Буттаев

Номер патента: 766418

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: aiibvi, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа AIIBVI, включающий вакуумирование рабочей камеры до 1 10-1 1 10-2 мм рт. ст. продувку водородом, создание давления водорода 90 110 мм рт. ст. нагрев зоны источника до 750 800oC и зоны подложек до 600 620oC, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров слоев за счет изменения полярности ориентации, предварительно перед нагревом зон источника и подложек проводят их отжиг в течение 2 3 мин при давлении 1

Номер патента: 1256608

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, кадмия, слоев, сульфида, фазы, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающий размещение кремниевых подложек в зоне роста, загрузку порошка сульфида кадмия в зону испарения реакционной камеры, ее вакуумирование, испарение сульфида кадмия в водороде, осаждение эпитаксиальных слоев на подложках, отличающийся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиальных слоев за счет обеспечения постоянства их стехиометрии по толщине, перед осаждением эпитаксиальных слоев на подложки порошок сульфида кадмия испаряют в вакууме при давлении не более 10-1.10-2 мм рт.ст. на поверхность реакционной камеры с градиентом температуры в направлении потока паров кадмия и серы не менее 40oС/см, после чего...

Номер патента: 725504

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: G01N 27/416

Метки: aiibvi, aiiibv, граней, двух, идентификации, крайней, кристаллов, мере, соединений

СПОСОБ ИДЕНТИФИКАЦИИ ГРАНЕЙ ПО КРАЙНЕЙ МЕРЕ ДВУХ КРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ AII-BVIи AIII- BV, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, изолируют все грани кристаллов, кроме сравниваемых, поочередно опускают кристаллы вместе с угольным электродом в электролит, измеряют разность потенциалов между неизолированными гранями и угольным электродом, а об идентичности граней двух кристаллов судят по равенству измеренных разностей потенциалов.