Абаньшин

Номер патента: 1762690

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Абаньшин, Высоцкий, Кузьмин, Митрохин, Севостьянов, Смирнов, Усенок

МПК: H01L 21/28

Метки: жидкокристаллическим, индикатором, матрицы, тонкопленочных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ИНДИКАТОРОМ, включающий нанесение на прозрачную диэлектрическую подложку слоя прозрачного токопроводящего материала, формирование элементов отображения, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей, нанесение токопроводящего слоя, формирование электродов стока, истока и информационных шин, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей проводят путем последовательного нанесения вентильного металла, диэлектрического и полупроводникового слоев и их совместного травления, а после...

Номер патента: 1772821

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Абаньшин, Коньков, Митрохин, Найдис, Николаев, Теруков, Харина

МПК: G09F 9/35

Метки: жидкокристаллической, матричной, панели, элемент

...контакты Шоттки 4 и слой прозрачного материала 5 для формирования индикаторного электрода.Устройство работает следующим образом,На рис. 3 01 и 02 - диоды Шоттки, В - сопротивление, создаваемое слоем аморфнога кремния и его квазиомическим контактом со слоем титана. Система двух встречно включенных диодов работает на обратных ветвях ВАХ диодов, т, е, в режиме пробоя. Когда на диод 01 подано напряжение Ч 1, в соответствии с ВАХ (рис. 4) уровень тока в нем будет. Диод 02, включенный в прямом направлении, пропустит ток 1, и емкость Сжк накопит заряд на своих обкладках - информация записана. Смена полярности напряжения (условие работы ЖК - индикатора) приведет к прохождению другой ветви ВАХ и аналогичному результату, обкладки ЖК -...

Номер патента: 1555680

Опубликовано: 07.04.1990

Автор: Абаньшин

МПК: G01R 27/06

Метки: внешнего, излучающего, кабеля, коаксиального, проводника, связи, сопротивления

...Я, определяются частотой дискретизации и количеством отсчетов Ег при изЙ мерении поля во временной области. Для каждого (Д; на основании (2) записывают отношениеЕ Я Нь(ДА Р, которое является уравнением для определения (у (Я;),По значению Р (Я;) вычисляют а(Ы,)= "(к-кэчеаз, далее, используя выражение для Л и учитывая, что компонента Е предполагается непрерывной при переходе через внешний проводник кабеля, т,е. Е (ЬЯ;)=Ег (ЬЯ;), искомое значение а (И;) вычисляют из выраженияДля окружающего кабель пространства32.К ,Е) =ВН (р еНг (Е)=В - -Нг (Е )е, (2)30Предполагается, что защитная оболочка у кабеля отсутствует, В формулах (1) и (2) обозначены НоНфННО О функции Ганкеля 1 и Т 1 рода нулевого и первого порядков соответственно;1," -г Р:--1;г -...