Мощный планарный транзистор
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, являющуюся коллектором, в которой выполнена область базы с активными и пассивными участками, включающая эмиттерную область, диэлектрическое покрытие, в котором выполнены контактные окна, эмиттерную и базовую металлизации с контактными площадками, расположенные на диэлектрическом покрытии, и дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположном типу проводимости коллектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, дополнительные области расположены над контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, имеют глубину не менее глубины пассивной части базовой области и находятся от нее на расстоянии не менее удвоенное ширины области пространственного заряда коллекторного перехода при максимально допустимых напряжениях на нем.
Описание
Целью изобретения является увеличение коэффициента усиления по мощности.
На чертеже показан предлагаемый транзистор, поперечный разрез.
Транзистор содержит коллектор 1, область 2 базы, область 3 эмиттера, дополнительные области 4, диэлектрическое покрытие 5 и металлизации 6.
Введением дополнительных областей в биполярный мощный транзистор вносится дополнительная емкость, суммируясь с емкостью металлизации по правилу сложения емкостей, дает в результате пониженную емкость.
Емкость металлизации транзистора снижается в 2,7 раза, что позволяет увеличить выходной импеданс полупроводникового прибора на 30-40%, а следовательно, и коэффициент усиления по мощности.
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является увеличение коэффициента усиления по мощности. Мощный биполярный транзистор содержит коллектор, базу, эмиттер, диэлектрическое покрытие, дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположным типу проводимости коллектора. Дополнительные области расположены под контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, отделены от них диэлектрическим покрытием и имеют глубину, не менее глубины пассивной части базовой области. Согласно изобретению уменьшается емкость металлизации транзистора. 1 ил.
Рисунки
Заявка
3963330/25, 14.10.1985
Жильцов В. И, Сивак В. М
МПК / Метки
МПК: H01L 29/73
Метки: мощный, планарный, транзистор
Опубликовано: 15.09.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1393264-moshhnyjj-planarnyjj-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Мощный планарный транзистор</a>
Мощный планарный транзистор
Номер патента: 1409076
Опубликовано: 30.10.1994
МПК: H01L 29/73
Метки: мощный, планарный, транзистор
МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, диффузионные растворы, соединенные с эмиттерной областью, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контакты к ним, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения стабильности тока, контакт, соединяющий резистивную область с эмиттерной, снабжен дополнительным участком, расположенным на диэлектрическом покрытии над областью резистора.
Способ изготовления самосовмещающихся планарных транзисторов
Номер патента: 723984
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Злыднев, Кремлев, Любушкин, Манжа
МПК: H01L 21/33
Метки: планарных, самосовмещающихся, транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩАЮЩИХСЯ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции маскирования подложки диэлектрической пленкой, вскрытия окон, наращивания поликристаллического кремния, легированного примесью противоположного типа проводимости подложке, формирования базовой области и контакта к ней из поликристаллического кремния, создания эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компановки структур, на нижнюю диэлектрическую пленку наносят поликристаллический кремний, травят окна в пленках до подложки, наращивают низкотемпературный поликристаллический кремний, легированный примесью противоположного типа проводимости подложке, локально маскируют диэлектрической пленкой, не травящейся в травителях для...
Биполярный транзистор
Номер патента: 1091783
Опубликовано: 10.05.1996
МПК: H01L 29/73
Метки: биполярный, транзистор
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возможностей, в структуре выполнен паз, дно которого расположено в области коллектора, а области эмиттера и базы ограничены одной из стенок паза, на стенках паза сформированы слой диэлектрика и электрод, причем последний является полевым по отношению к области коллектора.
Базовый интегральный логический элемент
Номер патента: 1667574
Опубликовано: 27.10.1995
Авторы: Астахов, Коноплев, Фомичев
МПК: H01L 27/085
Метки: базовый, интегральный, логический, элемент
БАЗОВЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий подложку первого типа проводимости, стоковые и истоковые области нагрузочного и ключевых МОП-транзисторов, металлическую шину питания, расположенную над стоковой областью нагрузочного транзистора, и соединенную с ней металлическую общую шину, расположенную над областями стоков, истоков и затворов, соединенную с истоковыми областями ключевых транзисторов, полупроводниковый слой встроенного канала нагрузочного транзистора, слои подзатворного диэлектрика, на которых расположены поликремниевые входные шины, и выходную металлическую шину, соединенную со стоковыми областями ключевых транзисторов, затвором и истоковой областью нагрузочного транзистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения...
Автоматическое светосигнальное устройство
Номер патента: 440529
Опубликовано: 25.08.1974
Автор: Нилов
МПК: F21V 23/04
Метки: автоматическое, светосигнальное
...скважности его переключений соответствует напряжение 12 в, В промежутке между двумя предельными состояниями скважность релаксационных колебаний асимметричного мультивибратора 8 изменяется прямо пропорционально изменению напряжения батареи 1, обеспечивая постоянство потребляемой от батареи 1 электроэнергии и сохраняя при этом номинальный режим работы маячной лампы 2 при различных значениях подводимого к ней напряжения. Лвтоматическое изменение скважности в функции напряжения батареи 1 обусловлено наличием связи базы транзистора 9 через варистор 17 одновременно с резистором 18 и встречно- последовательно соединенными стабилитронами 19, 20, Последние обеспечивают в точке соединения их с варистором 17 постоянство напряжения относительно...
Предыдущий патент: Глутамат п-аминометилбензойной кислоты, обладающий антифибринолитической, противовоспалительной и антимикробной активностью
Следующий патент: Биполярный транзистор
Случайный патент: Открытое распределительное устройство высокого