Мощный свч-многоэмиттерный транзистор

ЕННОЕПАТЕНТНОЕСССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ГОСУДА ВЕДОМС БИС ИЗОБРЕТЕ к авторско свидетель(72) Велигура ГА Выгловский В.МКосой АЯ, (56) Кремниевые планарные транзисторы. /Под ред Федотова ЯА М Советское радио, 1973, с 293.Кремниевые планарные транзисторы, /Под ред Федотова ЯА М. Советское радио, 1983, с 262-270.(57) Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к конструкции мощных СВЧ генераторных, линейных и импульсных транОЮЗ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК п 9) Я 1 (1 ц 1 бб 230 б пз) А 1(51) Н 01 1. 29 72 зистороа Цель изобретения - увеличение выходной мощности, повышение стабильности и надежности в рабочем режиме за счет улучшения токостабипизирующих свойств резисторов. Балластные эмиттерные тонкопленочные резисто - ры выполнены из пленок Со 8 или ЧЪ, велиг гчина которых определяется выражением . Я=пК 1/3ос, где К- термический коэфи э ифициент эмиттерного напряжения В/С, а температурный коэффициент токостабипизирующих резисторов, 1/С, 3 - постоянная составэляющая тока в цепи эмиттера; и - количество эмиттеров. 2 ип.Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к конструкции кремниевых мощных СВЧ- транзисторов,Цель изобретения - увеличение выходной мощности, повышение стабильности и надежности в рабочем режиме за счет улучшения токостабилизирующих свойств резисторов.На фиг, 1 показана конструкция транзистора, в разрезе; на фиг, 2 - вольт-амперная характеристика переходов эмиттер - база транзистора для различных температур.Транзистор содержит коллектор-подложку 1 с выполненными в ней областями базы 2 и эмиттера 3, расположенное на ее поверхности диэлектрическое покрытие 4 с окнами 5 и б для осуществления контакта с базой 2 и эмиттером 3 соответственно, На поверхности диэлектрического покрытия 4 расположены тонкопленочные токостабилизирующие резисторы 7 из силицидов ванадия или кобальта, контактирующие с эмиттерной металлизацией 8, в свою очередь имеющей контакт с областью эмиттера 3 через контактные окна б. Резисторы 7 имеют также "собственную" металлизацию 9. Базовая металлизация 10 через контактное окно 5 контактирует с областью базы 2,Сопротивление токостабилизирующих резисторов определяется выражениемк. И = -1,а гдеКи- термический коэффициент эмиттерного напряжения, В/С;а - температурный коэффициент токо- стабилизирующих резисторов, 1/С.Ь - постоянная составляющая тока в цепи эмиттера, а.Выражение, определяющее величину токостабилизирующего сопротивления получено исходя из следующих исходных предпосылок:а) рабочая точка по постоянному току не должна меняться в крайних точках температурного диапазона транзистора, т.е. эо = эЛТб) приложенное напряжение к эмиттерному переходу определяется выражениемФО =Оэб +1 э РэьгДе Оэб - встРоенныйпотенциал Р-и-пеРехода;йэ - сопротивление цепи эмиттер база;4 - ток эмиттера,Температурная зависимость встроенного потенциала определяется выражением.О: О - К Лт,эб эб иогДе Оэб - встРоенный потенЦиал Р - и-перехода при начальной температуре;10К- термический коэффициентиэмиттерного напряжения;15 Л Т - изменение температуры,в) температурная зависимость сопротивления Вэ определяется только температурной зависимостью балластных 20 резисторовв = в (1 + альт) +в + н + вэ ЙШ пги р-ло25где- сопротивление токостабилизиорующих резисторов при начальной температуре;30а - температурный коэффициент токостабилизирующих резисторов;Вш - сопротивление токопроводящихшарашек;Клал - сопротивление полупроводниковых областей в цепи эмиттер - база;Вр-л - сопротивление эмиттерного перехода в прямом направлении.Устройство работает следующим обра зом.При подаче питания на коллекторныйпереход транзистора и выводе его в рабочий режим подачей напряжения ВАХ транзистора известной конструкции трэнсформирует ся из А в Б (фиг. 2), при этом возрастает токэ, протекающий через транзистор, и происходит дальнейшее повышение температуры транзистора из-за саморазогрева.При использовании токостабилизирующих резисзторов 7 из материала с ТКС 2,8 10 1/С и величиной сопротивления, определяемой по приведенной формуле, сдвиг начальной ВАХ транзистора А, обусловленный разогревом эмиттерного рп-перехода, происходит одновременно с изменением наклона ВЯХ таким образом, что заданный рабочий ток остается неизмен ным. В результате обеспечивается равномерность токораспределения по1662306 входного импеданса отдельных ячеек, образующих транзистор. они выполнены из пленок Со 512 или Н 512. а величина сопротивления, подключаемого в цепь каждого эмиттера токостабилизирующего резистора, определяется выражени- ем.1 з агде /К /. - термический коэффициентэмиттерного напряжения, В/С;а - температурный коэффициент токостабилизирующих резисторов, 1/С;1 - постоянная составляющая тока в цепи эмиттера, А;и - количество эмиттеров. оставитель К.Левицкийехред М.Моргентал сктор А,ХмелиНа орректор И.Де Тираж НПО"Поиск" Рос 113035, Москва, Ж, Рауаказ 753 Подписноатенташская наб 45 ент",Производствен транзисторной структуре в рабочем режиме за счет постоянства действительной части Формула изобретенияМОЩНЫЙ СВЧ-МНОГОЭМИТТЕР 5 НЫЙ ТРАНЗИСТОР, включающий моно- кремниевый кристалл с областями базы и эмиттера, диэлектрическое покрытие, рас-положенные на нем эмиттерные токостабилизирующие тонкопленочные резисторы и контактно-металлизированную систему, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, повышения стабильности и надежности в рабочем режи ме за счет улучшения токостабилизирующих свойств резисторов,Ужгород, ул,Гагарина, 101