Брылевский

Номер патента: 1581149

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Чашников, Шеметило

МПК: H01L 29/04

Метки: восстановлением, высоковольтный, диод, обратного, резким, сопротивления

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий слаболегированный слой n-типа проводимости, расположенный между двумя сильнолегированными слоями разного типа проводимости, и два омических контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока, в него введен дополнительный слой p-типа проводимости, расположенный между сильнолегированным слоем p+-типа проводимости и слаболегированным слоем n-типа проводимости, причем концентрация легирующей примеси в дополнительном слое N1 и его толщина d1 удовлетворяют соотношениямN3 > N1 ...

Номер патента: 1487774

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Шендерей

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсов, мощных, наносекундных

ГЕНЕРАТОР МОЩНЫХ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ, содержащий последовательно соединенные между первой и общей шинами источник постоянного тока, зарядный элемент, первый ключ, первый индуктивный накопитель и первый размыкающий элемент, выход зарядного элемента подключен через первый конденсатор к общей шине источника постоянного тока, второй индуктивный накопитель последовательно соединен с вторым размыкающим элементом, который подключен к общей шине источника постоянного тока, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения возможности регулирования частоты следования импульсов, в него введены третий и четвертый индуктивные накопители, второй и третий конденсаторы, разделительный диод, второй и третий...

Номер патента: 1783606

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Брылевский, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Чашников, Шеметило

МПК: H03K 3/352

Метки: перепада, формирования

...(момент времени ц) включается источник коллекторного тока, смещающий коллектор в обратном направлении, и начинается процесс рассасывания носителей, накопленных в квазинейтРальном слоер коллектоРа (тг), После тока как концентрация неравновесных носителей у Рй перехода достигается о (момент времени тз) начинает восстанавливаться область объемного заряда(003) в кол лекторном слое (т 4), что приводит к повышейию падения напряжения на приборе. После окончания рассасывания неравновесных носителей в коллекторе (т 5) начинается этап быстрого нарастания напряжения на коллекторном переходе, обусловленный дальнейшим расширением области объемного заряда со скоростью, близкой к Ч. Ток через транзистор падает, а через нагрузку возврастает. При...

Номер патента: 1706021

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Брылевский, Грехов, Кардо-Сысоев, Чашников, Шеметило

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

...амплитуде импульса напряжения в нагрузке. При этом тиристорный коммутатор находится под напряжением Ов состоянии с высоким сопротивлением. Ток через дрейфовый диод (в устройстве может быть применена цепочка из последовательно соединенных дрейфовых диодов с резким восстановлением обратного сопротивления) и падение напряжения на диоде равны нулю. После прихода внешнего запускающего импульса на вход импульсного генератора 6 и блока 8 задержки импульса управления начинается накачка дрейфового диода 3. Импульсная накачка обеспечивает более высокую скорость восстановления обратного сопротивления дрейфового диода 3, Конструктивно импульсный генератор 6 должен быть вынесен иэ контура, образованного конденсатором 5, коммутатором 3 и...