Мизеров

Номер патента: 1589918

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, гетероэпитаксиальных, слоев

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий перемещение насыщенного раствора-расплава с температурой Tр по поверхности подложки с температурой Tп, где 100oC Tр Tп 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышения их качества за счет улучшения планарности, используют насыщенный при Tп раствор-расплав арсенида галлия в олове с добавкой 2 10 ат. германия, а температуру расплава устанавливают в пределах 500 700oC.

Номер патента: 1559970

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, полупроводниковых, растворов, твердых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых твердых растворов путем приведения в контакт подложки с температурой Tn и раствора-расплава с температурой Tp при соотношении температур 100oC Tp Tn 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения непрерывного ряда твердых растворов (Si2)x GaAs4-x на кремниевой подложке, предварительно наносят на поверхность подложки насыщенный при температуре Tn раствор-расплав мышьяка в олове слоем толщиной 100-300 мкм, после чего приводят его в контакт с...

Номер патента: 1543319

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Абрамов, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры

...найти по формуле аЬс 40 2 9где а - ширина канавки, мм;Ь - расстояние от края подложкидо точки перехода травления 45в кристаллизацию, мм;с - глубина канавки у края подложки, мкм.Величина а и Ь измеряют с точностью + О, 1 мкм, а величину С определяют, изучая интерференционную картину на поверхности подложки, с точностью + 0,2 мкм.В данном случае а = 5 мм, Ь= 42 5 мм с = 8 810 мм следоваЬ 9 955тельно, Ч = 0,94 мм.Затем определяют вес растворившейся части по формулеР =7, где- плотность СаАз,= 5,4 г/см = 5,4 мг/мм,Р = 5 4 0 94 = 5,05 м,и пересчитывают его в концентрациюАз по формулеО ХАз 1+2 ХУ - Р, АСа 9где Р - исходный всс Са Р = 500 мг1".4 О 6 а 9А - . атомный вес Са, Аса= 69,72;М - молекулярный вес СаАз5 05 69,72 эХ : г , 9 = 4 9 410...

Номер патента: 1306538

Опубликовано: 30.04.1987

Автор: Мизеров

МПК: A01K 87/00, A01K 89/00

Метки: лова, подледного, рыбы, удочка

...прорезь для подводки лесок, Прорезь выполнена с наклонными паза 20 ми, каждый из которых является лескоукладывателем, Сколько пазов в прорези на стакане - столько образуется своеобразных удочек, используемых выборочно. Ручка 2 изготовлена из теплоизоляционного материала - пенопласта, одета на трубку с незначительным натягом по диаметру. Она имеет осевое перемещение: вперед - к катушке З,для30 торможения катушки, назад - для освобождения катушки, Перемещение назад происходит от усилия нажатия двух пальцев руки (большого и указательного) в торец крышки 6 стакана 5. Основой удочки служит пластмассовая труб ка 1, стакан 5 закреплен на трубке зажимной пластмассовой гайкой 7,Приспособление - катушка 3 - для размещения нескольких лес с...

Номер патента: 705986

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Волков, Лысогоров, Мизеров, Портной, Смирницкий

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционной, монокристалла, поверхности, решетки

...шагом и различными углами блеска. Решение этой проблемы позволяет существенно расширить спектральный интервал таких приборов, что ведет к расширению круга задач, решаемых,ими. Кроме того, при создании целого ряда интегрально-оптических и оптоэлектронных приборов возможность получать решетки с различными углами блеска позволяет направленно изменять их основные характеристики.Предлагаемый технологический процесс изготовления решетки заключается в следующем.Изготавливают монокристалл (подложка будущей решетки) с исходной кристаллографической плоскостью, наиболее устойчивой к какому-либо химическому травителю (аналогично устойчивой к фотохимическому травителю или устойчивой при ионно-плазменном распылении).705986 Рабочую поверхность...