Патенты с меткой «aiibvi»

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 725504

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: G01N 27/416

Метки: aiibvi, aiiibv, граней, двух, идентификации, крайней, кристаллов, мере, соединений

СПОСОБ ИДЕНТИФИКАЦИИ ГРАНЕЙ ПО КРАЙНЕЙ МЕРЕ ДВУХ КРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ AII-BVIи AIII- BV, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, изолируют все грани кристаллов, кроме сравниваемых, поочередно опускают кристаллы вместе с угольным электродом в электролит, измеряют разность потенциалов между неизолированными гранями и угольным электродом, а об идентичности граней двух кристаллов судят по равенству измеренных разностей потенциалов.

Номер патента: 766418

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: aiibvi, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа AIIBVI, включающий вакуумирование рабочей камеры до 1 10-1 1 10-2 мм рт. ст. продувку водородом, создание давления водорода 90 110 мм рт. ст. нагрев зоны источника до 750 800oC и зоны подложек до 600 620oC, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров слоев за счет изменения полярности ориентации, предварительно перед нагревом зон источника и подложек проводят их отжиг в течение 2 3 мин при давлении 1

Номер патента: 976733

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Нестерович, Сурвило, Трофимов

МПК: C30B 29/46, C30B 31/02

Метки: aiibvi, активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности, шихта

Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа АIIBVI и их твердых растворов, содержащая основу и легирующие примеси в виде галогенидов металлов общей формулы MeX, где Me - Cu, Cd, Bi, Pb, X - Cl, Br, J, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности активирующих свойств шихты, в качестве основы используют двуокись титана при следующем соотношении компонентов, вес.%: Me0,70 + 4,85 Х0,60 + 2,15 Двуокись титана