Погоцкий

Способ изготовления оригинала топологического рисунка большой интегральной схемы

Номер патента: 1075867

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Погоцкий, Полякова, Точицкий

МПК: H01L 21/312

Метки: большой, интегральной, оригинала, рисунка, схемы, топологического

Способ изготовления оригинала топологического рисунка большой интегральной схемы, включающий нанесение на прозрачную подложку маскирующей пленки и получение рельефа в маскирующей пленке, содержащего элементы топологического рисунка и реперные знаки, методом фотолитографии с использованием генератора изображения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности взаимного расположения элементов топологического рисунка, при получении рельефа в маскирующей пленке формируют часть топологического рисунка и реперные знаки, после чего на подложку наносят дополнительную маскирующую пленку, прозрачную для видимого света, а затем методом контактной или проекционной фотолитографии в дополнительной маскирующей пленке формируют оставшуюся часть...

Способ измерения размеров элементов литографических слоев

Номер патента: 1155128

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Врублевский, Кадомский, Календин, Невзорова, Погоцкий, Полякова, Точицкий

МПК: H01L 21/66

Метки: литографических, размеров, слоев, элементов

Способ измерения размеров элементов литографических слоев, включающий формирование увеличенного изображения литографического слоя, измерение параметров увеличенного изображения и преобразование этих параметров в размер элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, перед формированием увеличенного изображения в литографическом слое выполняют голографическую решетку и наносят на его поверхность латексные сферы, увеличенное изображение литографического слоя формируют с помощью растрового электронного микроскопа, после чего проводят юстировку микроскопа по латексным сферам, а параметры увеличенного изображения измеряют по форме распределения видеосигнала, при этом определяют расстояние B, соответствующее размеру...

Способ изготовления и контроля комплекта фотошаблонов

Загрузка...

Номер патента: 1026198

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Погоцкий, Полякова, Строенко, Точицкий

МПК: H01L 21/66

Метки: комплекта, фотошаблонов

...В предлагаемом способе совме щаемость: контролируется 1 путем сравнения с базовым фотошаблоном, который содержит реперные знаки, соответствующие реперным знакам каждого из фотошаблонов. Это позволяет получить величины несовмещаемости каждого Фотошаблона с базовым, а значит,и между любой парой фотошаблонов комплекта.Известный способ не позволяет контролировать совмещаемость в различных точках моруля, поскольку реперные знаки расположены обычно на каком-либо одномучастке модудя, Однахо для большихинтегральных схем внутримодульные погрешности совмещения могут достигатьзначительных величин, В предлагаемом способе на этапе изготовления фотошабдоновпо углам каждого модуля формируют дополнительные реперные знаки, по которымна этапе...

Способ фотолитографии (его варианты)

Загрузка...

Номер патента: 966655

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Зубарева, Зятьков, Погоцкий, Сагайдак, Туромша

МПК: G03F 7/26

Метки: варианты, его, фотолитографии

...уход размеров согласующихся фотошаблонов. с различными площадями мас кирующих покрытий и, соответственно, по- лучаемых схем;Предлагаемые. варианты способа фотолито графин позволяют искучить уход размеровоптических элементов и элементов БИС и СБИС вследствие неодйнакового теплового расширения .фотошаблонов с различными суммарными площадями поглощающих элементов под действием актиничного. излучения, обеспечивают абсолютное совмещение топологии полученных схем,.просты в применении, ускоряют процесс изготовления БИС и СБИС в 15-20 раз. На фиг. 1 - 3 изображена схема комплекта из трех согласующихся фотошаблонов с соотношением площадей поглощающих эле. ментов 18: 28: 38 и маскирующими покрь. Зэ тиями соответственно из Сц, Ад и АК на фиг. 4-6...

Способ получения фильтровального материала

Загрузка...

Номер патента: 740797

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Артамонов, Верниковский, Гойденко, Жалковская, Игнашева, Клементович, Пестрак, Погоцкий, Солдатов, Шункевич

МПК: C08J 9/28

Метки: фильтровального

...отмачивают в ацетоне и снимают со стекла, Полученная мембрана имеет анизотропную струк3, 2740797 Формула изобретения Составитель Б, ХолоденкоРедактор Т. Девятко Техред Л.Щепанская Корректор Б. Бутяга Тира( 549 Подписное Заказ 3149/30 ЦИИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб. д. 4/5 филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 туру с селектиВным с 2 Оем, средний радиус пор 0,028 мкм, производительностьпо диметилФормамиду (ДМ 242 А) 0,42, поВоде 0,30 ги 2/мин см при перепадедавлений 1 кг/см , пористость бб об, 2.2П р и м е р 2 Приготавливают растВорсодер 22(ащий у Вес, о г капро н марки Лб-24, муравьиная кислота64,6 и вода 11,4. С помощью Фильерыраствор на стеклянную...

Эталонный фотошаблон

Загрузка...

Номер патента: 508973

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Васильев, Гойденко, Дайнеко, Погоцкий

МПК: H01L 21/363, H05K 3/06

Метки: фотошаблон, эталонный

...шК-З 5, уи(с:,.5( ил . л. 4,. ПО исиоеССС Сл "(ио . Т(Л(Чф 5 1 ц"дъа должца бы) ь и,"Б( р:1 з,( Выше любОГО .1;1 кровыступа, цаход 1 цсгос 51 В зо;1 е (;)або 10) ф(1 Пи(1 б;10 иа, ч Г(н)ы искл(очить исиосрсдсВси. (ли жцтк Г жду рабОЯИ 1 И зц(1 м 5 ф 01(- шаблонов ири кот(1 к гной печати. Отс(ода И 1)сдъЯВл 5110 Гс 51 1 РСООВаии 51 и иод,Ожк 51 м, с"(еклОпластииа(1, примец 51 емьм при изГОтов,101 Пи фотошаблонов. Неровности подложки задаются, как ПЗВестцО, ее ГеплосОстиость 10 (Отк(10- цеиием От идеалы 101 11 лОскости 1,В результате, например, для изготовлсшя фотошаОлоцОВ с мииимальцьми размсрами элементов 5 - 8 мк Высоту опорных прсдохраиительцых плГщадок иеобходимО Выбрать О,б - 1,0 мк и использовать для изготовления фотошаблоцов...