H01L 29/66 — типы полупроводниковых приборов

Номер патента: 498869

Опубликовано: 05.05.1978

Авторы: Ащеулов, Беликов, Пилат

МПК: H01L 29/66

Метки: термотранзистор

...эгстовлен иэмоэлектрически а тропного монталла в виде пр ольной пласт1, на торцах который созданы эмнный 2 и коллекторный 3 Р-п -пере Термозлектрически аниэотропный монокристалл кристаллографически ориентированотносительно р-в-переходов таким образом, что возникающее в нем поперечноетермоэлектрическое поле направлено пери ндикулярно плоскости р и перехо498869 формула изобретения СоставитеЮ. МукортовРедактор Е. Месропова Техред 3. фанта Корректор Н, Ковалев акаэ 2451/40 Тираж ЦНИИПИ Государственного по делам иэо 113035, Москва, Ж960 Подписноекомитета Совета Министробретений и открытий-35, Раушская наб д. 4 илкал ППП фПатент, г. ужгород, ул. Проектная, 4 термоэлектрическое поле влияет на эФФективность инжекции эмиттера, что приводит к...

Номер патента: 990031

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Грудин, Заргарьянц

МПК: H01L 29/66

Метки: полупроводниковом, приборе, сигнала, усиления, электрического

...по мере отклонения направ;. леиия движения носителей от направления электрического поля энергия носителя на длине свободного пробега 15 будет снижаться и расходоваться при столкновении с фононами. В то же время для тяжелых носителей изменение температуры Тр будет существенно меньшим. В области лавинного умноже ния коэффициенты ионизации для электронов и дырок равны ааР (- еаОе 76 (410 Н) Ееие Аналогичным образом для дырок отноше-,ние коэффициентов иониэации равно: Отсюда. видно, что влияние магнит-. ного поля, приводящее к изменению коэффициента ионизации, проявляется наиболее сильно для более легких носителей. При больших коэффициентах усиления (например, М Ъ 10) коэффициент собственного шума области лавинного усиления в случае...

Номер патента: 1160906

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Белый, Джилавдари, Морозов, Пашкевич

МПК: H01L 29/66, H01L 41/08

Метки: акустоэлектронный, генератор, кольцевой

...границе раздела пьезополупроводника 5 и звукопровода 4 со скоростью, превышающей скорость ультразвука в пьезополупроводнике 5,Процесс самовозбуждения генератораультразвука начинается с усиления тепловых акустических шумов, В резонатоое 1 и звукогроводе 4 всегда присутствуют акустические шумы, обусловленныетепловыми колебаниями атомов кристаллической решетки, Эти шумы представгяют собой набор упругих плоских волнсо случайными фазами и амплитудами,распространяющихся во всех направлениях внутри резонатора и звукопровода.Из всей совокупности тепловых упругихволн, попадающих из резонатора в пьезополупроводник, усиливаются толькоте, которые падают на границу разделамежду резонатором и звукопроводом подуглом, близким к углу полного...

Номер патента: 692369

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Пресс, Рубинштейн

МПК: G01R 31/26, H01L 29/66

Метки: выходным, зарядовой, прибора, связью, устройством

Способ управления выходным устройством прибора с зарядовой связью (ПЗС), включающий подачу напряжения на выходной затвор ПЗС, постоянного напряжения на сток транзистора сброса и импульсного напряжения на затвор транзистора сброса, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня когерентной помехи, на выходной затвор ПЗС подается импульсное напряжение, совпадающее по фазе с импульсным напряжением на затворе транзистора сброса и противоположное ему по знаку.