Способ испытания на надежность полупроводниковых приборов с мдп-структурой
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1623502
Авторы: Климов, Масловский, Минаев, Постников
Формула
СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ НА НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С МДП-СТРУКТУРОЙ, включающий измерение в одинаковых условиях электрических параметров структур до и после термостатирования и выявление потенциально ненадежных приборов при изменении этих параметров, превышающих заданное значение этого изменения, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности испытаний, до термостатирования или одновременно с ним на структуру воздействуют магнитным полем, увеличивая его от 0 до 2,0 
105 А/м, а затем выключая его.
Описание
Цель изобретения - повышение достоверности испытаний.
П р и м е р 1. Способ был опробован на МДП-конденсаторах, сформированных термическим окислением кремниевой подложки КЭФ-20 в атмосфере сухого кислорода. Толщина SiO2 45 нм, площадь алюминиевых электродов 1 мм2.
На МОП-структуру воздействуют магнитным полем (МП), напряженность которого увеличивают в течение 0,2 мс до 2
105 А/м и выключают. Затем структуру помещают в термостат и выдерживают при 70оС в течение 1 ч. После термостатирования измеряют ток утечки через диэлектрик и отбраковывают те структуры, токи утечки в которых при величине электрического поля в окисле 3 МВ/cм превысили исходное значение в 3 раза. До воздействия МП считались годными 100%, а после испытаний 30% структур были отбракованы.П р и м е р 2. Способ упрощается, если термостатирование проводят при комнатной температуре. Измеряют время релаксации нестационарной емкости аналогичных МДП-структур, сформированных на одной пластине. Прикладывают к ним обедняющее напряжение величиной 10 В. Диапазон измеренных значений этих времен 10-20 с. Затем пластину вносят на 10 с в МП постоянного электромагнита напряженностью 2
105 А/м и вынимают из него. Через 5 ч при той же комнатной температуре измеряют время релаксации нестационарной емкости МДП-структур и отбраковывают структуры, у которых зарегистрировано уменьшение времени релаксации более чем в n раз (n - эталонное значение, n 
2). Доля негодных структур 10%. Таким образом, способ позволяет выявить дефекты без нагрева пластин.Предложенный способ позволяет более достоверно выявлять ненадежные полупроводниковые приборы, что связано с инициирующим воздействием МП на реакцию дефектов в неравновесных многокомпонентных системах (в частности, возможен распад примесно-дефектных комплексов). Механизм такого воздействия связан с долговременной релаксацией спиновой системы ядер, взаимодействующей со спиновой системой электронов, локализованных на дефектах.
Изобретение может использоваться для выявления потенциально ненадежных структур при изготовлении полупроводниковых приборов на основе МДП - структур. Цель изобретения - повышение достоверности испытаний - достигается воздействием на структуры магнитным полем, инициирующем эволюцию примесно-дефектных комплексов в полупроводниках. Способ заключается в измерении при одинаковых условиях информативных электрических параметров структур до и после термостатирования, при этом до или одновременно с термостатированием на них воздействуют магнитным полем, увеличивая его от 0 до 2
105 А/м , после чего отбраковывают структуры при изменении их параметров, превышающем эталонное значение этой разницы. Измерения упрощаются, если термостатирование проводится при комнатной температуре. Заявка
4626290/25, 05.12.1988
Климов Ю. А, Минаев В. В, Постников С. Н, Масловский В. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: испытания, мдп-структурой, надежность, полупроводниковых, приборов
Опубликовано: 15.09.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1623502-sposob-ispytaniya-na-nadezhnost-poluprovodnikovykh-priborov-s-mdp-strukturojj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ испытания на надежность полупроводниковых приборов с мдп-структурой</a>
Электромагнитный прибор для испытания ферромагнитных тел на ударную усталость и прочность, наклеп и немагнитных материалов на размалываемость
Номер патента: 115011
Опубликовано: 01.01.1958
Авторы: Либерман, Несвижский, Тарасенко
МПК: G01N 3/38
Метки: испытания, наклеп, немагнитных, прибор, прочность, размалываемость, тел, ударную, усталость, ферромагнитных, электромагнитный
...К рабочим то ные сменные защ ьпга текстолитов катушек от ист на тскстолцтовуаявлеио 18 апреля 1957 и. за М. 571486 в Комитет по делам изобретеии 11 и огкрь 1 т 1 прп Совте т 1 ииистров Г.ГГР- 2сткости конструкции верхний сердечник посредством скобы 10 и четырех шпилек 11 с бо,памп ноджимасзся к катушкам возбуждения.Чтобы загрузизь испытуемое тело (например шар) в камеру прибора, отвинчивают бо,пы, снимают скобу и верхний сердечник. с 1 тобы загрузить немагнитцый сыпучий материал, его опускают в камеру прибора на дно в коробочке, а сверху засыпают ферромагнитную дробь.Для производства испыганий ца ударную усталость и прочность прибор заряжают испытуемым шаром 2 и вкгпочают в работу. Зная число переключений магнитов в единицу времени,...
Способ изготовления структур мдп-приборов
Номер патента: 1168021
Опубликовано: 27.10.1995
Авторы: Мельник, Мокеев, Нидаев
МПК: H01L 21/76
Метки: мдп-приборов, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ПРИБОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке пленки двуокиси кремния, осаждение слоя поликристаллического или аморфного кремния, разделение слоя кремния на изолированные области, рекристаллизационный обжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения подвижности носителей заряда в изолированных областях кремния и сохранения исходной формы этих областей, слой поликристаллического или аморфного кремния разделяют на изолированные области методом локального прокисления этого слоя до пленки двуокиси кремния.
Прибор для испытания магнитных материалов на степень закалки и отжига
Номер патента: 1768
Опубликовано: 15.09.1924
Автор: Полтев
МПК: G01R 33/12
Метки: закалки, испытания, магнитных, отжига, прибор, степень
...резонатором для любой заданной акустической частоты генератора. Момент резонанса струны и генератора определяется по максимуму звука струны. Испытуемый материал 2 вводится внутрь катушки самоиндукции 1 колебательного контура генератора, изменяя ее величину и, следовательно, частоту колебаний генератора. Резонанс между струной и генератором, нарушенный введением испытуемого материала в катушку 1, восстанавливается конденсатором 7, приключенным к конденсатору б колебательного контура лампы, Конденсатор б является поправочным и служит для точной установки конденсатора 7 на нулевую тОчку перед испытанием; конденсатор 7 служит для отсчетов. Величина изменения емкости конденсатора 7 и оцениваетмагнитное состояние образца испытуемого...
Устройство для испытания полых изделий на прочность
Номер патента: 1295276
Опубликовано: 07.03.1987
Авторы: Бологов, Малышев, Пермитин
МПК: G01N 3/12
Метки: испытания, полых, прочность
...2 возрастает в результате выхода пара из испытуемого трубопровода 2 в многовитковый спиральный трубопровод 25, обеспечивающий увеличение длины пути движения пара на основе зависимости 5=о 1./где 5 - путь движения пара;о - скорость движения пара;1 - время,При о = сопй и увеличении длины 5 пути время 1 воздействия пара на стенки испытуемого трубопровода возрастает.Во избежание конденсации в многовитковом спиральном трубопроводе 25, в результате чего может происходить искажение скорости пара в полости испытуемого трубопровода 2, многовитковый спиральный трубопровод 25 выполнен обогреваемым с помощью нагревательной камеры 26, которая в момент пропуска пара через него включена.В многовитковом спиральном трубопроводе 25 поддерживается...
Способ изготовления структур мдп-интегральных схем
Номер патента: 1487759
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Крюков, Перов, Саночкин
МПК: H01L 21/8232
Метки: мдп-интегральных, структур, схем
...Рмци 51 .с и слоя нттт рида кремния .эце удалян)т, я используют в качествемежслойцой изоляции полцкремциеныхттИн первого уронця. Затем осаждаютвторой слой поликремция 9 (йттГ.А) 511 е 5 ирутот его и плазмохкмическкм травлением через маску двух слоев поликремния формируот области плавающего зат-вора 10 и управляющего затвора 11,причем травление проводят н цаправле".нки, перпеНдикулярном направлению поликремниевых шин перного уровня(фиг.5),Формирование областей истоков истоков 12 элементов памяти проводятпгмплацтаццей ионов мьпцьяка Б участкикремниеной подложки, нс:.срытые послесамосовмещенцаго транления первогои второго слоев полккремния, Ня заклсчительной стадии изготовленияструктур элемецтов памяти формируютторцовый оксид кремния 13...
Предыдущий патент: Устройство для питания импульсных газоразрядных ламп
Следующий патент: Способ перевода сверхпроводящего ключа в нормальное состояние
Случайный патент: Амортизатор