Патенты с меткой «геттерирующими»

Номер патента: 1499627

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Антонова, Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Куц, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200oС в течение 2 - 3 ч и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750oС в течение 4 - 6 ч и при 1000 - 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности геттерирования независимо от содержания кислорода в кремнии, отжиг при 1100 - 1200oС проводят в атмосфере сухого кислорода с хлорсодержащими добавками при содержании активного хлора 0,3 - 1% от содержания кислорода, после отжига в окислительной среде проводят дополнительный отжиг при 430 - 450oС, причем продолжительность отжигов при 430 - 450oС и 1000 -...

Номер патента: 1340492

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/304, H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий проведение двухступенчатого отжига при температурах в диапазоне 650 750oС и 950 1050oС в течение 3 4 ч на каждой стадии, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для кремния с содержанием кислорода 5 1015 9 1017 см-3, перед отжигом при 950 1050oС с обеих сторон пластины механической обработкой создают приповерхностные области, состоящие из системы микротрещин, произвольно направленных и...