Гибридная интегральная схема
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1667571
Авторы: Иовдальский, Темнов
Формула
Гибридная интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и выемками, в которых с помощью связывающего вещества закреплены полупроводниковые кристаллы, причем поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площади кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения плотности монтажа, выемки в диэлектрической плате выполнены в виде углублений, глубина которых выбрана превышающей на 10 30 мкм толщину кристаллов, закрепленных на дне углублений, а зазоры между стенками каждого углубления и кристаллом выбраны равными 20 - 100 мкм.
Описание
Целью изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение плотности монтажа.
На фиг. 1 приведена конструкция ГИС, вид сверху; на фиг.2 разрез А-А на фиг.1.
ГИС состоит из диэлектрической платы 1 с топологическим рисунком металлизации 2 с углублениями 3, на дне которых установлены кристаллы 4 бескорпусных электронных приборов. Крепление кристаллов 4 в углублениях 3 осуществляется с помощью связующего вещества 5.
Пример конкретной реализации.
В диэлектрической плате 1 из сапфира выполнен топологический рисунок металлизации 2 из Тi-Pd-Au, при этом толщина золотого покрытия равна 3 мкм, золотого покрытия равна 3 мкм, выполнены углубления 3 (например, методом размерной лазерной обработки) глубиной 180-20 мкм, на дно которых с помощью клея 5 ЭЧЭ-СЫУО.028.052ТУ установлены кристаллы арсенидогаллиевых СВЧ-транзисторов ЗП325А5, ЗП326А-2, имеющих размеры 0,5х0,4х0,15 и 0,5х0,5х0,15 мм соответственно.
Заданная выше глубина углублений и толщина кристалла обеспечивают расположение поверхности кристалла с контактными площадками в одной плоскости или несколько ниже относительно поверхности платы. Аналогично кристаллам транзисторов в плату установлены кристаллы 4 емкостей типа ТС7.088.003. Электрическое соединение 6 контактных площадок 7 кристаллов 4 с металлизацией платы 2 выполнено золотой проволокой диаметром 15 мкм для кристаллов транзисторов и диаметром 30 мкм для кристаллов емкостей.
Использование изобретения позволит улучшить электрические характеристики ГИС, а также повысить плотность монтажа. Сокращение длины выводов позволит экономить драгоценные металлы.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании гибридных интегральных схем (ГИС) и микросборок СВЧ-диапазона. Целью изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение плотности монтажа. В конструкции ГИС размещение кристаллов электронных приборов производят на дно углублений. Глубина углублений выбрана на 10 - 30 мкм больше толщины кристаллов. Зазоры между стенками каждого углубления и кристалла составляют 20 - 100 мкм. 2 ил.
Рисунки
Заявка
4700278/21, 02.06.1989
Иовдальский В. А, Темнов А. М
МПК / Метки
МПК: H01L 23/10
Метки: гибридная, интегральная, схема
Опубликовано: 27.11.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1667571-gibridnaya-integralnaya-skhema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Гибридная интегральная схема</a>
Устройство для проводного монтажа плат
Номер патента: 978404
Опубликовано: 30.11.1982
МПК: H05K 13/06
Метки: монтажа, плат, проводного
...жестко связанной с корпусом 1 Рабочие поверхности губок щ5 и 7 могут быть выполнены из твердого или упругого материала в зависимости от материала, используемогопри монтаже провода.Рычаг 10 иМеет регулиРУемый Упор15. Перед упором 15 в корпусе смонтирована кснтактная группа, состоящая из кронштейна 16 и установленных на нем изолированно друг отдруга контактов 17 и 18В корпусе 1 также смонтированэлектромагнит 19, снабженный возвратной пружиной 20, который вместе сэлектромагнитом 9 и губками 5 и 7образуют механизм подачи провода 21,а также приводной механизм 22,Устройство работает следующимобразом.Перед началом присоединения провода 21 включается электромагнит 9,который, притягивая подвижную губку 7, зажимает провод 21 между губками 5 и 7....
Устройство для контроля монтажа плат
Номер патента: 1092434
Опубликовано: 15.05.1984
Авторы: Коннов, Куленков, Машевич, Парфенов, Раков
МПК: G01R 31/304
...первых элементов 4-1-4-ш сравнения, вторые выходы - с первыми входами вторых элементов 5-1-5-ш сравнения, второй вход - с соответствующим первым выходом комбинатора 9, соединенного вторыми выходами с первыми входами блока 15 индикации и с третьими входами блока 14 управления, соединенного четвертым и пятым выходами соответственно с вторым и третьим входами блока 15 индикации, шестым и седьмым выходами - соответстЖнно с первым и вторым входами комбинатора 9, вторым и третьим выходами соответственно - с первыми входами третьего 12 и четвертого 13 регистров, восьмым выходом - с вторыми входами первого 10, второго 11, третьего 12 и четвертого 13 регист" ров, выходы первого регистра 10 со 35 единены с четвертыми входами блока 15...
Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем
Номер патента: 1274889
Опубликовано: 07.12.1986
Авторы: Зак, Лепешкин, Нижник, Соловьев
МПК: B23K 31/02
Метки: гибридно-интегральных, кристаллов, монтажа, платы, полевых, схем, транзисторов
...площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и...
Способ монтажа проводов на платеи устройство для его осуществления
Номер патента: 799173
Опубликовано: 23.01.1981
МПК: H01B 13/012, H05K 13/06
Метки: монтажа, платеи, проводов
...каретки 9 закрыта прозрачным кожухом 24, который соединен с патрубком 25 от источника отсоса воздуха (на чертеже не показан). Все перечисленные выше узлы и детали скомпонованыф в раскладывающей головке 26, нижняя часть которой служит для размещения координатного стола 27, куда устанавливается и плата 28, на которую укладываются 1 провода, и технологическая эластичная прокладка, состоящая из мягкого 29 и твердого 30 слоев резины.Устройство управляется системой числового программного устройства(.ЧПУ) .Работа устройства для монтажа про. водов на плате происходит следующим образом.Предварительно устанавливается в цангах игла 1 и сверло 11, через которые продевается прошиваемый провод, а на координатный стол - плата 28 с эластичной...
Способ монтажа радиокомпонентов на полосковую плату
Номер патента: 1046985
Опубликовано: 07.10.1983
МПК: H05K 3/30
Метки: монтажа, плату, полосковую, радиокомпонентов
...в отверстия полосковойплаты и электрическое соединенггерадиокомпонецтов с печатными полосками, отверстйя формуют путем вдавливания материала подложки на глубину, 60меньшую толщины подложки и равнуюполовине высоты радиокомпонента.Формование отверстий путем вдавливания материала подложки вызываетуплотнение участка подложки под от верстием и изменение его диэлектрических свойств, причегл диэлектрическая проницаемость этого участка пря"мо пропорциональна степени. деформации материала. Таким образом, эффективная диэлектрическая проницаемостьмежполоскового расстояния в местахустановки радиокомпонента остаетсянеизменной,Глубина отверстия, равная половине диаметра радиокомпонента, позволяет располагать компонент симметрично относительно...
Предыдущий патент: Способ очистки электродов электровакуумного прибора
Следующий патент: Способ заправки тепловой трубы теплоносителем и стенд для его осуществления
Случайный патент: Аппарат для окисления аммиака