Рмнев
Способ имплантации ионов в полупроводниковые материалы
Номер патента: 1218855
Опубликовано: 30.09.1994
Авторы: Веригин, Егорушкин, Крючков, Логачев, Печенкин, Погребняк, Рмнев
МПК: H01L 21/265
Метки: имплантации, ионов, материалы, полупроводниковые
СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, включающий облучение ионами легируемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности способа, облучение проводят импульсным сильноточным пучком ионов с плотностью энергии (0,9 - 1,5) 103 Дж/см3 и дозой (5 1012 - 5 1014) частиц/см2 за импульс.