Способ имплантации ионов в полупроводниковые материалы
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, включающий облучение ионами легируемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности способа, облучение проводят импульсным сильноточным пучком ионов с плотностью энергии (0,9 - 1,5) 103 Дж/см3 и дозой (5
1012 - 5
1014) частиц/см2 за импульс.
Описание
Целью изобретения является повышение экспрессности способа.
На фиг.1 приведены профили концентрации ионов бора в кристаллах кремния по глубине для различных значений доз частиц; на фиг.2 - зависимость нормированного выхода рассеянных частиц от плотности энергии сильноточного пучка ионов водорода с параметрами: энергия ионов Е = 300 кэВ, плотность тока j = 2-300 А/см2, длительностью импульса


Монокристаллы Si < III >, прошедшие шлифовку и химическое травление, с концентрацией бора NS






Для анализа свойств полупроводникового кристалла, подвергнутого воздействию сильноточного пучка ионов, использовали метод резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (метод РОРКИ), которым измеряли энергетические спектры рассеянных от образцов частиц для случая ориентированного (ось пучка падающих частиц совмещена с кристаллографической осью <III> кристалла Si) и случайного падения пучка. Отношение энергетического спектра при ориентированном падении пучка к спектру при случайном направлении дает так называемый нормированный выход



Из полученных профилей видно, что облучение сильноточным пучком ионов с плотностью энергии 0,9


Значения





Подобные результаты были получены на конкретных полупроводниковых диодах (на основе кристаллов Si), которые были получены имплантацией сильноточных ионов бора, при этом электрические характеристики (вольтамперные и вольтемкостные, время жизни носителя) данных диодов ни в чем не уступали тем, которые были просто имплантированы ионами бора в стационарном режиме.
Рисунки
Заявка
3766598/25, 09.07.1984
Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте им. С. М. Кирова
Погребняк А. Д, Рмнев Г. Е, Веригин А. А, Логачев Е. И, Печенкин С. А, Егорушкин В. Е, Крючков Ю. Ю
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: имплантации, ионов, материалы, полупроводниковые
Опубликовано: 30.09.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1218855-sposob-implantacii-ionov-v-poluprovodnikovye-materialy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ имплантации ионов в полупроводниковые материалы</a>
Предыдущий патент: Противоперегрузочное устройство для автоматической выработки топлива из заданных точек пространства
Следующий патент: Способ непрерывной разливки металла
Случайный патент: Дилатометр вышванюка