Патенты с меткой «кристаллодержателю»
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
Номер патента: 1738039
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Брицис, Казачонок, Стасюк, Фоминых
МПК: H01L 21/60
Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения
СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий формирование на посадочной поверхности кристалла слоистой структуры, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, слоистую структуру выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30 - 150 нм, а пайку осуществляют при 400 - 480oС в течение 1,5 - 5 с.
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
Номер патента: 1533135
Опубликовано: 27.02.1995
Авторы: Брицис, Стасюк, Фридлендер, Шевцов
МПК: B23K 1/20
Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения
СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий нанесение на посадочную поверхность кристалла слоев алюминия и германия, на поверхность кристаллодержателя - слоя алюминя и последующую пайку кристалла к держателю, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности паяного соединения, металлизированную посадочную поверхность кремниевого кристалла покрывают пленкой припоя на основе алюминия и германия, полученной с помощью их одновременного осаждения из паровой фазы.