремниевых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ n-p-n ВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий формирование в кремниевой полупроводниковой подложке базовой области, легированной бором, нанесение маскирующего слоя, стойкого к окислительной среде, например нитрида кремния, гравировку, при которой маскирующий слой, стойкий к окислению, остается в местах расположения будущих эмиттеров, термическое перераспределение базовой примеси в окислительной среде, вскрытие эмиттерных окон удалением маскирующего слоя и формирование эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения частотных и усилительных свойств транзисторных структур при увеличении выходной мощности, после формирования в полупроводниковой подложке базовой области перед нанесением маскирующего...

Номер патента: 1533135

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Брицис, Стасюк, Фридлендер, Шевцов

МПК: B23K 1/20

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий нанесение на посадочную поверхность кристалла слоев алюминия и германия, на поверхность кристаллодержателя - слоя алюминя и последующую пайку кристалла к держателю, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности паяного соединения, металлизированную посадочную поверхность кремниевого кристалла покрывают пленкой припоя на основе алюминия и германия, полученной с помощью их одновременного осаждения из паровой фазы.