Патенты с меткой «оптоэлектронных»

Номер патента: 637766

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Гингис, Орешкин, Переверзев

МПК: G02B 6/122

Метки: интегральных, оптоэлектронных, пассивный, устройств, элемент

...друг над другом на слое проэкспонированного светочувствительного материала промежуточного слоя из материала элементов побочной подгруппыгруппы периодической системы и проэкспонированного верхнего слоя светочувствительного материала, при этом указанные проэкспонированные слои выполнены из халькогенидного соединения мышьяка.На чертеже показан описываемый пассивный элемент.Он содержит подложку , на которой один над другим последовательно расположены проэкспоннрованный слой 2 светочувствительного материала с коэффициентом преломления п, промежуточный слой 3 из материала, взаимодействующего при воздействии света со светочувствительным материалом, н проэкспонированный слой 4 све. точувствительного материала, коэффициент преломления...

Номер патента: 714493

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Ломов, Паринов, Чиркин, Юдичев

МПК: G11C 11/02, G11C 11/42, G11C 7/00 ...

Метки: динамический, запоминающихся, оптоэлектронных, транспарант, устройств

...п 5 хньх уп .равления по координатам Х и У 3 и 4,концы которых объединены, а началасоединены с выходами ключей управления5 входьх"которыхподключены-к управляю-,цпхм входам транспаранта 6 первые до-,полнительньхе входы - к первому дополнительному упраахякппему"входу транспаранта 7, а вторые дополнительные входы" к второму дополнйтельноМу управляющемувходу транспаранта 8,Устройство работает следующим образом. Выбор некоторого участка 2 осуществляется включениемд 63% определенньххсоседних ключей 5 по координате Х и двух 25определенньхх соседних ключей 5 по координате У. При- этбм йапрйвйейие Фоков какв выбранных союзник ключах по координате Х, так и в вьхбраххньхх соседних ключах по координате У определаетСя нодарххостьм напряжении на...

Номер патента: 1829804

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Васильев, Швейкин, Шелякин

МПК: H01L 31/18

Метки: оптоэлектронных, полупроводниковых, приборов

...7 мм рт,ст. выращивали пленки с еленида цинка при температуре подложки (гетер о структуры с мезой) 70 С,В первом случае используют в качестве источника нелегированный, поликристаллический сел енид цинка. Это позволило получать напыляемые пленки селенида цинка с удельным электросопротивлением р = 10 Омфсм.Во втором случае используют в качестве источника с еленид цинка, легированный примесью Ма до концентрации 810ат. Это позволило получить удельное электро- сопротивление напыляемых слоев селенида цинка 10 Омфсм,В третьем случае используют в качестве источника селенид цинка, легированный примесью Са до концентрации 810ат.0, что приводит к удельному сопротивлению напыляемых слоев сел енида цинка 10 Омфсм.П р и м е р 2. Мезаполосковые...