Патенты с меткой «излучающих»

Номер патента: 92251

Опубликовано: 01.01.1951

Автор: Кинбер

МПК: G01R 29/14

Метки: анализа, излучающих, наглядный, прибор, синтеза, систем

...жесткости под деиствием крутяще- гО О 1 ент 1 и зяконо 11 зенепия Оообпеипой вскторнОй диягрямы изЛУЧЕНИ 5 ЯНТЕННОЙ СИСТЕЛ 1 Ы ПРИ ИЗЗ 1 Ес 1 СНИИ УГЛЯ Нс 1 ОЛЮДЕНИЯ.На чертеже представлен предлагаемыи прибор.Прибор выполнен В виде тонкой, стильной ленты 1 прямоугольного сечения, персаснной шириы и постоянной толщины, изменение жесткости которои Вдоль длины соответствует изменению амплитуды вдоль длины апертуры антенной системы.О,1 ин конец ленты 1 закрепл 51 ется неподВижно В зпфиксирОВанной Ня ПОДСтяВКС дсржс 1 ВК( 2, Второй СКРЕПЛЯСТСя С ДСржаВКОЙ 3, К Которой прикладывается крстяИи 1 моент. Поскол 1 к державка 3 должна свободно передвигаться вместе с концом ленты 1, то момент воздействует на державку посредством упругого...

Номер патента: 114820

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Лейбов

МПК: B32B 33/00, G03C 5/06

Метки: блуждающей, зоне, излучающих, инфракрасной, киносъемок, маски, методу, просветных, ультрафиолетовой, экранов

...маски,Достигается это применением светящегося экрана из ткани, покрытойс одной стороны радиолюминесцентным составом, служащим источникомрабочего излучения, а затем с двух сторон - защитной фильтровой пленкой из метакрилового лака, задерживающей радиоактивные частицы ипропускающей рабочее излучение.Способ изготовления и применения таких экранов поясняетсяЭкран изготовляется из грубой хлопчатобумажной ткани 1, ящейся его гибкой основой, окрашенной в черный цвет, Одна сторонни покрывается радиолюминесцентным составом 2, служащим иском рабочего излучения. В целях защиты от проникновения а ичей, ткань с двух сторон покрывается защитной фильтроиз метакрилового лака или другого какого-либо вещества,го рабочее излучение и задерживающего о...

Номер патента: 409156

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лескович, Николаев

МПК: G01R 31/26

Метки: абсолютной, диодов, излучающих, мощности

...1(ТРц 1 сОЙ опноси, 1 ии коОРОМмоиность из:учсци) изыср 51) Г ка;lцоро)аццьl (1)отоприс ч ц цк) п ио налиоровои ьмкргвым оцред(ля,от л 0 ццос(ь цадаюцего цафотоирисмпик излучения.(пако известиыц сносОб имеет малую точи(ть цз)ср(.пня асол)пой )Опности цзлч(цця, 10 обугловлсгц) ног)еи)иостямп калиб.рои ц фотоприемника, разлцпс) спектральЦз( Я РЬ СТСРИС ТИК ИЗ, 1( аlоцСИ, ЦОД 51 И Отоирцечицка и т,;,Цель избрет( цця - ) ьц л ичсп:с 10(ностии з )1( р си ц 51 а б ( О,1 ) т ц )1) иц ) с тц за у а ) и ц .диодов,ссь достпгасгся тсч 1 что ю црсдлагасчомусцособу Нзм(ряот по;цо и)1)о к диоду электричсскую )опность и его температуру при прямом токе, затем изменяют полярность подводимого к диоду тока па обратнуо, изме- РЯОТ ПОДВО;ИМУЮ и;110 )10...

Номер патента: 557701

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/66

Метки: излучающих, отбраковки, полупроводниковых, структур

...содержит подвижный капиллярныймикрозонд, заполненный электролитом, поцентральной оси которого расположен световод с фотоприемником,Микрозонд может легко перемструктуре, а фотоприемник при эрует вет ичину квантового выходав соответствующей тоЧке,На чертеже приведена структурная схемапредложенного устройства,Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярныймикрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозондарасположен световод 4 с фотоприемником 5,Пластина размещена на норвижном держа557701 Подписноеа Совета Министрооткрытийшская наб., д. 4/ 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое теле, р6 об азца Микроэонд и держатель образца...

Номер патента: 679898

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Белинский, Дикий, Зотов, Каплан, Маргулис, Петруша

МПК: G01R 29/08

Метки: апертур, записи, излучающих, фазовых, характеристик

...диэлектрическая пластина вращается независимым электродвигателем 14, вследствие чего фаза опорного сигнала периодически меняется в пределах от 0 до 2 л, Скорость изменения фазы определяется скоростью вращения вала независимого электродвигателя 14. На оси эталонного фазовращателя 4 установлен датчик 5 угла поворота, с которого на регистратор 10 поступает в виде кода информация об угле поворота диэлектрической пластины эталонного фазовращателя 4, а следовательно, и о фазе проходящего через него опорного сигнала, После эталонного фазовращателя 4 модулированный по фазе опорный сигнал подается на первый вход сверхвысокочастотного моста 8, на второй вход которого поступает измеряемый сигнал от индикаторного зонда 6, расположенного перед...

Номер патента: 773556

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Потапов, Шефов

МПК: G01W 1/00

Метки: атмосферы, верхней, высоты, излучающих, слоев

...(в течение десятков минут)вариациях высоты излучающего слоя,Цель изобретения - упрощениеи повышение оперативности определения высоты излучающего слоя,Указанная цель достигается темчто точку пересечения направленийизмерения выбирают заведомо вышеизлучающего слоя, а в одном изпунктов дополнительно ведут измерения в Фиксированном направлении,лежащем в плоскости двух других16направлений измерения, и по отношению интерналон времени между моментами регистрации одних и тех жевариаций интенсивности по трем направлениям судят об искомом параметре.На чертеже схематически поясняетсяспособ,Для его реализации используютсятри прибора, находящиеся в двух пунктах на расстоянии Ь (до 150-200 км)друг от друга . Оптическая ось Л,прибора, находящегося...

Номер патента: 743385

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Бачурин, Казанская, Матвеев, Нестеров, Соколов, Федоровский

МПК: G01N 23/00

Метки: бега, известным, излучающих, изотопным, нуклидов, разделительного, смеси, содержания, составом

...различающихся по параметру сцинтилляционногослоя и материалом поглотителей позво 4 ляет увеличить число определяемыхнуклидов в смеси без увеличения погрешности. Так, при использованиитолько одних поглотителей из Сд толщиной о,5 мм и световодов с одинаковой толщиной чувствительного слоя( 0,5 мм ) для детектора с чувствительной поверхностью, 1800 см при разделении нуклидов в двухкомпонентнойсмеси 9 о 5 г + 9 оу и . 144 Се + 144 р гбыла получена пороговая чувствитель ность 9 = 510Ки/л за времяМ 1 И1000 с с погрешностью, не превышающей ц = + 20. Аналогичные резуль таты были получены при использовании поглотителей, содержащих свинец щ 0 и цезий.Соотношение толщин чувствительных слоев выбирается из условия обеспечения...

Номер патента: 886623

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Агафонов, Бондарь, Гарбузов, Ермакова, Лебедева

МПК: H01L 21/66

Метки: внешнего, выхода, излучающих, измерений, квантового, полупроводниковых, структур, электролюминесцентных

...для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводни ковых структур, содержащее источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный Фотоприемник, соединенный с измерительным блоком 2 .Для определения абсолютных значений внешнего квантового выхода с помощью такого устройства требуется проведение специальных экспериментов по определению эффективности захвата и передачи излучения световодом. Кро 35 ме того, в измерениях всегда будет присутствовать ошибка, связанная с поглощением части излучения под капилляр" ным контактом.40Целью изобретения является повышение точности измерений.Цель достигается тем, что в устройстве для электролюминесцентных измерений внешнего...

Номер патента: 1117716

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Дорезюк, Колосов, Коротков, Медведовская, Опарышев, Попов

МПК: H01B 13/20

Метки: излучающих, кабелей, коаксиальных

...недостаточная стойкость изготовленного ИКК к изгибам. При требуемом уровне потерь на связь раскрыв щели составляет 180 о н более,что приводит к сильной зависимостихарактеристик от условий эксплуатации, Например, изготовленные по данному способу ИКК непригодны для прокладки в земле, на асфальте, в желобах,Известны ИКК, имеющие внешний проводник в виде гофрированной трубкисо щелями на выпуклой части гофров 3 .Наиболее близким к изобретениюявляется способ изготовления указанных ИКК, при котором выпуклая частьгофров удаляется режущим инструментом по хорде, стягивающей определенный угловой сектор, путем взаимногоотносительного перемещения инструмента и кабеля, Удаление выпуклойчасти гофров осуществляется с помощью одного или нескольких...

Номер патента: 1167542

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Волошина, Тарасенко, Шацкий

МПК: G01R 29/10

Метки: апертур, записи, излучающих, фазовых, характеристик

...которого связан с первым входом Фазового детекто З 0 ра 12, выход второго селективного усилителя 10 низкой частоты соединен с вторым входом фазового детектора 12, выход фазового детектора 12 под-ключен к второму входу регистратора 13, первый вход которого соединен с датчиком 6 координат, Электродвигатель 14 предназначен для установки фазового модулятора 5 в режим непре рывной Фазовой модуляции. 40Устройство для автоматического измерения и записи фазовых характеристик излучающих апертур работает следующим образом.Сигнал от СВЧ-генератора 1 посту пает на делитель 2 мощности, с перво. го выхода которого часть мощности подается на излучающую апертуру 3, а с второго выхода через СВЧ-мост 7- на синхронный детектор 8. При этом сигнал,...

Номер патента: 1293763

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Дорезюк, Коротков, Лобанов, Мальцев

МПК: H01B 13/20

Метки: излучающих, кабелей, коаксиальных

...инструмента превышает диаметр кабеля. Однако при удалении выпуклой части гофров не должны срезаться перемычки по впадинам гофров, так как это ухудшает электрические характеристики кабеля, В связи с этим известный способ имеет ограничение по длине удаляемой выпуклой части гофров, т. е. ограничение по углу раскрыва щели. Для увеличения дальности связи . с объектом необходимо увеличить раскрыв . щели, а следовательно, и длину удаляемой выпуклой части гофров. Кроме того, при нарезациц щелей режущим инструментом, перемещающимся по окружности, происходит закручивание кабепя, в результате чего ориентация щелей относительно оси кабеля цо длине изменяется, что при монтаже ка. беля создает дополнительные искажения характеристик передачи и...

Номер патента: 1358017

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, двойная, излучающих, приборов

...активной области в рабочем режиме, что ведетк стабилизации параметров излучателя.При этом эффективная излучательнаярекомбинация начинается уже при начальных положительных смещениях, т,е.значительно снижается порог лазернойгенерации. Кроме того, так как у прозрачного для излучения окисла металла ширина запрещенной зоны большеширины запрещенной зоны активного40слоя, происходит эффективное ограничение инжектированных неосновныхносителей через р-п гетеропереход.Следует отметить, что пленка проводящего окисла металла достаточноэластична и практически не создает45дополнительных кристаллических напряжений на гетерогранице при повышениитемпературы активной области во время инжекции носителей, Это понижаетобщий уровень безызлучательной...

Номер патента: 1379643

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Донской, Екимов, Лебедев

МПК: G01H 3/00

Метки: бассейне, гидроакустическом, диаграммы, излучающих, направленности, объектов

...с входом усилителя 12,.выходы виброметра 6 и усилителя 12 соединены с аналоговымивходами ЭВМ 13. В воздушную заглушенную камеру 14 помещена акустически жесткая модель 15 объекта 2, Масштаб моделирования определяют иэ соотношенияги Ссфгргде Г - низшая частота рабочегодиапазона объекта,- низшая граничная частотаизмерений заглушенной камеры.Источник 16 акустических колебаний установлен на поверхности модели 15 с воэможностью перемещения, онподключен к генератору 17, выход которого соединен с входом усилителя 18мощности, В дальней зоне модели 15установлен микрофон 19, перемещениекоторого осуществляется с помощьюсканера 20. Блок 21 управления служит для управления перемещением сканера 20 и определения местоположениямикрофона 19, Выход...

Номер патента: 1531230

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Армошка, Гуща, Разутис, Станкявичюс, Сукацкас

МПК: A61B 10/00, H04R 29/00

Метки: излучающих, исследования, полевых, преобразователей, приемо, ультразвуковых, характеристик

...точкорение процесса измеренийтоматизации возврата шарика.еже предсгавлена структурпредлагаемого устройства. тво содержит ферромагнитный нь 1, установленный вертиправляющий капилляр 2, приория шарика 1 при, выпадении чалом работ устройство м бассейне на определенном от исследуемого приемо-из реобразователя таким образом, чтобы пересекалпсь излучаемый пучок ультразвука и траектория падения шарика-мишени 1 между капилляром 2 и улавливателем 4. При включении блоков 8 - 10 на одну из катушек 65 или 7 подается ток. В момент времени, когда ток подан на катушку 7 шарик 1 удерживается магнитнымполем катушки в середине капилляра 2,С началом цикла измерения блоком управления 10 запускается сдвиговый регистр 9 и сигнал с усилителей тока 8...

Номер патента: 1536279

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Александров, Бородин, Рутберг, Тарабанов

МПК: G01N 21/41

Метки: диагностики, излучающих, локальной, объектов, оптически, прозрачных

...оси. В этомслучае лучевой поток несет,информацию из зоны 4 исследуемого объекта,Объект наблюдения всегда устанавливается перед линзой таким образом,чтобы желаемая точка наблюдения в объекте располагалсь на расстоянии, большем чем фокусное расстояние й. Непрозрачный экран с отверстием устанавливается между линзой и исследуемым объектом на расстоянии Ь от линзы,Система О.индикации располагается по другую сторону линзы на расстоя(4нии Я, равном Е -8 - , где 8 - длина камеры вдоль оси 7, Выбирают расположение экрана относительно линзы так, чтобы излучение от объекта захватывалось линзой иа величину 1, которую можно определить из следующего выраженияИ+ -Е) пРи К ) г ),0 (2)Ргоо где Р - поперечный размер камеры 1;К - радиус линзы,Далее,...

Номер патента: 1589155

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Барцев, Кудрявцева, Охонин

МПК: G01N 21/64

Метки: биологических, излучающих, исследования, объектов, свет, структуры

...п = 1,76.П р и м е и, Определение области локализации люминесцентной системы в светящихся бактериях РЬо 1:оЬасегз.цш 1 ез.о 2 ппЫ, Длина волны максимума све чения данного вида бактерий равна475 пм,. 15Бактерии выращивают на скош,:ином сйаре в течение нескольких часов при комнатной температуре, Суспензию бактерл отмьн ьгх 3% -ным рас твором ИаС 1 нгносят пипеткой через окно на преломляющий элемент. Для обеспечения оптического контакта межцу исследуемЫми клетками бакгерий и преломляюшим элементом и,цля поддержания метаболизма клетки (работы люминесцент пой системы) сверху бактерии покрывают твердым слоем агара, а затем фнксируют при помощи покровного стек - ла и винта. Измерение интенсивности свечения производят возле нижней ЗО круглой...

Номер патента: 1477104

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Белкина, Ризин, Фертман

МПК: G01T 1/178

Метки: активности, аэрозолей, излучающих, объемной, радионуклидов

...объеме, сообщенном с атмосферой, устанавливают на расстоянии д от детектора. Расстояние д выбирают 0 из соотношения д = 0,48(Г ) (Е-Г ), где Е, и Е - соответственно наименьшая и наибольшая энергии 1-излучения радионуклидов. Контролируемый воздух прокачивают через фильтр и реги стрируют Ы-излучение.п-го радионуклида при атмосферном давлении, а каждого 1-го радионуклида от 1-го до(и)-го при найденных значениях давления Р.; . Объемная активность 1-го 201радионуклида О; определяется по формуле(Я 1- НФ 1)т1. с;8, Чгде (Б; -И ,) число импульсовэа вычетом фона, зарегистрированное детектором эа время С Б; - чувствитель-,ность радиометра; 7 - объем пробыконтролируемого воздуха, Разрешениерадиометра дЕ 1/3 должно удовлетворять условию ЬЕ 14 Е;-...

Номер патента: 1704189

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Голиков, Монич

МПК: H01J 9/42

Метки: излучающих, параметров, светотехнических, элементов

...световода вводят люминесцирующие добавки. В этом случае по световоду может быть передано не только измеряемое излучение, ограниченное аппертурсй торца световодэ, но и то излучение, которое попадает на боковую поверхность оболочки волокон световода. Излучение проходит через прозрачную оболочку световода и попадает в сердцевину волокна, содержащую люминесцирующие добавки, Добавки преобразуют (изотропно переизлучают) регистрируемое излучение в излучение фотолюминесценции, спектральный максимум которого смещен относительно спектра исследуемого излучения в сторону более длинных волн, при этом обеспечивается "захват" части преобразованного излучения сердцевиной волокон за счет полного внутреннего отражения на границе сердцевина-оболочка....

Номер патента: 1704201

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Галкин, Евтихиев, Климов, Кокин, Преображенский, Фетисов

МПК: H01Q 3/26

Метки: антенной, излучающих, оптического, решетки, фазами, фазированной, элементов

...опорным оптическим пучком, имеющим исходную частоту, В результате интерференции на вход каждого оптического волокна падает амплитудно-модулированное оптическое излучение с частотой модуляции 1, равной рабочей частоте высокочастотного генератора 7, При этом фаза р высокочастотной оптической огибающей оптического излучения линейно зависит от координаты у положения входа оптического Волокна.УЫ С у(эп + зп Оо), гдето- частота когерентного оптического излучения; С - скорость света; О и Оо - углы падения на набор оптических волокон 8 соответственно сигнального и опорного оптических пучков. С помощью системы формирования сигнального и опорного оптических пучков 2 создаются такие оптические пучки, чтобы при любом значении угла О в апертурах...

Номер патента: 1741092

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Белкина, Ризин, Фертман, Ханбекян

МПК: G01T 1/167

Метки: активности, альфа, аэрозолей, излучающих, объемной, радионуклидов

...аппаратуре устанавливают нижний порог измерения, обеспечивающий заданную точность изме- рени: активности эталонного источника, Производят отбор пробы исследуемого воздуха определенного объема на фильтр, Снимают энергетический спектр альфа-излучения аспирированного фильтра. Вычисляют параметры логнормального распределения, максимально близкого к реальному спектру,Объемную активность аэрозолей ц рассчитывают согласно выражению где Ч - объем отобранной пробы;р - чувствительность, определенная в соответствии с формулой (1) при установке нижнего порога измерения на уровне, определенном выражением (2),П р и м е р. Предлагаемым способом была определена объемная активность модельных аэрозолей плутония - 239, получаемых с помощью...

Номер патента: 1758597

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Ильницкий, Шимберг

МПК: G01R 29/08

Метки: антенной, излучающих, коэффициента, отражения, решетки, фазированной, элементов

...ИЭ 5;1 Гиэ - модуль собственного КО измеря емого ИЭ 5; Р 1 = 912 +Ъэ,где с 12 - фаза коэффициента передачи; 50уЪэ - фаза собственного КО (СКО) ИЭ.Последующие расчеты в блоке 13 позволяют найти модуль и фазу выделенного отраженного сигнала:55Ое= О+ О-с = 1610 пад 1 Ксв Ксух Х Ксд Б 12 ИГиэ 1; девиацией 90 О. На входах СВЧ зондов датчика 2 суммируются падающие и отраженные сигналы с учетом местонахождения соответствующих СВЧ зондов в датчике 2. Результирующие сигналы с амплитудных детекторов датчика 2 поступают на входы селективных усилителей 7, которые выделяют переменные составляющие и усиливают сигналы на частоте 1 и.Усиленные сигналы синхронно детектируют. используя в качестве опорного сигнал генератора 14, а затем попарно...

Номер патента: 1753885

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: H01L 21/205

Метки: излучающих, области, светодиодов, спектра, фиолетовой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ, ИЗЛУЧАЮЩИХ В ФИОЛЕТОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА, включающий эпитаксиальное наращивание в среде инертного газа на подложке карбида кремния слоя SiC n-типа проводимости, легированного азотом с концентрацией (2 - 10) 1018 см-3, слоя SiC p-типа проводимости, легированного алюминием, и нанесение омических контактов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа за счет возможности использования подложки карбида кремния любого политипа, в качестве подложки выбирают пластину с ориентацией (000 )C с углом разориентации не более 30

Номер патента: 1347831

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Емельянов, Ефремова, Ильичев, Инкин, Лозовский, Попов, Шелюхин

МПК: H01L 33/00

Метки: диодов, излучающих, матриц, монолитных, у-адресацией

Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют...