Патенты с меткой «кристаллодержателю»

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Номер патента: 1738039

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брицис, Казачонок, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий формирование на посадочной поверхности кристалла слоистой структуры, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, слоистую структуру выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30 - 150 нм, а пайку осуществляют при 400 - 480oС в течение 1,5 - 5 с.

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Номер патента: 1533135

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Брицис, Стасюк, Фридлендер, Шевцов

МПК: B23K 1/20

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий нанесение на посадочную поверхность кристалла слоев алюминия и германия, на поверхность кристаллодержателя - слоя алюминя и последующую пайку кристалла к держателю, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности паяного соединения, металлизированную посадочную поверхность кремниевого кристалла покрывают пленкой припоя на основе алюминия и германия, полученной с помощью их одновременного осаждения из паровой фазы.