Патенты с меткой «мдп-транзистора»

Номер патента: 1800503

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Горюнов, Крылов, Ладыгин

МПК: H01L 21/66

Метки: вольтамперных, мдп-транзистора, подпороговых, сток-затворных, характеристик

...усилителя 9 соединен свыходом электрометрического усилителя 1и неинвертирующим входом первого дифференциального усилителя 4, выход второгодифференциального усилителя 9 служит10 вторым информационным выходом,Предлагаемое устройство работает следующим образом, Сущность изобретениязаключается в том, что ток стока измеряемого МДП-транзистора 3 задается с помощью15 диода 8 изменением его напряжения прямого смещения. Цепь обратной связи стоктранзистора 3-электрометрический усилитель 1-дифференциальный усилитель 4-затвор транзистора 3 устанавливает на стоке20 напряжение, близкое по величине к напряжению источника питания 5. Следовательно, генератор 10 изменяет напряжениесмещения диода 8 О и соответственно токчерез него,...

Номер патента: 1829782

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Смаль

МПК: H01L 21/335

Метки: мдп-транзистора

...кремниевой пластины 1 КДБ (фиг,1) первого типа проводимости р сформировали термическим окислением с использованием маски ЯзХ 4 области локального окисла толщиной 0,5-0,8 мкм с последующим удалением маски ЯЗХ 4 и созданием ионным легированием бора (Е 30 кэВ, Р = 0,1-0,3 мкКл/см ) во всю2поверхность области подлегирования каналов транзисторов. Затем проекционной фотолитографией на установке ЭМ 584 А по сформированным на пластине слоям подзатворного термического окисла толщиной 150 олегированного фосфором поликремния толщиной 0,4 мкм, низкотемпературного окисла толщиной 0,3 мкм создали области затвора 2 с длиной канала 1,2 мкм. Травление слоев проводили плазмохимическим методом. На поверхность со ступенчатым рельефом нанесли...

Номер патента: 1487755

Опубликовано: 20.04.2008

Автор: Чекунков

МПК: H01L 21/66

Метки: длины, канала, мдп-транзистора

Способ определения длины канала МДП-транзистора путем формирования тестовой структуры на полупроводниковой подложке, включающей области, имитирующие сток-истоковые области, и затвор МДП-транзистора, причем топологическая ширина затвора выбирается равной топологической длине канала МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, в подложке второго типа проводимости изготавливают МДП-транзистор с не менее чем шестью сток-истоковыми областями первого типа проводимости и самосовмещенные с затвором высоколегированные области второго типа проводимости, имитирующие сток-истоковые области МДП-транзистора, подают смещение на затвор, достаточное для создания инверсионного слоя,...