Патенты с меткой «планарный»

Номер патента: 429474

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Борисов, Киевский, Молчанов, Некрасов, Поплавке, Цыкалов

МПК: H01G 7/06

Метки: конденсатор, нелинейный, планарный

...Составитель Н. Блинкова Редактор А. Зиньковский Техред А. Камышникова Корректор Н. УчакинаЗаказ 2796/11 Изд, Мо 914 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Планарный нелинейный конденсатор, содержащий диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластинку с расположенными на одной стороне ее основными электродами с зазором между ними, а на другой стороне -управляющими электродами, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения коэффициента управления по емкости, управляющие электроды выполнены с зазором, расположен ным под зазором основных электродов, приэтом каждый основной и управляющий электроды...

Номер патента: 438055

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Вендик, Лоос, Тер-Мартиросян, Янченко

МПК: H01G 7/02

Метки: конденсатор, нелинейный, планарный

...простой техпалогиа и применять его в активных интегральных СВЧ-схемах, в том числе и в активных интегральных СВЧ-устройствах бегущей волны. и, следователь. с малым теплоредмет изоб тени ейный пл ый в виде тоэлектри ающийс астотного подложка ерхность етоэлектр Нелин полненн ке сегне отлич рения ч сатора, лия, пов тай сеп анарныи расположе ческой плен я тем, что,диапазона выполнена которой спе ической плеконденсатор, вынных на подложки и электродов, с целью расшиработы кондениз окиси берил- чена с упомянункой,Изобретение относится к радиотехнике, Известны нелинейные планарные конденсаторы, выполненные в виде расположен на подложке, например, из сапфира сегнетоэлектрической пленки и электродов,Цель изобретения - расширение частотного...

Номер патента: 505044

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Антонов, Вербицкая, Каск, Мироненко

МПК: H01G 7/00

Метки: конденсатор, нелинейный, планарный

...в радиотехнических и СВЧ-цепях, где требуется обеспечить электрическое управление параметрами.Известны нелинейные планарные конденсаторы, содержащие расположенную на диэлектрической подложке многослойную пленку нелинейного диэлектрика с нанесенными на нее электродами.Однако в известных конденсаторах велика температурная зависимость емкости, вытекающая из свойств материала, на котором изготовлен конденсатор,Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь конденсатора.Это достигается тем, что в предлагаемом конденсаторе слой в пленке нелинейного диэлектрика расположены в порядке уменьшения диэлектрических потерь в направлении от подложки к электродам.На фиг. 1 изображен предлагаемый конденсатор; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг....

Номер патента: 561163

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Гудзенко, Дерюгин, Сотин

МПК: G02F 1/33

Метки: акустроптический, дефлектор, планарный

...лития и т,д.); несущий диэлектрический слой 2 в виде тонкой пленки из оп стически прозрачного диэлектрика (например,.ствкдоу ПОпистирол и тд ) встречнР штыревой возбудитепь актптических поверхностныхволн 3, участок трехслойного оптическоговолновода с гофрированной границей раздела подложки и несущего слоя 4; гофр наподложке изготовляется травлением; поглощающий слой планарного волновода 5, выдолнвнный иэ материала, поглощающего оптическое излучение (например, слой железа, 40полистирола с примесью графита,)Устройство работает следующим образомПучок оптических поверхностных волн(ОПВ) распространяется в направлении АС.Акустические поверхностные волны (АПВ)бсоздаваемые возбудителем 3, распространчются в направлении ОО, В...

Номер патента: 577394

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Беликов, Жуков, Радковский

МПК: G01B 7/16

Метки: планарный, тензорезистор

...прямоугольника 1.11,Известен также полупроводниковый тензорезистор, являющийся наиболее близким по технической сущности и. достигаемому эффек ту к предложенному тензореэистору, содержащий ориентированную по кристаллографической плоскости (100 полупроводниковую подложку одного типа проводимости, нанесенный на подложку проводящий слой в фор йЕ ме,квадрата из того же полупроводникового материала с проводимостью противоположного типа, ориентированный так, что одна иэ сторон квадрата параллельна кристаллографичеокому направлению 4100),и две пары металлических невыпрямлзощих контактов, каждый из которых расположен на середине одной из сторон квадрата 12 .Недостатками этого тензорезистора ялвотся большие габариты преобразователяи...

Номер патента: 771778

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Беликова, Беляев, Гудзенко, Дерюгин, Осадчев, Охрименко, Тищенко, Турская

МПК: H01P 3/16

Метки: волновод, оптический, планарный

...на подложке изтрика, подложка выполнена ипата цезия с рабочей поверхплоскости спайности (010).На чертеже приведена копланариого оптического волПлаиарный оптический волдержит несущий слой 1, размподложке 2, выполненной изцезия с рабочей поверхносткости спайности (010). Гудзенко, Л. Н. Дерюгин, Тищенко иверситет Дружбы народов рдена Трудового Красноголлографии им. А. В. Шубнико Несущий слой 1 выполнен в виде пле ки из оптически прозрачного диэлектрн ка, например полистирола, ТаО , ЮЬ 2 Т 10, 2 пО и др. Такая трехслойная структура с наибольшим показателем преломления в среднем слое (несущем слое 1) подобна линзе и естественным образом фокусирует цветовой луч в пленке.Показатель преломления несущего слоя 1 больше показателя преломления...

Номер патента: 683459

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Гудзенко, Дерюгин, Марчку, Осадчев, Тищенко

МПК: G02F 1/33

Метки: акустооптический, дискриминатор, планарный

...о. Направления распространения оптических и акустических поверхностных волн взаимно перпендикулярны.Устройство работает следующим образом.Свет от лазера через возбудитель 9 вводится в диэлектрический слой 2. Вспомогательная частота Й/2 от генератора вспомогательной частоты подается на возбудитель 3 через фазовращатель 4 и распространяется далее в виде бегущей акустической волны. Амплитуда ее такова, что в дифракционной картине Рамана-Ната возникают дифракционные лучи и соответствующие им каустики в фокальной линии линзы 6 с номерами +2 и - 2. Направления этих лучейЛ относительно нулевого равны з 1 п О=вЛ где Х - длина волны света в планарном волноводе, Л - длина акустических волн частоты Й, Частота оптических волн в этих лучах...

Номер патента: 1196793

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Авруцкий, Базакуца, Свахин, Сычугов

МПК: G02B 6/124

Метки: планарный, фокусирующий, элемент

...комитета по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж, Раушская наб.,Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Филиал Изобретение относится к оптике,в частности к оптическим волноводам,и может быть использовано в.интег.рально-оптических устройствах, в приборах систем волоконно-оптической 5связи и оптической обработки информации в качестве фокусирующего элемента.Цель изобретения - увеличениечисловой апертуры фокусирующего эле Омента в плоскости волноводного слоя.На фиг. 1 изображен фокусирующийпланетарный элемент, вид сверху; нафиг. 2 - сечение элемента плоскостью,перпендикулярной плоскости волновода 15и проходящей через оптическую осьэлемента.В данном примере выбрана конкретная форма областей в виде осевогосечения двояковыпуклых линз со...

Номер патента: 1316063

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Банков, Взятышев, Широкова

МПК: H01P 7/06, H01P 7/10

Метки: планарный, резонатор

...устройствах и генераторах,Цель изобретения - повышение добротности,На фиг. 1 изображена конструкция планарного резонатора; на фиг. 2 то же, продольный разрез.Планарный резонатор состоит из (О диэлектрической подложки 1, на поверхностях которой выполнены металлизации в виде пары лент 2 и 3 и пары лент 4 и 5. Параллельно диэлектрической подложке 1 расположены металличес 15 кие пластины 6 и 7. Ленты 3 и 5 соединены с возбуждающим диэлектрическим щелевым волноводом 8.Планарный резонатор работает следующим образом. 20Электромагнитная волна, распространяясь в возбуждающем диэлектрическом щелевом волноводе 8, возбуждает колебания в планарном резонаторе с поляризацией вектора электрического поля, параллельной диэлектрической подложке...

Номер патента: 1365280

Опубликовано: 07.01.1988

Автор: Мельников

МПК: H02K 41/03

Метки: планарный, шаговый, электродвигатель

...5 (трубка 12); Рс, атмосферное (внешнее по отношению к зоне зазора 3 ) давление; й Р - разность давлений в указанных точках; х - текущая координата.В пространство между якорем 1 и индуктсром 2 по каналам 4 подаетсясжатый воздух, якорь "всплывает , и между якорем и индуктором устанавливается воздушный зазор 8, При протекании в фазных обмотках 7 и 8 токов возбужденными оказываются полюса, в 65280 2которых поток от фазных обмоток совпадает по направлению с потоком постоянного магнита 9, установленного5 между сердечниками 5 и 6. Возбужденный полюс стремится занять такоепространственное положение, которому соответствует максимум магнитнойпроводимости зубцовой зоны. Изменение, например, полярности фазных токов в обмотках 7 и 8 вызывает...

Номер патента: 1499199

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Пилипенко, Ходунков

МПК: G01N 27/22

Метки: датчик, планарный, порозности, псевдоожиженного, слоя

...получить достаточно большую рабо" чую емкость датчика-конденсатора и значительное электрическое сопротивление термометра при сравнительно небольших габаритах преобразователя, Габариты меандра должны не менее чем в пять раз превышать средний диа" метр частиц псевдоожиженного слоя.Для создания теплового пограничного слоя значительной толщины у поверхности датчиков их необходимо размещать на массивном теле (пластине), снабженном устройством нагрева (охлаждения). Использование температурного датчика (термометра сопротивления) обеспечивает возможность исследования материалов, имеющих малую относительную диэлектрическую проницаемость с8. Данная возможность предоставляется за счет высокой чувствительности термометра к изменениям граничных...

Номер патента: 1223796

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Голованова, Мазель, Никольский, Стесин

МПК: H01L 29/72

Метки: многоэмиттерный, мощный, планарный, транзистор

...13 1 ряжение,Ск (ПФ) Транзисторы по примеру 1 предлагаемогоизобретенияТранзисторы по примеру 2 предлагаемого изобретенияТранзисторы в соответствии с прототипом 900 40 В 1 2 А 46 4,6 420 4,64,6 420 900 40 В; 2,5 А 500 40 В 2 А 4,7 4,7 540 тора с балластными резисторами согласно изобретению (пример 2),На фиг, 5 изображен разрез по области эмиттера структуры планарногомногоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),На Фиг, 6 изображен разрез по области базы структуры планарного многоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),Транзистор содержит полупроводниковыгг кристалл 1, область базы 2,область эмиттера 3, эмиттерный контакт 4, общую базовую контактную площадку 5, диэлектрик б, балластныйрезистор 7,...

Номер патента: 1601733

Опубликовано: 23.10.1990

Автор: Мельников

МПК: H02P 8/00, H02P 8/30

Метки: планарный, шаговый, электропривод

...38 и усилитель 39 подключен к управляемому клапану 7. Вычитающий вход элемента 36 соединен с выходом датчика 34 момента, а выход соединен с вторым пороговым элементом 37, Его выход через усилитель 40 соединен с клапаном 9, а через инвертор 41 и усилитель 42 соединен с клапаном 10. Задатчик 43 момента частичной фиксации через третий элемент 44 сравнения и третий пороговый элемент 45 соедиРЗО 40 50 10 15 20 25 нен с ключом 38, Момент, обеспечиваемый частичной фиксацией, должен быть больше, чем максимальный синхронизирующий момент х,у-ШД, что выполнимо, так как нормальные силы значительно больше тан ген циальн ых. Планарный шаговый электропривод работает следующим образом,Когда действующий на якорь 1 разворачивающий момент меньше...

Номер патента: 1683167

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Мельников

МПК: H02P 8/00, H02P 8/30

Метки: планарный, шаговый, электропривод

...на якорь 1 со стороны манипулятора 3 разворачивающий момент меньше, чем момент, задаваемый задатчиком 26, импульсы 8 источника, частота которых пропорциональна числу импульсов, поданных на вход прямого счета реверсивного счетчика 13, проходят через распределитель 9 и усилитель 10 мощности на фаэнце обмотки 11 х,у-ШД, Якорь 1 с манипулятором 3 совершает движение в на 5 10 15 20 25 30 35 40 45 правлении, определяемом задатчиком 18, Как только разворачивающий момент, определяемый датчиком 30, станет больше заданного задатчиком 26, подача импульсов управления запрещается ключом 17. Если разворачивающий момент продолжает нарастать, то, как только он станет больше предельного, установленного эадатчиком 31, ключ 24 замыкается и к...

Номер патента: 1764088

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Нагорный

МПК: H01F 27/25

Метки: магнитопровод, планарный

...Окна 5 и 6 магнитопровода выполняются так, чтобы стержни магнитопровода размещались вдоль линии прокатки ленты рулонной электротехнической стали. На фиг,4 и 5 показаны конструкция и общий вид магнитопровода с выполненными в рулоне окнами 5 и 6 и стержнями, размещенными вдоль проката. Обработка торцовых сторон магнитопровода и выполнение в нем окон может осуществляться в ленте также в процессе ее намотки в рулон или по окончании намотки и опрессовки рулона попакетным вырезанием в нем окон заданных размеров и конфигурации в зоне окон и с внешних сторон, например, лазерной резкой. Опрессовка рулона может осуществляться с обеспечением вдоль его стержней каналов для охлаждения (на рисунках не показано), По окончании намотки ленты в...

Номер патента: 1256616

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Десятов, Родионов, Родионова

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, мощный, планарный, свч-транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с сетчатой структурой эмиттерной области, включающей вертикальные и горизонтальные ряды, содержащей идентичные ячейки и контактные окна к эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик, в каждом горизонтальном ряду образованы пары ячеек, расстояние между ячейками пары равно расстоянию между соседними рядами, а расстояние между соседними парами в одном ряду в 2-5 раз больше, чем расстояние между соседними рядами, причем пары в соседних рядах расположены одна относительно другой так, что середина зазора между парами одного ряда совпадает с серединой зазора между ячейками в паре соседнего ряда, а контактные окна к эмиттерной области расположены между парами...

Номер патента: 1393264

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, являющуюся коллектором, в которой выполнена область базы с активными и пассивными участками, включающая эмиттерную область, диэлектрическое покрытие, в котором выполнены контактные окна, эмиттерную и базовую металлизации с контактными площадками, расположенные на диэлектрическом покрытии, и дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположном типу проводимости коллектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, дополнительные области расположены над контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, имеют глубину не менее глубины пассивной части базовой области и находятся от нее на...

Номер патента: 1409076

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, диффузионные растворы, соединенные с эмиттерной областью, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контакты к ним, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения стабильности тока, контакт, соединяющий резистивную область с эмиттерной, снабжен дополнительным участком, расположенным на диэлектрическом покрытии над областью резистора.

Номер патента: 525373

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Горфинкель, Русина

МПК: H01J 21/10

Метки: индикатор, катодолюминесцентный, планарный

1. ПЛАНАРНЫЙ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИНДИКАТОР, содержащий катод и две группы электродов, расположенных в одной плоскости, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности управления, электроды обеих групп расположены попарно, образуя светоизлучающие сегменты, причем электроды обеих групп покрыты катодолюминесцентным веществом.2. Индикатор по п.1, отличающийся тем, что электроды обеих групп выполнены одинаковыми по форме.3. Индикатор по п.1, отличающийся тем, что электроды одной из групп расположены вокруг электродов другой группы.4. Индикатор по пп.1-3, отличающийся тем, что электроды одной из групп электрически соединены между собой.

Номер патента: 1563507

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Денисюк, Пих

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источник, планарный, твердый, фосфора

ТВЕРДЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ИСТОЧНИК ДИФФУЗИИ ФОСФОРА, содержащий диффузант на основе метафосфата алюминия, расположенный в виде отдельных блоков с плоской поверхностью по обеим сторонам кремниевой подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока эксплуатации за счет увеличения степени заполнения площади кремниевой подложки диффузантом и массы диффузанта и повышения термомеханических свойств источника, блоки диффузанта имеют в горизонтальном сечении форму квадрата или прямоугольника со сторонами 1,6 - 5,0 и высоту 0,9-2,5 толщины подложки, при этом зазор между блоками составляет 0,3 - 0,9 толщины подложки, толщина кремниевой подложки составляет 0,0065-0,0090 ее диаметра, при этом блоки закрывают центральную часть поверхности подложки...

Номер патента: 1827148

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, планарный, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной H и периферийной области шириной L, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя p-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины периферийной области базы при сохранении величины напряжения пробоя и диффузионных параметров центральной области базы, периферийная область базы состоит по крайней мере из двух зон, в которых p-n-переход имеет различный угол наклона к...