H01L 29/04 — характеризуемые кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой или с определенной ориентацией кристаллической плоскости

Номер патента: 639362

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 29/04

Метки: полупроводниковый, прибор

...сущности к предлагаемому является полупроводниковый прибор на основе р - п-структуры 2.Свойство известных устройств выпрямлять переменный электрический ток обусловлено тем, что сопротивление р - п-структуры сильно меняется при изменении мощности напряжения, прикладываемого к ри и-областям р - п-структуры.Однако в известных полупроводниковых приборах имеются краевые токи утечки, которые приводят к снижению пробивного напряжения.Цель изобретения - уменьшение краевых токов утечки и увеличение пробивного напряжения.Это достигается т опиковом приборе на рпо крайней мере одотуры выполнена нав При приложении переменного напряжения к р- и п-областям р - п-структуры происходит выпрямление электрического тока. Уменьшение краевых токов...

Номер патента: 1581149

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Чашников, Шеметило

МПК: H01L 29/04

Метки: восстановлением, высоковольтный, диод, обратного, резким, сопротивления

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий слаболегированный слой n-типа проводимости, расположенный между двумя сильнолегированными слоями разного типа проводимости, и два омических контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока, в него введен дополнительный слой p-типа проводимости, расположенный между сильнолегированным слоем p+-типа проводимости и слаболегированным слоем n-типа проводимости, причем концентрация легирующей примеси в дополнительном слое N1 и его толщина d1 удовлетворяют соотношениямN3 > N1 ...