H01L 21/335 — полевых транзисторов

Номер патента: 1824656

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Борисов, Венков

МПК: H01L 21/335

Метки: моп-транзистора

...формируют охранную область 2. Для этого формируется маскирующая область 6 и проводится имплантация ионами легирующей примеси. например, бора с энергией Е = 40 кэВ и дозой д = 10 мкКл/см. После имплантации удаляется слой 6 и проводится термообработка при температуре 1000 С в течение 120 мин в инертной среде для активации примеси и рвзгонки примеси имплантируемой примеси на глубину 1 мкм,Полевой оксид кремния формируется толщиной 0,8-1,0 мкм термообработкой поверхности кремниевой подложки в окисляющей среде при температуре 950 С в течение 30 мин и давлении 15 атм (фиг,3), Удаляется диэлектрическая маска 5, затем наносят слой поликремния толщиной 0,3 мкм. При этом на поверхности полевого окисла толщиной поликремния равна 0,3 мкм....

Номер патента: 865053

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/335

Метки: интегральных, мдп-транзисторов

...с удельным сопротивлением 7,5 Ом см. На подложку осаждают за счет реакции дихлорсилана саммиаком в среде азота нитрид кремния толщиной 700 А при температуре 710 С.фотолитографией формируют фоторезистивную маску и на установке "Плазма 600 Т" вытравливают нитрид кремния и кремний на глубину 0,35 мкм. В открытые участки поверхности подложки проводят ионную имплантацию бора с энергией 80 кэ 8 и дозой 2 мК /см. В результате на этих участках формируются р -области, препятствующие образованию инверсионных каналов между диффузионными шинами. Тем самым увеличивается пороговое напряжение паразитного транзистора.После снятия фоторезиста и отмывки в перекисно-аммиачной смеси (10:1) проводят окисления при температуре 1050 С в течение 120 мин в среде...

Номер патента: 1831731

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Ваксенбург, Иноземцев, Кораблик, Поляков

МПК: H01L 21/335

Метки: арсениде, галлия, полевых, транзисторов

...кислоте. Для хороших пленок время травления слоя толщиной 0,09 мкм лежит в пределах 2-3 мин.Следующая операция - электронное экспонирование затворной маски: Используется электронной резист марки ЭЛП. Наносится центрифугированием при скорости вращения 4000 об/мин в течение 30 с, Сушка осуществляется в термостате при температуре 170"С 30 мин, Экспонирование проводится по программе в автоматическом режиме на установке 7 ВА(ф. Карл Цейс, Йена), Затворная щель экспонируется методом набора прямоугольных штампов размером 0,2 х 1,0 мкм с коэффициентом пе рекрытия 2. Одновременно с затворной щелью проводится экспонирование контактных областей истока, стока, затвора, Электронный резист ЭЛПявляется позитивным, поэтому экспонированные...

Номер патента: 1811330

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Паутов, Самсоненко, Сигачев, Сорокин

МПК: H01L 21/335

Метки: полупроводниковых, приборов

...(на 0,1 мкм) позволяет получитьразмер затвора 0,24-0,27 мкм, Кроме того.при меньшей толщине электронного резиста ( 0,35 мкм) в канале облегчается контроль появления рисунка. При толщине слояреэиста 0,4 - 0,5 мкм дно проявленной канавки малого размера0,3 мкм) практически4 Я1не просматривается (используют микроскоп1 еа, увелич. 5000),После вплавления контактов создаютфоторезистивную маску (используют ФП 383) со вскрытым рисункомлокальных областей -пластины, граничащих с каналомтранзистора. Это области выхода затворнойметаллизации за пределы канала (см, фиг.1).Устранение. электропроводности на этихучастках полупроводникового слоя необходимо для снижения токов утечки затвор-омические контакты. Изоляцию осуществляютимплантаиией ионов...

Номер патента: 1823715

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Джалилов, Паутов, Самсоненко, Сорокин

МПК: H01L 21/335

Метки: полупроводниковых, приборов

...сушки фоторезиста ФПпроводят экспонирование пластины по шаблону с рисунком затворного слоя (при этом описывают затворный рисунок на шаблоне в В предлагаемом способе перетрав Я 102 отсутствует и вскрывшиеся участки полупроводника в канале и Ац-Ое омические контакты на тестовых структурах травятся незначительно (скорость плазмохимического травления полупроводника составляето-40 А /мин). Растрав Я 02 под фоторезистивную маску составляет 0,06 мкм, Стенки травления близки к вертикальным и рисунок в фоторезисте переносится в ЯОЙ без изменения размеров. Фотореэист удаляют последовательно в диметилформами 40 45 50 затворный рисунок на пластине, расширенный посредством растрава ЯЮг по ф/р маску), После экспонирования устанавливают шаблон с...

Номер патента: 1565292

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин

МПК: H01L 21/335

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...

Номер патента: 1829782

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Смаль

МПК: H01L 21/335

Метки: мдп-транзистора

...кремниевой пластины 1 КДБ (фиг,1) первого типа проводимости р сформировали термическим окислением с использованием маски ЯзХ 4 области локального окисла толщиной 0,5-0,8 мкм с последующим удалением маски ЯЗХ 4 и созданием ионным легированием бора (Е 30 кэВ, Р = 0,1-0,3 мкКл/см ) во всю2поверхность области подлегирования каналов транзисторов. Затем проекционной фотолитографией на установке ЭМ 584 А по сформированным на пластине слоям подзатворного термического окисла толщиной 150 олегированного фосфором поликремния толщиной 0,4 мкм, низкотемпературного окисла толщиной 0,3 мкм создали области затвора 2 с длиной канала 1,2 мкм. Травление слоев проводили плазмохимическим методом. На поверхность со ступенчатым рельефом нанесли...