Гибридная интегральная схема
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1230311
Авторы: Борисов, Грищинский, Гурфинкель
Формула
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая керамическую подложку, имеющую систему контактов на лицевой поверхности, по крайней мере один полупроводниковый тепловыделяющий кристалл, присоединенный к контактам столбиковыми выводами и имеющий тепловую связь обратной стороны с радиатором посредством металлического теплоотвода, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения теплового сопротивления между кристаллом и радиатором, теплоотвод кристалла имеет П-образную форму с глубиной выемки, равной сумме высот кристалла и контактов подложки, присоединен основанием к подложке и внутренней поверхностью к обратной поверхности кристалла теплопроводным материалом, а теплоотвод, присоединенный к обратной поверхности подложки теплопроводным материалом, имеет ступенчатую форму с высотой ступеньки, равной сумме толщин подложки, теплопроводных материалов, соединяющих теплоотводы с подложкой, и высоты П-образного теплоотвода.
Описание
Цель изобретения - уменьшение теплового сопротивления между кристаллом и радиатором.
На чертеже изображена гибридная интегральная схема в разрезе.
Полупроводниковый тепловыделяющий кристалл 1 присоединен столбиковыми выводами 2 к контактам 3 на лицевой поверхности керамической подложки 4, к обратной поверхности подложки присоединен теплопроводным клеем 5 ступенчатый теплоотвод 6, контактирующий с радиатором 7, а к обратной стороне кристалла 1 и лицевой поверхности подложки 4 с помощью теплопроводящего клея 8 присоединен П-образный теплоотвод 9, внешняя поверхность которого контактирует с радиатором 7.
Схема работает следующим образом. Тепловой поток от обратной стороны кристалла 1 через теплопроводящий клей (ВК-9) 8 проходит в алюминиевый П-образный теплоотвод 9, где разделяется на два потока. Первый поток уходит в радиатор 7. Второй (дополнительный) поток через основание П-образного теплоотвода, теплопроводящий клей 8, керамическую подложку 4, теплопроводный клей 5 и алюминиевый ступенчатый теплоотвод 6 уходит в радиатор 7. Третий поток от лицевой поверхности кристалла 1 через столбиковые выводы 2, контакты 3, керамическую подложку 4, теплопроводный клей 5 и ступенчатый теплоотвод 6 также попадает в радиатор 7.
Преимущество изобретения заключается в уменьшении теплового сопротивления за счет наличия П-образного и ступенчатого теплоотводов, позволяющих разделить тепловую цепь кристалл-радиатор на три параллельных тепловых ветви. Наличие двух дополнительных ветвей отвода тепла позволяет снизить тепловое сопротивление от кристалла размером 2,9х2,9 мм к радиатору с 8 до 3,5о/Вт. Кроме того, П-образная форма теплоотводов позволяет приклеивать теплоотвод одновременно к кристаллу и к подложке и не создает механических напряжений в кристалле при креплении схемы к радиатору, а также защищает кристалл при герметизации схемы полимерным компаундом.
Отдельные П-образные теплоотводы к многокристалльной схеме позволяют использовать для теплоотводов металлы с высокой теплопроводностью без жесткого ограничения по рассогласованию коэффициентов линейного термического расширения материалов теплоотвода и подложки.
Рисунки
Заявка
3743895/25, 22.05.1984
Борисов В. З, Гурфинкель В. И, Грищинский В. А
МПК / Метки
МПК: H01L 23/40
Метки: гибридная, интегральная, схема
Опубликовано: 30.08.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1230311-gibridnaya-integralnaya-skhema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Гибридная интегральная схема</a>
Способ защиты поверхности оптической детали из кристалла фтористого лития
Номер патента: 386362
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G02B 1/10
Метки: детали, защиты, кристалла, лития, оптической, поверхности, фтористого
...настанке для просветления. Скорость вращения детали может быть такой же, как прпнанесении пленки двуокиси кремния,о 280 - т и де Прогрев гетеросило 300 С с в течение 1чается и д ной темпе пленки280 -туре в выклю- омнатИзобрете и нанесения защ ающего действия в тических деталей.Известен способ защиты оптических деталей путем образования на их поверхности покрытий из раствора ортокремневого эфира с гетеросилоксаном.Однако полученная пленка обладает низкой адгезией к поверхности кристалла фтористого лития и не обеспечивает достаточной влагостойкости.Для повышения влагостойкости по предлагаемому,способу перед нанесением покрытия деталь термооорабатывают при температуре 280 - 300 С и ноносят 10% -ный спиртовой раствор этилового эфира...
Устройство для контроля параметров поверхности раздела кристалла и жидкой фазы
Номер патента: 1576598
Опубликовано: 07.07.1990
Авторы: Белогуров, Маликов, Стадник
МПК: C30B 17/00
Метки: жидкой, кристалла, параметров, поверхности, раздела, фазы
...и жидкой Фазы Зизмеряют амплитуду колебаний резонансной частоты акустической системыв процессе роста кристалла и сравнивают ее с амплитудой колебаний резонансной частолы системы для кристалла, расходящегося в системе с плоской поверхностью раздела. При этомцем больше поверхность раздела кристалла и жидкой Фазы, тем меньше амплитуда колебаний. 45Для определения длины растущегокристалла измеряют резонансную частоту.акустической системы до и после перемещения поверхности разделатвердой и жидкой Фаз, При этом чем 50меньше резонансная частота системы,тем больше длийа кристалла (нижеуровень поверхности раздела твердойи жидкой фаз).Для определения Формы поверхнос- ути раздела кристалла и жидкой Фазыизмерения, амплитуды колебаний...
Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем
Номер патента: 1274889
Опубликовано: 07.12.1986
Авторы: Зак, Лепешкин, Нижник, Соловьев
МПК: B23K 31/02
Метки: гибридно-интегральных, кристаллов, монтажа, платы, полевых, схем, транзисторов
...площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и...
Станок для ершения наружной поверхности трубок для радиаторов
Номер патента: 64507
Опубликовано: 01.01.1945
Авторы: Давыдов, Переверзев, Юрин
МПК: B23D 1/02
Метки: ершения, наружной, поверхности, радиаторов, станок, трубок
...тдчи 14. Резс "жге(1 7 Охвс. ь Вдются кол;1(ецо 1 прх ж и ОЙ 1 э. Б зддц 1 О 1 о часть корпус(1 1 вверчсты двд колпдцкд 15, внутри которых с; дят по да ш(11 ПКО 11 од 1 п(апиикз 1" .с распорцы:ц кольз;и 16 В цозши 11- ники посажены направляю 11 С палы 1 8. закрс:плясаЪ 1 е гай ами 17 Падьи 18 кони(есной чдс ю ВХОДЯТ В;ДМКУ 1 УО КУЛДЦЦ,Ю Канд у гайки 20 ца которк 1 жест;О ц;,сджез(1 шестерня 21 со шпонкои 22. Шестерня 21 крец 1 тсЯ шдбс 1. 2 д с дзу.,:и гдй(гдмц 24,О д 1 Г;тЕЛЯ ЧсрЕЗ ШЕСтЕрЕНЧВ - ТЮ ПС рсддЧу ДВцжец 1 ИЕ ПЕрЕДВЕТС 51 НЕП(ерСДС(зс П,:О ШССтцрЕ :1, КОТ(: рая Одц, сТ 1 дц. Ч "Г.ОС аСЛПЯ 5, В СВОЮ ОцсрЕЛЬ, ЗЯС 1 а,1 явт П СТЧ- пдтель 1;о перемен;дться винт 2 Вмесге с туб 15(11 4. Р 1 ри пс оемешец 1 ии вправо. по, леди я...
Способ управления трехфазным асинхронным электродвигателем путем переключения его обмоток со схемы звезда на схему треугольник и обратно
Номер патента: 1831763
Опубликовано: 30.07.1993
Авторы: Бурунин, Московская
МПК: H02P 1/32
Метки: асинхронным, звезда, обмоток, обратно, переключения, путем, схему, схемы, треугольник, трехфазным, электродвигателем
...сигнала мисторы 6 - 10 выключены, 3-5 отключены и двигатель1831763 Составитель В. ДроздовТехред М,Моргентал Корректор П, Гереши актор Л, Волкова Тираж Подписноерственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 2554 ВНИИПИ оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Г а. 101 Пусть двигатель работает на схеме звезда, что соответствует включенному состоянию симисторов 1 - 2. При подаче сигнала управления на переключение статорной обмотки со схемы звезда на схему треугольник сначала отключают симистор 6 в момент перехода тока в нем через нуль и в момент нулевой разности потенциалов между концом первой 3 и началом третьей 5 фазных обмоток включают симистор 10,...
Предыдущий патент: Параметрический эхолокатор
Следующий патент: Вертикальный центробежный насос для перекачивания высокотемпературных жидкостей
Случайный патент: Переносная моторная пила