Патенты с меткой «резистором»

Номер патента: 1259401

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Богдан, Задорожный, Кургузов, Нелюбин, Терпугов

МПК: H02H 7/26

Метки: выключателя, высшего, защиты, короткозамыкателя, линии, ней, подключенным, резистором, стороны, трансформатором, цепи

...трансформаторов. Уставка срабатывания блокирующего органа 14 принимается равной двухкратному токупри искусственном коротком замыканиина землю через бетэловый резистор.Устройство работает следующим образом.10 При искусственном однофазном коротком замыкании на землю через бетэловый резистор ток нулевой последовательности и фазное напряжение тойфазы сети, в цепи которой установлен 15 короткозамыкатель с бетэловым резистором, практически совпадают по Фазе. В результате совпадают по времени импульсы блоков 8 и 9 дифференцирования, и на выходе элемента 20 И 10, осуществляющего выпрямлениевходных импульсов и регистрирующегоодновременное существование импульсов одинаковой полярности, появляет, -ся импульс напряжения, который удли.няется ,"...

Номер патента: 1354120

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Костенко, Пермяков

МПК: G01R 19/00

Метки: зашунтированного, резистором, сверхпроводящего, соленоида

...вторым входам сумматора 6-1, 6-2 6-и подключенпараллельно выход усилителя 4,Детали криомагнитной системы,обеспечивающей работу соленоида, непоказаны. Устройство работает следующим образом.В режиме ввода тока в соленоид 1 или вывода его из соленоида на зажимах последнего возникает отличное от нуля напряжение П, под действием которого часть общего тока 1 ц, протекающего в цепи источника 8 тока, ответвляется в шунтирующий резистор 2 с сопротивлением к , при этом 1, =П- Напряжение на измерительномКцрезисторе 3 П, имеющего сопротивление Кц, подается на усилитель 4 с ко 1 эффициентом передачи К,= в , в резульц тате чего на его выходе появляется сигнал, пропорциональный току в нераз,Поветвленной цепи 1Сигнал Пщ с резистора 2 подается через...

Номер патента: 1819070

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Балабуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, поликремниевым, резистором, схем

...удаляют эту маску и формируют маску с отверстием+над областью контакта к и -скрытому слою, внедряют примесь и-типа в область контакта к и -скрытому слою и проводят разгонку примеси р-типа в области охранного кольца до смыкания ее с подложкой и примеси и-типа в области контакта к и+-скрытому слою до смыкания ее с и -скрытым слоем. Окислением полученной структуры при 1000 С в атмосфере водяного пара формируют изолирующий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной 0,05 мкм, Осаждением из газовой фазы выращивают на изолирующем диэлектрическом слое слой поликристаллического кремния толщиной5 1819070 бПри внедрении ионов бора с энергией100 кэВ в двуокись кремния Крр=0,247 мкм,ЬК.рр =0,053 мкм, Следовательно условие:11 пас 1 рр+...

Номер патента: 950151

Опубликовано: 10.04.2006

Авторы: Кашин, Мауэрман, Орлов, Панин

МПК: H02H 7/10

Метки: двух, диодов, зашунтированных, последовательно, резистором, соединенных, цепи

1. Способ контроля цепи из двух последовательно соединенных диодов, зашунтированных резистором, подключенной к источнику питания, состоящий в том, что измеряют падение напряжения в указанной цепи при прямой и обратной полярности подключаемого к ней источника питания и сравнивают результаты измерения между собой и с допустимой величиной напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, измеряют падение напряжения на каждом диоде при закороченном другом диоде при обратной полярности подключаемого к цепи источника питания и сравнивают результаты измерения между собой и с другой допустимой величиной напряжения.2. Устройство для осуществления способа по п.1, содержащее...