Шеметило

Номер патента: 1581149

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Чашников, Шеметило

МПК: H01L 29/04

Метки: восстановлением, высоковольтный, диод, обратного, резким, сопротивления

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий слаболегированный слой n-типа проводимости, расположенный между двумя сильнолегированными слоями разного типа проводимости, и два омических контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока, в него введен дополнительный слой p-типа проводимости, расположенный между сильнолегированным слоем p+-типа проводимости и слаболегированным слоем n-типа проводимости, причем концентрация легирующей примеси в дополнительном слое N1 и его толщина d1 удовлетворяют соотношениямN3 > N1 ...

Номер патента: 1783606

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Брылевский, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Чашников, Шеметило

МПК: H03K 3/352

Метки: перепада, формирования

...(момент времени ц) включается источник коллекторного тока, смещающий коллектор в обратном направлении, и начинается процесс рассасывания носителей, накопленных в квазинейтРальном слоер коллектоРа (тг), После тока как концентрация неравновесных носителей у Рй перехода достигается о (момент времени тз) начинает восстанавливаться область объемного заряда(003) в кол лекторном слое (т 4), что приводит к повышейию падения напряжения на приборе. После окончания рассасывания неравновесных носителей в коллекторе (т 5) начинается этап быстрого нарастания напряжения на коллекторном переходе, обусловленный дальнейшим расширением области объемного заряда со скоростью, близкой к Ч. Ток через транзистор падает, а через нагрузку возврастает. При...

Номер патента: 1706021

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Брылевский, Грехов, Кардо-Сысоев, Чашников, Шеметило

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

...амплитуде импульса напряжения в нагрузке. При этом тиристорный коммутатор находится под напряжением Ов состоянии с высоким сопротивлением. Ток через дрейфовый диод (в устройстве может быть применена цепочка из последовательно соединенных дрейфовых диодов с резким восстановлением обратного сопротивления) и падение напряжения на диоде равны нулю. После прихода внешнего запускающего импульса на вход импульсного генератора 6 и блока 8 задержки импульса управления начинается накачка дрейфового диода 3. Импульсная накачка обеспечивает более высокую скорость восстановления обратного сопротивления дрейфового диода 3, Конструктивно импульсный генератор 6 должен быть вынесен иэ контура, образованного конденсатором 5, коммутатором 3 и...

Номер патента: 1650663

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Близнец, Голубев, Инютин, Королик, Матвецов, Сысоев, Терешко, Чопко, Шеметило

МПК: C08K 13/08, C08L 23/06, C08L 83/05 ...

Метки: композиция, машин, поддерживающих, полимерная, путевых, роликов, снегоуборочных, транспортеров

...при скорости скольжения 0,1 м/с и нагрузке 0,75 МПа; путь трения составляет 1,5 км. Смазкой служит снегоэбразивная смесь, содержащая 20 ф песка, Адгезию композиции,/к металлам исследуют методом отслаивания примороженных к основанию пленок, изготовленных иэ нее, на машине ЦПпод углом 180 при скорости перемещения зажима 54 мм/мин. 5В качестве параметра, характеризующего способность компонентов препятствовать примерзанию композиции к металлам, используют адгезию материала к замерзшей пленке воды на металле. Образцы гото вят следующим образом. Пленки из композиции и металлическую пластину окунают в воду, соединяют их и помещают в холодильную камеру при -20 С. 15 После примерзания пленки к металлу образец извлекают иэ камеры и испытывают на...

Номер патента: 1123804

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Кисилевский, Швыдкий, Шеметило

МПК: B23K 9/10

Метки: деталями, зазора, между, свариваемыми, ширины

...а величину зазора определяют как отношение разности измеренных величин к величине отраженного светового потока от поверхности деталей вне зоны.Последовательность действий, осуществляющих предлагаемый способУимеет следующий вид: измеряют отраженный световой поток от поверхностей деталей в зоне стыка и внезоны стыка измерения производятсяодновременно ), находят разность измеренных величин и отношение найденной разности к измеренной величинесветового потока, отраженного от по поверхностей деталей вне зоны стыка.,Например, если фоточувствительйыйприемник состоит из п элементов, расположенных перпендикулярно свариваеимому стыку, причем = элементов2принимают отраженный поток от поверхностей вне зоны стыка (Е ) иМ2 от поверхностей в зоне...

Номер патента: 461298

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Зарецкий, Любомиров, Панин, Сегалович, Шеметило

МПК: G01B 5/12

Метки: диаметров, отверстий

...представлен шкалой 5). Для настройки компаратора определяют точки касания измерительных наконечников с контролируемым объектом, затем сфе рические измерительные наконечники 1 и 2приводят во взаимодействие точками касания с контролируемым объектом. Измерительный наконечник 1 (см, фиг. 1) расположен слева, а измерительный наконечник 2 - справа. Для того, чтобы привести измерительные наконечники в такое положение, один из них, например наконечник 2, выводят из плоскости чертежа, обходят им измерительный наконечник 1 и снова вводят его в плоскость измерения, после чего настраивают компаратор на нуль.После выполнения настройки наконечником 2 обходят наконечник 1, раздвигают измерительные наконечники 1 и 2 до касания с границами...